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施顏祥：將持續(xù)和“立法委”溝通　延續(xù)DRAM再造計(jì)劃

  • 　　臺(tái)“經(jīng)濟(jì)部”長施顏祥自APEC返回臺(tái)灣，17日對(duì)媒體表達(dá)“經(jīng)濟(jì)部”對(duì)推動(dòng)DRAM產(chǎn)業(yè)再造的最新看法。對(duì)于“立法院”經(jīng)濟(jì)暨能源委員會(huì)上周做出要求政府停止推動(dòng)DRAM產(chǎn)業(yè)再造主決議，施顏祥表示將持續(xù)向立委說明DRAM產(chǎn)業(yè)尚有許多根本問題未解決，因此仍有必要進(jìn)行改造。 　　施顏祥表示臺(tái)灣DRAM業(yè)者每年要給國外的技術(shù)授權(quán)金高達(dá)新臺(tái)幣200億~300億元，產(chǎn)業(yè)再造方案必須解決存在于DRAM產(chǎn)業(yè)中很多不利因素。
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三星加速制程微縮　DRAM進(jìn)入40納米世代

  • 　　三星電子(Samsung　Electronics)加速制程微縮，積極導(dǎo)入40納米制程，第4季已開始小幅試產(chǎn)DDR3，預(yù)計(jì)2010年下半40納米將成為主流制程，成本結(jié)構(gòu)再度領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)同業(yè)，而美光 (Micron)陣營50納米制程2010年大量產(chǎn)出，爾必達(dá)(Elpida)也將導(dǎo)入Extra 65納米制程，之后跳40納米制程，2010年全球DRAM產(chǎn)業(yè)成本進(jìn)一步下滑。 　　三星目前56納米制程DRAM產(chǎn)能比重超過一半，并已開始小量采用新一代的40納米制程生產(chǎn)DDR3芯片，成本結(jié)構(gòu)再度領(lǐng)先同業(yè)，市調(diào)機(jī)構(gòu)預(yù)估，
  • 關(guān)鍵字： 三星  40納米  DRAM  

分析師2010年七項(xiàng)電子產(chǎn)業(yè)預(yù)測(cè)

  • 　　電子產(chǎn)業(yè)正在逐漸復(fù)蘇，但市場(chǎng)上仍存在一些不確定因素;有人認(rèn)為2010年將欣欣向榮，也有人認(rèn)為會(huì)出現(xiàn)更嚴(yán)重衰退…究竟2010年會(huì)是個(gè)什么樣?以下是EETimes針對(duì)不同的市場(chǎng)領(lǐng)域，收集不同分析師看法所整理出的一些預(yù)測(cè)信息。 　　半導(dǎo)體 　　市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Databeans分析師SusieInouye表示：“一如預(yù)期，美國半導(dǎo)體市場(chǎng)是首個(gè)恢復(fù)年成長的地區(qū)，第三季營收較去年同期成長了8%;同時(shí)間全球半導(dǎo)體市場(chǎng)業(yè)績表現(xiàn)還比08年同期衰退10%。”該機(jī)構(gòu)預(yù)期全球半導(dǎo)體市場(chǎng)
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體  DRAM  晶圓代工  

DRAM廠想靠DDR3翻身 得先過技術(shù)門檻

  • 　　市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DIGITIMES Research指出，2007年以來，全球DRAM廠商在過度樂觀的預(yù)期下，相繼投入產(chǎn)能擴(kuò)充競(jìng)賽，這也使得DRAM供過于求的陰影揮之不去;自此，DRAM價(jià)格持續(xù)下挫，過去八季中，除龍頭廠商三星電子外，多數(shù)DRAM廠商也都難逃嚴(yán)重虧損的命運(yùn)。 　　其中，德國DRAM制造商奇夢(mèng)達(dá)更因不堪虧損，于2009年第一季宣布破產(chǎn)，自此退出DRAM市場(chǎng)。正因如此，新一代DRAM規(guī)格DDR3的推出，被視為全球DRAM產(chǎn)業(yè)再起的重要關(guān)鍵。 　　DIGITIMES Research指出，事
  • 關(guān)鍵字： 奇夢(mèng)達(dá)  DRAM  DDR3  

DRAM臺(tái)日5家聯(lián)手抗韓 隱見TIMC身影

  • 　　盡管臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司TIMC在立院緊急喊卡，但最近與TIMC洽談合作的日商爾必達(dá)，仍是與臺(tái)灣的茂德、華邦電進(jìn)行業(yè)務(wù)合作，如果加上力晶和瑞晶，也形成臺(tái)日5家DRAM廠，聯(lián)手抗韓的局面，爾必達(dá)系統(tǒng)廠商，未來的市占率和排名第二的韓國海力士，也只有百分之零點(diǎn)三的差距。至于爾必達(dá)與茂德、華邦電的合作，是否由宣明智穿針引線，他則是強(qiáng)調(diào)對(duì)方相當(dāng)重視臺(tái)灣業(yè)界。 　　全球DRAM大廠日商爾必達(dá)，連日來動(dòng)作頻頻，接連與茂德和華邦電進(jìn)行合作計(jì)畫，加上力晶本來就是爾必達(dá)的合作廠商，又握有瑞晶六成四的股份，以爾必達(dá)為首的臺(tái)
  • 關(guān)鍵字： TIMC  存儲(chǔ)器  DRAM  

臺(tái)“立法院”要求“經(jīng)濟(jì)部”停止推動(dòng)DRAM產(chǎn)業(yè)再造計(jì)劃

  • 　　臺(tái)“經(jīng)濟(jì)部”力推「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案計(jì)畫」，在宣布臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司(TIMC)已獲審查通過后，“立法院”經(jīng)濟(jì)委員會(huì)11日提出重要決議，要求“經(jīng)濟(jì)部”停止推動(dòng)DRAM產(chǎn)業(yè)再造計(jì)畫，等同禁止“經(jīng)濟(jì)部”協(xié)助TIMC獲得國發(fā)基金投資。 　　值得注意的是，目前TIMC浮上臺(tái)面投資金主包括矽品、京元電、兆豐金等，潛在投資者更囊括半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)和創(chuàng)投資金，但前提必須是TIMC要明確獲得國發(fā)基金資金挹注，原本投資TIMC
  • 關(guān)鍵字： TIMC  DRAM  

DDR內(nèi)存合約價(jià)格大漲 南科華亞科受惠

  • 　　據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，11月上旬動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)合約價(jià)出爐，DDR2 1Gb與DDR3 1Gb顆粒合約均價(jià)皆大漲超過15%，DDR2 2Gb合約均價(jià)漲幅也達(dá)13.9%，預(yù)估11月下旬DDR2合約價(jià)可望持續(xù)攀高，以合約市場(chǎng)為主的南科、華亞科預(yù)估受惠較大。 　　集邦科技昨最新報(bào)價(jià)，11月上旬DDR2 1Gb顆粒合約均價(jià)達(dá)2.38美元，比10月下旬大漲15.53%;DDR3 1Gb顆粒合約均價(jià)達(dá)2.25美元，大漲15.98%。 　　另DDR2 2Gb合約均價(jià)從36美元上漲到41美元，漲幅達(dá)13.9
  • 關(guān)鍵字： 南科  DRAM  DDR2  DDR3  

DRAM合約價(jià)大漲，今年沒淡季

  • 　　2009年DRAM產(chǎn)業(yè)沒有淡季，11月上旬DDR2和DDR3合約價(jià)持續(xù)大漲近20%，2GB DDR2模塊甚至一度飆到50美元天價(jià)，足見PC OEM廠拉貨力道沒有休息跡象，DRAM廠為確保DDR2和DDR3買氣同步增溫，趁機(jī)向下游廠祭出搭售方式。DRAM廠認(rèn)為，隨著PC OEM廠第4季大量轉(zhuǎn)進(jìn)DDR3平臺(tái)，未來DDR3現(xiàn)貨及合約價(jià)將同步凌駕DDR2，而現(xiàn)貨市場(chǎng)DDR3報(bào)價(jià)亦展開攻勢(shì)，一舉站上3美元大關(guān)。 　　DRAM價(jià)格11月上旬漲幅超乎預(yù)期，2GB DDR2模塊漲勢(shì)尤其猛烈，大漲19~21%，平均價(jià)
  • 關(guān)鍵字： DRAM  DDR2  DDR3  

爾必達(dá)和茂德簽署DRAM代工協(xié)議

  • 　　茂德(ProMos)已和爾必達(dá)(Elpida)簽署DRAM代工合約，爾必達(dá)將提供先進(jìn)的制程技術(shù)與產(chǎn)品技術(shù)給茂德，茂德將以中科12寸晶圓廠提供爾必達(dá)DRAM代工服務(wù)。 　　茂德表示，代工服務(wù)以爾必達(dá)最先進(jìn)的1G DDR3產(chǎn)品為主，預(yù)計(jì)2010年上半完成試產(chǎn)，2010年下半大量生產(chǎn)。此外，爾必達(dá)發(fā)言人Hiroshi Tsuboi表示，茂德每月將使用多達(dá)3.5萬片12寸晶圓為爾必達(dá)制造芯片，同時(shí)，采用65奈米制程技術(shù)。 　　茂德董事長暨總經(jīng)理陳民良表示，爾必達(dá)在全球DRAM產(chǎn)業(yè)中以尖端制程技術(shù)的創(chuàng)新研發(fā)
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集邦：全球DRAM產(chǎn)業(yè)Q3營收季增率高達(dá)40.7％

  • 　　根據(jù)調(diào)查，今年第三季，DDR3在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)廠商積極拉抬PC搭載DDR3比例下，需求量激增，DDR3合約價(jià)在第三季大漲36%，現(xiàn)貨價(jià)也在合約價(jià)的帶動(dòng)下上漲24%。DDR2方面，由于DDR3合約價(jià)格大漲，亦帶動(dòng)DDR2合約價(jià)格的漲勢(shì)，且在第三季國際DRAM大廠轉(zhuǎn)進(jìn)DDR3相當(dāng)積極，導(dǎo)致DDR2出貨量減少效應(yīng)持續(xù)發(fā)酵，部份PC OEM廠商亦已逆向操作增加DDR2的庫存水位，使得本季DDR2合約價(jià)漲幅高達(dá)31%、現(xiàn)貨價(jià)格漲幅亦高達(dá)30%，漲幅與DDR3不惶多讓。 　　第三季各DRAM廠商營收在DDR3合約價(jià)
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  DDR3  DDR2  

TIMC與DRAM產(chǎn)業(yè)再造計(jì)劃

  • 　　2008年DRAM產(chǎn)業(yè)跌落谷底，臺(tái)灣DRAM廠開門做生意平均每天虧新臺(tái)幣1億元，且龐大的負(fù)債成為臺(tái)灣科技產(chǎn)業(yè)的巨大問題，因此經(jīng)濟(jì)部為挽救臺(tái)灣內(nèi)存演產(chǎn)業(yè)，宣布要進(jìn)行產(chǎn)業(yè)再造，成立臺(tái)灣內(nèi)存公司(Taiwan Memory Company;TMC)，之后因?yàn)榇嗣忠驯黄渌咀?cè)，因此改名為Taiwan Innovation Memory Company，簡(jiǎn)稱為TIMC。 　　TIMC正式于2009年7月31日登記成立，董事長為聯(lián)電榮譽(yù)副董事長宣明智，帶領(lǐng)臺(tái)灣內(nèi)存產(chǎn)業(yè)再造的任務(wù)，目的在于協(xié)助臺(tái)灣DRAM產(chǎn)
  • 關(guān)鍵字： TIMC  DRAM  NAND Flash  

產(chǎn)業(yè)明顯好轉(zhuǎn)但是前景仍不明朗

  • 　　全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)受金融危機(jī)的沖擊已經(jīng)一年過去。此次危機(jī)是歷史上最嚴(yán)重的一次，所以盡管各國政府都奮力相救，但是由于受損太嚴(yán)重，產(chǎn)業(yè)的完全康復(fù)仍需要過程與時(shí)間。 　　至此，產(chǎn)業(yè)鏈中各類公司今年前三個(gè)季度的財(cái)報(bào)都已紛紛出籠，正如ICInsight公司所言，如果依季度比較，工業(yè)恢復(fù)的過程十分明顯。今年的Q1是慘不成睹，仍在下降軌跡，半導(dǎo)體的產(chǎn)能利用率在50%以下，各類投資幾乎為零。到Q2時(shí)已經(jīng)看到回升的跡象，但是大部分公司仍陷赤字之中。至Q3結(jié)束時(shí)，部分公司已經(jīng)扭虧為盈，工業(yè)已經(jīng)明顯看到好轉(zhuǎn)的局面，但是與去年
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體  DRAM  

對(duì)DRAM價(jià)格樂觀 力晶停止紓困

  • 　　力晶在DRAM價(jià)格強(qiáng)勁回文件下，將恢復(fù)財(cái)務(wù)自主能力，力晶董事會(huì)2日通過，從明年開始停止紓困，全力正常恢復(fù)營運(yùn)，可望從明年起針對(duì)銀行正常還款。力晶對(duì)第四季價(jià)格仍保持每顆2美元至2.5美元的樂觀預(yù)期，今年第四季將有機(jī)會(huì)轉(zhuǎn)虧為盈。 　　力晶昨日領(lǐng)先各大DRAM廠，率先公布10月營收，由于產(chǎn)能滿載，加上DRAM價(jià)格回文件，該公司10月營收達(dá)42.39億元(新臺(tái)幣，以下同)、較9月大增28%，創(chuàng)下今年以來新高，預(yù)估11月、12月營收將會(huì)維持持續(xù)成長的動(dòng)能。 　　力晶指出，在政府政策與銀行團(tuán)大力支持之下，透過
  • 關(guān)鍵字： 力晶  DRAM  封測(cè)  

臺(tái)系DRAM廠3Q虧損175億元　4Q可望飛越損平點(diǎn)

  • 　　受惠DRAM價(jià)格谷底翻身，臺(tái)系DRAM廠第3季虧損金額大幅縮小，合計(jì)力晶、茂德、南亞科和華亞科4家DRAM廠共虧新臺(tái)幣175億元，累計(jì)前3季虧損731億元，其中茂德虧損最多，華亞科虧損金額最小，展望第4季，DRAM價(jià)格持續(xù)走強(qiáng)越過2.5美元后，頗有朝3美元的實(shí)力，各廠全產(chǎn)能投片后，可望力拼單月?lián)p益兩平，其中力晶旗下瑞晶第3季已轉(zhuǎn)虧為盈，力晶董事長黃崇仁也表示，若報(bào)價(jià)維持在2.5美元水平，第4季也有機(jī)會(huì)擠身獲利之林。 　　DRAM 產(chǎn)業(yè)在2008年此時(shí)受到供過于求嚴(yán)重失衡的影響，虧損嚴(yán)重到一度將存儲(chǔ)器
  • 關(guān)鍵字： 力晶  DRAM  晶圓  

Intel宣布一項(xiàng)技術(shù)突破 內(nèi)存加工工藝可縮小到5納米

  • 　　英特爾和芯片技術(shù)公司Numonyx本周三發(fā)布了一項(xiàng)新技術(shù).這兩家公司稱,這種新技術(shù)將使非易失性存儲(chǔ)器突破NAND閃存的20納米的極限,使加工工藝縮小到5納米,從而更加節(jié)省成本. 　　英特爾研究員和內(nèi)存技術(shù)開發(fā)經(jīng)理Al Fazio星期三向記者解釋說,這種技術(shù)產(chǎn)生的堆疊內(nèi)存陣列有可能取代目前DRAM內(nèi)存和NAND閃存的一些工作.這種技術(shù)甚至能夠讓系統(tǒng)設(shè)計(jì)師把一些DRAM內(nèi)存和固態(tài)內(nèi)存的一些存儲(chǔ)屬性縮小到一個(gè)內(nèi)存類. 　　This image shows phase-change memory bu
  • 關(guān)鍵字： Intel  5納米  DRAM  NAND  
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3d dram介紹

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