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半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣惡化　庫存修正即將發(fā)生？

  • 　　市場研究機(jī)構(gòu)The Information Network總裁Robert Castellano表示，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)環(huán)境正在惡化，而且領(lǐng)先指標(biāo)顯示該市場即將發(fā)生庫存修正;他指出，雖然2010年將會(huì)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷大幅反彈成長的一年，但好日子恐怕不多了。 　　Castellano預(yù)測，終端電子產(chǎn)品銷售將出現(xiàn)下滑，首當(dāng)而沖的就是DRAM領(lǐng)域;該市場在今年第二季還曾出現(xiàn)過135%的銷售成長;此外他也預(yù)言，PC銷售業(yè)績趨緩，將會(huì)對英特爾(Intel)、AMD等微處理器供應(yīng)商造成負(fù)面影響，連帶讓晶圓代工業(yè)者也受到
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iSuppli：內(nèi)存業(yè)界芯片制造平均成本四年來首度出現(xiàn)正增長

  • 　　據(jù)iSuppli市調(diào)公司發(fā)布的調(diào)查報(bào)告顯示，內(nèi)存業(yè)界生產(chǎn)DRAM芯片的平均制造成本出現(xiàn)了四年以來的首次正增長，不過據(jù)iSuppli公司分析，芯片 制造成本正增長的局面有望在數(shù)個(gè)季度之內(nèi)有所緩解。根據(jù)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，今年第二季度內(nèi)存芯片的制造成本從上一季度的2美元/GB提升到了2.03美元 /GB，盡管提升的幅度僅有1.2%，但這是四年以來的首次成本正增長，相比之下，2005年至今的制造成本提升幅度則平均僅-9.2%。 　　據(jù)分析，造成內(nèi)存芯片制造成本攀升的原因主要是芯片制造的復(fù)雜度和技術(shù)要求越來越
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DRAM價(jià)15天爆跌10% 恐跌至2美元線

  • 　　韓國電子時(shí)報(bào)報(bào)導(dǎo)，DRAM價(jià)格在15天內(nèi)暴跌10%，1Gb DDR3價(jià)格恐將跌至2美元線。價(jià)格跌落幅度超過預(yù)測值，不只三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)，設(shè)備業(yè)者也感到相當(dāng)緊張。據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXange統(tǒng)計(jì)，1Gb DDR3 9月初固定交易價(jià)格較15天前跌落10.60%至2.09美元，這是DDR3自2009年1月上市以來，固定交易價(jià)格最大跌幅。甫推出DDR3時(shí)，價(jià)格僅 在1美元在線，其后持續(xù)上升，至2009年11月，以2.25美元首度突破2美元線。 　　D
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三星：左打臺積電、右攻英特爾，欲稱霸全球

  • 　　全球半導(dǎo)體經(jīng)受金融危機(jī)后正邁入新一輪的增長時(shí)期，各家市場分析公司幾乎都報(bào)道了2010年半導(dǎo)體有30%的增長，達(dá)到2900億美元。 　　半導(dǎo)體業(yè)步入新時(shí)期 　　由于半導(dǎo)體業(yè)已逼近摩爾定律的終點(diǎn)，業(yè)界的變化規(guī)律開始發(fā)生變異，使得半導(dǎo)體業(yè)正進(jìn)入一個(gè)嶄新時(shí)期。新時(shí)期最明顯的特點(diǎn)可以歸結(jié)為增長趨緩，未來年均增長率在6%～7%;研發(fā)費(fèi)用高聳，只有很少幾家廠有能力繼續(xù)跟蹤，大多數(shù)頂級半導(dǎo)體廠都采用外協(xié)合作方案。工業(yè)的趨勢可能會(huì)形成英特爾CPU，三星存儲器及“fabless(無生產(chǎn)線半導(dǎo)體公司)+代工
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三星35納米4Q出擊　臺DRAM廠以卵擊石

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)制程微縮持續(xù)踩油門，繼46納米制程大量供貨，下世代35納米制程將在第4季試產(chǎn)，目標(biāo)2010年底占總產(chǎn)能達(dá)10%，由于從 35納米跳到46納米估計(jì)成本可再下降30%，屆時(shí)臺、韓DRAM之戰(zhàn)將形成以卵擊石，加上臺廠新產(chǎn)能大量產(chǎn)出時(shí)間點(diǎn)亦多落在第4季，面對產(chǎn)能將大量開出，近期DRAM價(jià)格跌不停，特別是DDR3 eTT已傳出通路商價(jià)格殺至1.7美元，較同容量DDR2價(jià)格還要低。 　　近期DRAM合約價(jià)及現(xiàn)貨價(jià)均呈現(xiàn)極度疲軟，尤其在傳統(tǒng)旺季是相當(dāng)少見情況，甚至
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DRAM價(jià)15天爆跌10%　恐跌至2美元線

  • 　　韓國電子時(shí)報(bào)報(bào)導(dǎo)，DRAM價(jià)格在15天內(nèi)暴跌10%，1Gb DDR3價(jià)格恐將跌至2美元線。價(jià)格跌落幅度超過預(yù)測值，不只三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)，設(shè)備業(yè)者也感到相當(dāng)緊張。 　　據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXange統(tǒng)計(jì)，1Gb DDR3 9月初固定交易價(jià)格較15天前跌落10.60%至2.09美元，這是DDR3自2009年1月上市以來，固定交易價(jià)格最大跌幅。甫推出DDR3時(shí)，價(jià)格僅在1美元在線，其后持續(xù)上升，至2009年11月，以2.25美元首度突破2美元線。DD
  • 關(guān)鍵字： 海力士  DRAM  DDR3  

德意志銀行予半導(dǎo)體業(yè)買入評級 2010年產(chǎn)業(yè)收入預(yù)計(jì)增長16%

  • 　　9月9日《半導(dǎo)體行業(yè)特別報(bào)告》出版，涉及項(xiàng)目包括有：庫存補(bǔ)充、企業(yè)升級周期、智能電話作為主要趨勢、移動(dòng)性長期轉(zhuǎn)變、供應(yīng)鏈動(dòng)態(tài)、3G和4G的構(gòu)建。 　　涉及企業(yè)包括有：AMD公司(AMD)、ARM 集團(tuán)(ARMH)、AT&;T公司(T)、Altera公司(ALTR)、蘋果公司(APPL)、Atheros(ATHR)、愛特梅爾公司(Atmel：ATML)和其他多家企業(yè)。 　　以下內(nèi)容摘錄自《半導(dǎo)體行業(yè)特別報(bào)告》，專業(yè)分析師在其中討論了該板塊的前景和投資展望。 　　2005年進(jìn)入德意志銀行的鮑
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電腦內(nèi)存芯片生產(chǎn)成本近4年來首次上升

  • 　　據(jù)國外媒體報(bào)道，市場研究公司iSuppli 15日表示，由于爾必達(dá)公司和南亞科技股份有限公司生產(chǎn)費(fèi)用出現(xiàn)增長，電腦內(nèi)存芯片的生產(chǎn)成本近4年來首次上升。 　　美國加州的市場研究公司iSuppli周二的調(diào)查報(bào)告顯示，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)內(nèi)存芯片的平均生產(chǎn)成本從第一季度的每G內(nèi)存2美元上升到了第二季度的2.03美元，而上一次內(nèi)存芯片制造成本的上升發(fā)生在2006年的第三季度。 　　爾必達(dá)公司和南亞科技股份有限公司分別是全球第三和第五大芯片制造商。iSuppli表示，南亞科技股份有限公司在采用新的
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DRAM內(nèi)存芯片成本遭遇近4年來首次上漲

  • 　　市場調(diào)研iSuppli近期發(fā)布報(bào)告稱，今年二季度的DRAM內(nèi)存芯片生產(chǎn)成本遭遇了自2006年三季度以來的首次上漲，這也引發(fā)了外界對于廠商在內(nèi)存芯片生產(chǎn)花費(fèi)支出的擔(dān)憂。從2005年開始，內(nèi)存芯片的生產(chǎn)成本就大致以平均每季度9.2%的幅度在下降。然而今年二季度的每Gb DRAM芯片的平均價(jià)格卻達(dá)到了2.03美元，相比上一季度的2.00美元小幅上漲。雖然價(jià)格上漲幅度非常小，但這完全顛覆了之前沿襲的規(guī)律。 　　其實(shí)，二季度內(nèi)存芯片生產(chǎn)成本的上漲也并不是忽然至來。從2009年三季度開始，DRAM芯片季度生產(chǎn)成
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日圓強(qiáng)升 內(nèi)存廠更仰賴臺廠

  • 　　日圓兌美元匯率強(qiáng)勢升值，創(chuàng)近15年來新高;臺灣存儲器業(yè)者表示，日圓走勢對日系廠商營運(yùn)勢必產(chǎn)生壓力，未來將更仰賴臺灣合作伙伴。 　　日本兩大半導(dǎo)體廠在全球市場占有舉止輕重的影響力，其中爾必達(dá) (Elpida)今年第2季在全球動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存 (DRAM)市場占有率為18%，是全球第3大DRAM廠。 　　東芝(Toshiba)今年第2季在全球儲存型閃存(NAND Flash)市場占有率達(dá)33.1%，僅次于韓國三星，居全球第2大廠地。 　　南亞科技副總經(jīng)理白培霖指出，日圓急遽升值，對日本內(nèi)存廠爾必達(dá)及
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三星擬以高性能、低耗電半導(dǎo)體主導(dǎo)市場

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)表示，智能型手機(jī)(Smartphone)、平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)等革新性行動(dòng)裝置制作成實(shí)體的過程中，對高性能、低耗電半導(dǎo)體的需求也正逐漸增加，因此三星計(jì)劃以性能提升，且減少耗電量的半導(dǎo)體產(chǎn)品主導(dǎo)市場。 　　三星祭出Smart and Green Plus策略，不僅致力于開發(fā)高性能、低耗電的半導(dǎo)體，同時(shí)也將配合世界各國的能源節(jié)約等親環(huán)境政策推動(dòng)三星的差異化解決方案。 　　做為新策略的一環(huán)，三星自2009年起便與服務(wù)器業(yè)者共同推動(dòng)綠色存儲器活
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Gartner上調(diào)全球半導(dǎo)體營收預(yù)期至3000億

  • 　　Gartner現(xiàn)在預(yù)計(jì)今年全球半導(dǎo)體營收將達(dá)到3000億美元，比去年增長31.5%。它之前預(yù)計(jì)今年半導(dǎo)體營收的增幅只有27.1%。包括手機(jī)和筆記本電腦在內(nèi)的消費(fèi)者電子產(chǎn)品在半導(dǎo)體銷售中占大多數(shù)份額。手機(jī)出貨量持續(xù)增長將推動(dòng)半導(dǎo)體營收的增長，而電腦出貨量增長速度的減慢將被平板電腦銷售的增長所抵消。 　　Gartner表示，盡管個(gè)人電腦銷售速度減慢，但今年NAND閃存和DRAM的營收仍將增長。DRAM營收今年將增長82.5%，幾乎達(dá)到420億美元，但它可能會(huì)從明年下半年開始減慢增長速度。Gartner預(yù)
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三星拉大DRAM制程差距　臺廠須盡速導(dǎo)入40納米

  • 　　臺灣國際半導(dǎo)體展(SEMICON Taiwan 2010)于8日正式開幕，在半導(dǎo)體趨勢論壇中，摩根士丹利證券執(zhí)行董事王安亞針對未來DRAM市場發(fā)出警語，認(rèn)為未來2Gb產(chǎn)品將成為DRAM市場主流，且未來以40納米制程生產(chǎn)的2Gb將最具競爭力，臺系DRAM廠，包括南亞科、華亞科等，必須盡快提升50納米制程的良率，且轉(zhuǎn)進(jìn)40納米制程世代，才會(huì)具有成本競爭力。 　　三星電子(Samsung Electronics)日前對于2010年下半DRAM市場發(fā)出供過于求的悲觀論調(diào)，使得全球DRAM產(chǎn)業(yè)大幅受挫，臺系D
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  40納米  

三星稱PC低迷將導(dǎo)致DRAM生產(chǎn)過剩

  • 　　據(jù)國外媒體報(bào)道，三星周二表示，由于全球PC市場低迷，DRAM內(nèi)存芯片將于第四季度出現(xiàn)生產(chǎn)過剩的局面。 　　臺灣復(fù)華投信(Fuh Hwa Securities Investment Trust)基金經(jīng)理約翰·酋(John Chiu)稱：“眾所周知，當(dāng)前PC市場并不景氣。如果需求不能提升，那么庫存就會(huì)增加。” 　　約翰·酋還稱：“人們都把希望寄托于中國內(nèi)地的10月長假和新年假期，如果需求有所增長，那么庫存就會(huì)有所緩解。” 　
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分析稱臺系DRAM廠明年可望大幅增長

  • 　　據(jù)集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報(bào)告指出，在臺系 DRAM 廠中，南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進(jìn)兩大因素，使產(chǎn)出可能大幅成長年增率150%。 　　南科除今年將12寸月產(chǎn)能從3萬6千片提升至5萬片，明年上半年可達(dá)6萬片，華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬片提升至滿載產(chǎn)能13萬片，同時(shí)南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉(zhuǎn)進(jìn)及明年轉(zhuǎn)進(jìn)42nm，預(yù)計(jì)明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長率居全球之冠，以品牌銷售顆料計(jì)，南科明年將成為臺灣DRA
  • 關(guān)鍵字： 南科  DRAM  Flash  
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