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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 1β dram

VLSI下調(diào)半導(dǎo)體及設(shè)備市場預(yù)測

  • 　　按VLSI市場調(diào)研公司的最新報告，今年無論半導(dǎo)體以及設(shè)備業(yè)都達到歷史上輝煌的年份之一，由此也導(dǎo)致可能產(chǎn)能過剩及芯片價格下降。 　　同時，該公司也更新了2011及2012年半導(dǎo)體及設(shè)備業(yè)的預(yù)測，為2011年半導(dǎo)體增長4.4%為2486億美元，以及2012年再增長7.9%。VLSI之前曾預(yù)測2011年半導(dǎo)體增長8%。 　　
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體  DRAM  

DRAM產(chǎn)業(yè)減產(chǎn)潮恐擴大

  • 　　11月下旬DRAM合約價跌幅超過10%，讓市場籠罩在烏云密布的氣氛當中，29日DDR3 eTT(Effectively Tested)報價單日再跌7%，1Gb DDR3報價摜破1.3美元;DRAM業(yè)者則表示，1Gb DDR3 eTT價格單日大跌超過7%，其實只是以補跌來反應(yīng)品牌顆粒的價格;然此跌價情況若再延續(xù)，不排除各家DRAM廠會有擴大減產(chǎn)的情況出現(xiàn)。 　
  • 關(guān)鍵字： 力晶  DRAM  

全球DRAM產(chǎn)業(yè)面臨二次崩盤潮危機

  • 　　全球DRAM產(chǎn)業(yè)再度面臨二次崩盤潮的危機，雖然2010年上半年在供給不足的情況下，DRAM報價達到頂峰，但下半年卻意外遇上個人計算機(PC)產(chǎn)業(yè)旺季不旺，加上DRAM產(chǎn)業(yè)供給端大量產(chǎn)出，使得DRAM價格再度面臨崩盤窘境，時至11月，上、下旬合約價連番重挫，且上旬跌幅高達12~13%，較上旬不到10%合約價持續(xù)擴大。 　　
  • 關(guān)鍵字： 力晶  DRAM  

產(chǎn)能過剩導(dǎo)致DRAM價格持續(xù)下滑

  • 　　根據(jù)分析師和市場研究人員表示，個人電腦中的主要存儲元件DRAM的價格在2011年將會呈現(xiàn)下滑的狀態(tài)。瑞士信貸投資銀行預(yù)測，2011年中期DRAM市場仍將供過于求，但2011年下半年將恢復(fù)。該公司表示， DRAM季度收入將可能在明年二季度恢復(fù)之前，在第一季度探底。
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  

DRAM供需待調(diào)整　

  • 　　南朝鮮軍事緊張關(guān)系對于DRAM報價激勵未產(chǎn)生實質(zhì)性的幫助，市場還是回到供需面看待DRAM市場未來的前景;在DRAM供給端產(chǎn)出都集中在下半年，但個人計算機(PC)需求卻旺季不旺下，DRAM合約價和現(xiàn)貨價都呈現(xiàn)加速趕底之姿，預(yù)期2010年底前DDR3合約價將下跌至20美元水平，隨著爾必達(Elpida)、力晶陸續(xù)減產(chǎn)，以及三星電子(Samsung Electronics)的新廠Fab16進度將隨景氣調(diào)整，預(yù)計2011年下半DRAM市場可望走向供需平衡。 　　
  • 關(guān)鍵字： 爾必達  DRAM  

三星計劃2011年下半推出20納米級制程DRAM

  • 　　三星電子(Samsung Electronics) 2011年將致力于提升DRAM存儲器半導(dǎo)體制程技術(shù)水平，再拉大與其它競爭業(yè)者間差距。三星半導(dǎo)體事業(yè)部專務(wù)趙南成表示，2010年采用30納米級制程制造DRAM，2011年上半計劃采行20納米級制程推出產(chǎn)品。三星計劃每年提升DRAM制程技術(shù)，維護業(yè)界領(lǐng)先地位。 　
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  

臺塑力挺南亞科

  • 　　臺塑集團旗下DRAM大廠南科辦理現(xiàn)金增資的時間點算是生不逢時，DRAM合約價和現(xiàn)貨價持續(xù)崩盤，16日是南亞科現(xiàn)增案原股東繳款的最后截止日，但股價跌破現(xiàn)增價每股新臺幣16.5元，所幸有臺塑集團出面宣布力挺決心，臺塑、南亞、臺塑石化及臺化等相關(guān)企業(yè)都出資認購，不足的部分預(yù)計會洽特定人吃下，這次南亞科募資的總金額為新臺幣99億元，目前臺塑集團對南亞科持股比重已超過60%。 　　
  • 關(guān)鍵字： 臺塑  DRAM  

11月上旬DRAM合約價續(xù)跌逾7%

  • 　　11月上旬DRAM合約價再跌超過7%，雖然跌幅較10月大幅縮減，但仍擋不住DRAM市場嚴重供不于求的事實，雖然DRAM廠這次再度發(fā)動減產(chǎn)策略，但仍抵擋不住這波DRAM價格崩盤潮，主要是轉(zhuǎn)換制程所產(chǎn)出的新產(chǎn)能太多，加上目前終端個人計算機(PC)搭載的存儲器仍是以2GB為主，消化的DRAM產(chǎn)能有限，加上三星電子(Samsung Electronics)的生產(chǎn)成本大幅低于臺廠，使得這一波DRAM合約價和現(xiàn)貨價都快速下向修正。 　
  • 關(guān)鍵字： 爾必達  DRAM  

2011年全球DRAM經(jīng)營慘淡

  • 　　2010年對于全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言，可說是值得紀念的一年，拓墣產(chǎn)業(yè)研究所研究員陳蘭蘭表示，2010年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)年成長率將高達30%，創(chuàng)下10年以來新高紀錄。然而，受到PC產(chǎn)業(yè)成長趨緩影響，2011年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)僅將成長5%，移動通訊產(chǎn)品反成為支撐整體產(chǎn)業(yè)成長的重要動能。預(yù)估2011年移動通訊用產(chǎn)品占總體半導(dǎo)體比重將從2010年的26%提升至30%，Mobile DRAM和NAND Flash的重要性，也將隨著智能手機等移動通訊產(chǎn)品興起而與日俱增。 　　
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爾必達赴臺融資 引發(fā)DRAM臺商恐慌

  • 　　爾必達(Elpida)申請來臺發(fā)行存托憑證(TDR)獲得“經(jīng)濟部”工業(yè)局核準，爾必達社長坂本幸雄親自來臺，并與“經(jīng)濟部”達成共識，引發(fā)臺DRAM廠高度關(guān)注。盡管證交所與金管會招商成功，爾必達風(fēng)光成為第1家來臺發(fā)行TDR的半導(dǎo)體大廠，但從當初政府積極整并臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)的初衷來看，爾必達來臺發(fā)行TDR，不但對臺系DRAM廠未來募資之路造成排擠，且可能讓爾必達來臺募資，之后再拿這些錢收編臺廠12寸DRAM產(chǎn)能，政府到底是在整合臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)，還是把臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)白白送給日廠，在業(yè)界造成熱烈討論。
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三星DRAM內(nèi)存市場獲得上升

  • 　　據(jù)國外媒體報道，根據(jù)iSuppli發(fā)布的最新數(shù)據(jù)顯示，三星電子又在DRAM內(nèi)存市場上獲得了上升。韓國三星電子在三季度實現(xiàn)DRAM銷售44億美元。比上一季度相比上升了14.3%，占有率為超過40%的市場。 　　
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顯存市場風(fēng)云變幻

  • 　　據(jù)iSuppli公司，由于市場不再特別推崇專用顯卡解決方案，而是越來越傾向于把圖形功能集成到電腦的中央處理器(CPU)之中，顯存市場面臨的局面發(fā)生變化。顯存市場向來是競爭的熱門領(lǐng)域。 　　
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DRAM市場價格持續(xù)下跌

  • 　　隨著DRAM和NANDFlash市場價格持續(xù)崩跌，不僅上游DRAM廠營收紛呈現(xiàn)大幅衰退情況，下游存儲器模塊廠亦受到牽累，10月營收亦持續(xù)下滑，其中，威剛10月營收較9月減少達17.1%。威剛表示，預(yù)期11月營收將因為產(chǎn)業(yè)景氣進入淡季，而持續(xù)呈現(xiàn)衰退景況，公司因應(yīng)策略是致力降低庫存水位，將庫存維持在約3~4周水平。 　　
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三星4Q再降DRAM價

  • 　　據(jù)外電報導(dǎo)，三星電子(SamsungElectronics)已較其他競爭公司更具優(yōu)越的成本競爭力，但在2010年第4季將持續(xù)調(diào)降DRAM價格，且計劃于2011年下半推出20奈米制程產(chǎn)品，欲獨霸DRAM市場。 　　
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DRAM市場價格持續(xù)下跌

  • 　　隨著DRAM和NANDFlash市場價格持續(xù)崩跌，不僅上游DRAM廠營收紛呈現(xiàn)大幅衰退情況，下游存儲器模塊廠亦受到牽累，10月營收亦持續(xù)下滑，其中，威剛10月營收較9月減少達17.1%。威剛表示，預(yù)期11月營收將因為產(chǎn)業(yè)景氣進入淡季，而持續(xù)呈現(xiàn)衰退景況，公司因應(yīng)策略是致力降低庫存水位，將庫存維持在約3~4周水平。 　　
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  NAND  
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