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全球DRAM總營(yíng)收 研調(diào)機(jī)構(gòu)估第3季將較顯著成長(zhǎng)
- DRAMeXchange最新報(bào)告指出,中國(guó)地區(qū)的智慧型手機(jī)出貨依然強(qiáng)勁,DRAM三大廠同步調(diào)整產(chǎn)品類別,持續(xù)向行動(dòng)式記憶體轉(zhuǎn)進(jìn),伴隨第3季強(qiáng)勁的旺季備貨需求到來,預(yù)估第3季全球DRAM總營(yíng)收將出現(xiàn)較顯著的成長(zhǎng)。 DRAMeXchange表示,因市況供過于求,第2季DRAM的平均銷售單價(jià)持續(xù)下滑,整體均價(jià)季跌幅超過5%,但受惠美光20奈米及SK海力士21奈米產(chǎn)出順利,帶動(dòng)位元供給成長(zhǎng),使得第2季全球DRAM總營(yíng)收約91億美元,季成長(zhǎng)6.3%。 三星在第2季的DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收仍排行第一,營(yíng)收季
- 關(guān)鍵字: 三星 DRAM
Q2全球DRAM總營(yíng)收91億美元臺(tái)廠華邦電表現(xiàn)最佳
- TrendForce旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)告顯示,由于市況供過于求,第2季DRAM的平均銷售單價(jià)持續(xù)下滑,整體均價(jià)季跌幅超過5%,但受惠美光20納米及SK海力士21納米產(chǎn)出順利,帶動(dòng)位元供給成長(zhǎng),第2季全球DRAM總營(yíng)收約91億美元,季成長(zhǎng)6.3%;三星、SK海力士、美光三大廠營(yíng)收都成長(zhǎng),臺(tái)廠部分,以華邦電( 2344-TW )營(yíng)收季增3.3%表現(xiàn)最佳。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示,第2季筆記型電腦及伺服器相關(guān)產(chǎn)品出貨動(dòng)能表現(xiàn)一般,但中國(guó)地區(qū)的智慧型手
- 關(guān)鍵字: DRAM
DRAM拖累全球IC銷售額下降2%
- 按IC Insight的最新IC市場(chǎng)觀察報(bào)告,2016年因供過于求,導(dǎo)致全球DRAM的平均售價(jià)(ASP)下降16%,導(dǎo)致全球IC銷售額下降2%。 由于PC,筆記本,及平板電腦,包括智能手機(jī)等的出貨量減少,今年全球DRAM銷售額下降19%。DRAM的ASP有很大的起伏,由2014年的3.16美元高點(diǎn),到2012年時(shí)的1.69美元。 IC Insight認(rèn)為,一組DRAM的ASP曲線,從2007年開始象飛機(jī)飛過山谷時(shí)一樣的起伏。預(yù)計(jì)在服務(wù)器及新智能手機(jī)等市場(chǎng)需求推動(dòng)
- 關(guān)鍵字: DRAM
第二季全球DRAM總營(yíng)收成長(zhǎng)6.3%
- 受惠于美光(Micron) 20奈米及SK海力士(Hynix) 21奈米產(chǎn)出順利,帶動(dòng)位元供給成長(zhǎng),使得第二季全球DRAM總營(yíng)收約91億美元,季成長(zhǎng)6.3%。 TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)告顯示,由于市況供過于求,第二季DRAM的平均銷售單價(jià)持續(xù)下滑,整體均價(jià)季跌幅超過5%。然而,受惠于美光(Micron) 20奈米及SK海力士(Hynix) 21奈米產(chǎn)出順利,帶動(dòng)位元供給成長(zhǎng),使得第二季全球DRAM總營(yíng)收約91億美元,季成長(zhǎng)6.3%。 DRAMe
- 關(guān)鍵字: 美光 DRAM
第二季DRAM總營(yíng)收小幅增長(zhǎng)6.3%
- TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)最新報(bào)告顯示,由于市況供過于求,第二季DRAM的平均銷售單 價(jià)持續(xù)下滑,整體均價(jià)季跌幅超過5%。然而,受惠于美光20納米及SK海力士21納米產(chǎn)出順利,帶動(dòng)位元供給增長(zhǎng),使得第二季全球DRAM總營(yíng)收約91億 美元,季增長(zhǎng)6.3%。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示,第二季筆記本電腦及服務(wù)器相 關(guān)產(chǎn)品出貨動(dòng)能表現(xiàn)一般,但中國(guó)地區(qū)的智能手機(jī)出貨依然強(qiáng)勁,因此DRAM三大廠也同步調(diào)整產(chǎn)品類別,持續(xù)向行動(dòng)式內(nèi)存
- 關(guān)鍵字: SK海力士 DRAM
Toppan Photomasks, Inc批準(zhǔn)在中國(guó)建設(shè)先進(jìn)光掩模生產(chǎn)線項(xiàng)目
- 全球業(yè)界首選光掩模合作伙伴Toppan Photomasks, Inc. (TPI)今天宣布批準(zhǔn)對(duì)近期擴(kuò)建的中國(guó)上海廠的下一階段投資計(jì)劃;該廠由TPI獨(dú)資子公司Toppan Photomasks Company Limited, Shanghai (TPCS) 運(yùn)營(yíng)。TPI將對(duì)此工廠再投資8000萬美元以展現(xiàn)其對(duì)中國(guó)快速成長(zhǎng)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)及客戶之長(zhǎng)期承諾。TPI先前已投資2000萬美元擴(kuò)建上海二廠(TPCS Shanghai II);該廠現(xiàn)已量產(chǎn)并且為中國(guó)唯一提供全方位技術(shù)及產(chǎn)品的商業(yè)光掩模廠。
- 關(guān)鍵字: DRAM NAND
NAND快閃記憶體價(jià)格上漲 創(chuàng)見威剛笑開懷
- NAND快閃記憶體受惠固態(tài)硬盤(SSD)銷售熱絡(luò),加上智能手機(jī)搭載容量提高,帶動(dòng)近月價(jià)格持續(xù)上漲,創(chuàng)見、威剛等模組廠營(yíng)運(yùn)受惠,市場(chǎng)預(yù)期蘋果將推出的iPhone 7拉貨動(dòng)能如何,將攸關(guān)NAND快閃記憶體價(jià)格續(xù)漲力道。 市場(chǎng)指出,上半年非蘋陣營(yíng)智能手機(jī)產(chǎn)品銷售強(qiáng)勁,產(chǎn)品功能提升帶動(dòng)記憶體需求大增,加上6月三星西安廠因變電廠爆炸導(dǎo)致停工,帶動(dòng)NAND快閃記憶體價(jià)格上漲,主流產(chǎn)品在1個(gè)月內(nèi)漲幅超過2成。 市況變化帶動(dòng)記憶體模組廠營(yíng)運(yùn)增溫,創(chuàng)見表示,在漲價(jià)預(yù)期心理帶動(dòng)下,通路拉貨力道明顯回升,DRA
- 關(guān)鍵字: NAND DRAM
中國(guó)首座DRAM廠動(dòng)工,三星、海力士冒冷汗
- 韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)周二報(bào)導(dǎo),國(guó)營(yíng)福建晉華積體電路公司(音譯:Fujian Jinhua Integrated Circuit Co.)在來自聯(lián)電(2303)技術(shù)的加持下,已著手建造半導(dǎo)體廠,將藉此切入DRAM市場(chǎng)。 來自產(chǎn)業(yè)內(nèi)的訊息指出,福建晉華上周六已在晉江市,舉行DRAM廠破土動(dòng)工儀式,第一期工程投資規(guī)模預(yù)估來到370億人民幣,或相當(dāng)于55億美元,2018年投產(chǎn)后每月可產(chǎn)出6萬片晶圓(32奈米)。 據(jù)報(bào)導(dǎo),福建晉華將獲得聯(lián)電技術(shù)支援,且全球晶圓代工龍頭臺(tái)積電(2330)傳也有參與投資,但未獲
- 關(guān)鍵字: DRAM 三星
IC Insights下修今年半導(dǎo)體業(yè)成長(zhǎng)率至-1%
- IC Insights近日調(diào)降2016年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)率預(yù)測(cè)至-1%,表示英國(guó)脫歐也是為產(chǎn)業(yè)帶來負(fù)面沖擊的原因之一… 市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IC Insights近日調(diào)降了對(duì)2016年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的成長(zhǎng)率預(yù)測(cè),由原先的2%下修為-1%;該機(jī)構(gòu)表示,調(diào)降產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)率預(yù)測(cè)的主要原因,是基于全球經(jīng)濟(jì)表現(xiàn)衰弱,以及低迷不振的DRAM市場(chǎng)。 消 費(fèi)性電子市場(chǎng)與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)之間的連動(dòng)關(guān)系越來越密切,IC Insights預(yù)期,2016年全球GDP與成長(zhǎng)率僅2.3%;而GDP成長(zhǎng)率若低于2.5%,被認(rèn)為是
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 DRAM
三星與IBM聯(lián)手打造STT-MRAM
- 據(jù)韓媒BusinessKorea報(bào)道,IBM和三星近日在IEEE上發(fā)布研究論文稱,兩家公司聯(lián)手打造了一種被稱為STT-MRAM的新內(nèi)存,有望成為目前DRAM內(nèi)存的最實(shí)際接替者。 DRAM,即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,目前最大的發(fā)展障礙就是其很難被壓縮至10nm以下,因此兩家公司研發(fā)的STT-MRAM(自旋傳輸磁性記憶體)首先就將解決這一問題。 另外,新內(nèi)存也將擁有更高的傳輸速度且更加省電,理論性能也將超越DRAM。 業(yè)界認(rèn)為,這可能是目前DRAM的最佳接替者,因?yàn)?5%的DRAM制造設(shè)施都
- 關(guān)鍵字: 三星 DRAM
老杳:面對(duì)政府決策論證專家能否直面良心
- 一條有關(guān)中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的重要新聞: 《晉江市集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃(2016-2025)》于11日在北京通過專家論證,一個(gè)千億規(guī)模的集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈正在此興起。 與會(huì)專家表示,《發(fā)展規(guī)劃》立足晉江、對(duì)標(biāo)國(guó)內(nèi)、放眼全球,符合區(qū)域?qū)嶋H、切合國(guó)內(nèi)格局、貼合產(chǎn)業(yè)方向,具有較強(qiáng)的指向性和操作性。 老杳不是專家,不過即使從表述文字也可以看出其中眾多蹊蹺,在集成電路領(lǐng)域一窮二白的晉江市,僅僅一個(gè)集成電路的產(chǎn)業(yè)規(guī)劃就意味著“千億規(guī)模的集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈正在此興起”?又如何推演出
- 關(guān)鍵字: DRAM 集成電路
IC Insights:英脫歐/DRAM需求疲軟 拖累半導(dǎo)體市場(chǎng)成長(zhǎng)率
- 長(zhǎng)久以來,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“健康狀況”與全球經(jīng)濟(jì)成長(zhǎng)息息相關(guān),很少有強(qiáng)大的半導(dǎo)體市場(chǎng),沒有好的世界經(jīng)濟(jì)在背后支撐它。在七月推出的2016年McClean報(bào)告中,市調(diào)機(jī)構(gòu)ICInsights預(yù)測(cè),今年全球GDP成長(zhǎng)率僅2.3%,低于全球不景氣門檻(RecessionThreshold)的2.5%。 受到DRAM市場(chǎng)的需求下降與英國(guó)脫歐影響,整體半導(dǎo)體市場(chǎng)成長(zhǎng)率將下滑。 目前,在許多地區(qū)中,地方經(jīng)濟(jì)逐漸趨緩,即便是中國(guó),這個(gè)個(gè)人電腦、數(shù)位電視、智慧型手機(jī)、新型商用飛機(jī)與汽車
- 關(guān)鍵字: DRAM 半導(dǎo)體
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