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三星電子擬推新1GB移動DRAM
- 三星電子宣布,計劃推出裝有新寬I/O接口的1GB移動DRAM,以應(yīng)用于智能手機(jī)和平板電腦等移動設(shè)備,將采用50納米級工藝技術(shù),傳輸速度可達(dá)12.8GB/秒。 韓國三星電子(Samsung Electronics Co., Ltd.)2月21日宣布,這家先進(jìn)內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域的全球龍頭企業(yè)正在開發(fā)裝有寬I/O接口的1GB移動DRAM(dynamic random access memory),將使用50納米級工藝技術(shù)。新的寬I/O移動DRAM將被用于移動應(yīng)用設(shè)備,諸如智能手機(jī)和平板電腦?! ?/li>
- 關(guān)鍵字: 三星 DRAM
傳爾必達(dá)或并購茂德
- 日本DRAM大廠爾必達(dá)(Elpida)在成功集成臺廠力晶、瑞晶產(chǎn)能后,日前再度傳出將目標(biāo)轉(zhuǎn)向茂德,根據(jù)日本外電報導(dǎo),爾必達(dá)正和臺灣政府和債權(quán)銀行團(tuán)協(xié)商,希望銀行團(tuán)能放棄債權(quán)以利爾必達(dá)做整并;不過,茂德指出,完全沒聽過此事,而業(yè)界則認(rèn)為,爾必達(dá)所指的放棄債權(quán)一事,應(yīng)該是指希望銀行團(tuán)能打消負(fù)債,但此舉并不利銀行團(tuán)本身,除非政府出面強(qiáng)制主導(dǎo),否則成功機(jī)率不高?! ?/li>
- 關(guān)鍵字: 爾必達(dá) DRAM
爾必達(dá)擬在臺發(fā)行TDR 籌措新臺幣43.2億元
- 彭博信息(Bloomberg)報導(dǎo)指出,全球第3大DRAM業(yè)者爾必達(dá)(Elpida)計劃來臺發(fā)行臺灣存托憑證(TDR),募資約123億日圓(約新臺幣43.2億元),作為次世代DRAM制程所需的研發(fā)資金之用,而爾必達(dá)亦將成為首家來臺發(fā)行TDR的日本業(yè)者。 據(jù)悉,爾必達(dá)擬發(fā)行2億單位的TDR;2月18日將敲定確切的發(fā)行價格。 另據(jù)路透(Reuters)報導(dǎo),在發(fā)行TDR的同時,爾必達(dá)亦計劃增發(fā)1,000萬股新股,新股發(fā)行后,爾必達(dá)的股數(shù)將增為2.16億股左右。 報導(dǎo)提到,爾必達(dá)透過發(fā)行T
- 關(guān)鍵字: Elpida DRAM
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