3d dram 文章進(jìn)入3d dram技術(shù)社區(qū)

上網(wǎng)本LED背光是未來主流

　　DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)、顯示和背光對(duì)于上網(wǎng)本來說是較耗電的部分。現(xiàn)在在芯片組上Intel、VIA和AMD公司均已提出將推出大幅降低功耗的產(chǎn)品，因此后續(xù)改為采用較省電的DDR3以及LED背光方式能夠使上網(wǎng)本更節(jié)能。　　由于本身相關(guān)芯片均比筆記本電腦的功率需求低，所以上網(wǎng)本相對(duì)有較高的電池使用時(shí)間?，F(xiàn)在的電源方案與筆記本電腦應(yīng)該是相同的設(shè)計(jì)思路，未來的電源設(shè)計(jì)可能會(huì)有一些改變，但還需要市場(chǎng)的認(rèn)同。　　我們可以提供PWMIC(電源管理集成電路)、LDO(低壓差線性穩(wěn)壓器)和MOSFET。這些
關(guān)鍵字： Intel DRAM DDR3 LED背光

2013年閃存需求規(guī)模將達(dá)到08年的11倍

　　根據(jù)配備各種存儲(chǔ)器的電子終端等的產(chǎn)量，筆者預(yù)測(cè)了2013年之前NAND型閃存和DRAM的需求走勢(shì)。預(yù)測(cè)結(jié)果為，1990年代曾經(jīng)拉動(dòng)半導(dǎo)體元件投資增長(zhǎng)的DRAM即將完成其使命，NAND型閃存將取而代之，一躍成為投資主角。　　按8Gbit產(chǎn)品換算，NAND需求規(guī)模將達(dá)到400億個(gè) 　　《日經(jīng)市場(chǎng)調(diào)查》的調(diào)查結(jié)果顯示，按8Gbit產(chǎn)品換算，2013年NAND型閃存的需求規(guī)模將達(dá)到約400億個(gè)。這一規(guī)模相當(dāng)于2008年的11倍左右。支持需求增長(zhǎng)的產(chǎn)品是個(gè)人電腦用SSD(固態(tài)硬盤)。不過，SSD市場(chǎng)要到2
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名家觀點(diǎn):臺(tái)灣半導(dǎo)體業(yè)大有可為

　　臺(tái)灣芯片產(chǎn)業(yè)正走在十字路口上，今天的決定可能影響業(yè)界未來多年的方向與活力。　　目前臺(tái)灣的DRAM公司太多，又都債臺(tái)高筑，政府急于整合DRAM產(chǎn)業(yè)，因而創(chuàng)設(shè)臺(tái)灣記憶體公司(TMC)，推動(dòng)整合。政府也終于處理迫切需要改變的半導(dǎo)體大陸投資政策。　　民間半導(dǎo)體業(yè)者也做好改變的準(zhǔn)備，張忠謀回任臺(tái)積電董事長(zhǎng)，準(zhǔn)備領(lǐng)導(dǎo)臺(tái)積電進(jìn)軍大陸市場(chǎng)。聯(lián)電也把自己和大陸和艦半導(dǎo)體的關(guān)系正?；?，準(zhǔn)備迎接即將來臨的改變。　　臺(tái)積電與聯(lián)電深知下一階段的成長(zhǎng)機(jī)會(huì)在大陸，也深知如果要成為大陸半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)廠商，必須做好全力打進(jìn)市場(chǎng)
關(guān)鍵字：臺(tái)積電 DRAM

美光新加坡廠年底導(dǎo)入40納米　為明年大戰(zhàn)暖身

　　三星電子(Samsung　Electronics)、海力士(Hynix)40納米制程開始試產(chǎn)，爾必達(dá)(Elpida)也考慮在2010年直接從65納米跳至40納米制程，美光計(jì)劃年底在新加坡12寸廠率先導(dǎo)入40納米制程，將成為美光旗下第1個(gè)導(dǎo)入40納米制程的廠房，為2010年40納米大戰(zhàn)來臨作暖身!美光指出，雖然現(xiàn)在多家DRAM廠開始復(fù)工生產(chǎn)，但多是采用落后制程生產(chǎn)，也很難募得新資金升級(jí)機(jī)器設(shè)備，因此不認(rèn)為全球DRAM產(chǎn)業(yè)供需會(huì)因此惡化。　　美光表示，2009、2010年對(duì)美光而言，最大的挑戰(zhàn)是從目前
關(guān)鍵字： Samsung 40納米 DRAM

美光：TMC模式不會(huì)成功

　　隨著TMC股東和班底逐漸浮上臺(tái)面，美光(Micron)和臺(tái)塑集團(tuán)將加速送出整合計(jì)畫書，美光在臺(tái)代表暨華亞科執(zhí)行副總勒松言(Michael Sadler)表示，TMC模式不會(huì)成功，即使成功亦不會(huì)解決臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)問題，但臺(tái)系DRAM廠并不會(huì)步上奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda)后塵，因?yàn)榕_(tái)灣12寸廠產(chǎn)能相當(dāng)吸引人，不會(huì)像奇夢(mèng)達(dá)倒了都還找不到買主，而美光在臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)布局策略，除華亞科之外，亦將尋求與其它DRAM廠合資(JV)機(jī)會(huì)。　　現(xiàn)階段TMC還未有產(chǎn)能奧援，初期定位以利基型存儲(chǔ)器公司作出發(fā)，采取爾必
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三星計(jì)劃升級(jí)美國(guó)內(nèi)存芯片工廠裁員500人

　　三星電子正計(jì)劃對(duì)美國(guó)德克薩斯州奧斯汀的一處內(nèi)存芯片工廠進(jìn)行升級(jí)改造，這一過程中將裁員500人。　　三星奧斯汀半導(dǎo)體公司將投資5億美元將對(duì)該工廠進(jìn)行改造。該工廠將于10月份關(guān)閉，改造工作將于2009年末至2010年初開始。　　今年早些時(shí)候，三星奧斯汀半導(dǎo)體公司在三星電子的大規(guī)模重組中裁員20人。該公司在當(dāng)?shù)負(fù)碛袃杉夜S，分別生產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片和NAND閃存芯片。
關(guān)鍵字：三星內(nèi)存芯片 DRAM NAND

飛索半導(dǎo)體瘦身專攻嵌入式和IP授權(quán)兩大業(yè)務(wù)

　　“2009年一定會(huì)有一些閃存或者DRAM廠商倒閉，產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)一步整合是必然趨勢(shì)，而剩下的閃存或DRAM廠商要想生存，就必需盡快尋找到自己的重生之道。”8月11日，全球最大的NOR閃存廠商Spansion(飛索)公司企業(yè)營(yíng)銷總監(jiān)John Nation抵京，他帶來了Spansion最新的第二季度財(cái)務(wù)狀況，以及公司為脫離破產(chǎn)保護(hù)而進(jìn)行的戰(zhàn)略調(diào)整。　　Spansion是全球最大的NOR型閃存制造商，也是全球最大一家專門出品閃存的企業(yè)。　　今年3月1日，Spansion公司宣布，根
關(guān)鍵字： Spansion DRAM 閃存

矽品將投資臺(tái)灣新成立DRAM公司TMC

　　臺(tái)灣新成立DRAM公司——臺(tái)灣創(chuàng)新記憶體公司(TMC)擬于第四季投入市場(chǎng)的計(jì)劃正進(jìn)入沖刺階段，臺(tái)灣半導(dǎo)體封測(cè)廠矽品周四表示，董事會(huì)通過將投資TMC普通股，金額10-20億臺(tái)幣，為首家表態(tài)將投資TMC的企業(yè)。　　矽品發(fā)言人江百宏表示，“決定投資主要是看好TMC與日本爾必達(dá)的合作模式，而且這是政府支持的產(chǎn)業(yè)再造計(jì)劃。” 　　TMC公司人士則是不予置評(píng)。　　為了整合臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)，“經(jīng)濟(jì)部”在今年3月便宣布主導(dǎo)成立TMC，由
關(guān)鍵字： TMC DRAM

耶魯大學(xué)和SRC共同研制出高性能鐵電存儲(chǔ)器

　　耶魯大學(xué)的研究人員和Semiconductor Research Corp (SRC)稱利用鐵電材料制作存儲(chǔ)器來代替DRAM和閃存非常合適。目前DRAM技術(shù)必須每幾個(gè)毫秒就刷新一下，而鐵電存儲(chǔ)器可以持續(xù)幾分鐘而無需刷新。　　耶魯大學(xué)和SRC的研究人員制成了一種用于FeDRAM的鐵電晶體管實(shí)驗(yàn)樣品，該FeDRAM保存信息的時(shí)間比DRAM長(zhǎng)1000倍，而功耗僅為DRAM的1/20，而且尺寸可以縮至ITRS上的最先進(jìn)節(jié)點(diǎn)。　　“我們的存儲(chǔ)器的速度至少和DRAM一樣快，但尺寸和閃存一樣小，
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 DRAM 閃存 FeDRAM

爾必達(dá)問題出在推遲代工業(yè)務(wù)

　　爾必達(dá)和Numonyx已經(jīng)推遲它們的代工計(jì)劃達(dá)6個(gè)月。NOR閃存大廠Numonyx原本與爾必達(dá)簽約的第一個(gè)代工訂單，計(jì)劃在2009年中期開始量產(chǎn)，如今要推遲到2010年的上半年。　　盡管近期DRAM價(jià)格回升及日本政府為爾必達(dá)注資，可是對(duì)于存儲(chǔ)器制造商爾必達(dá)最大的問題是如何生存下來。顯然爾必達(dá)還不可能如奇夢(mèng)達(dá)同樣的命運(yùn)，退出存儲(chǔ)器。但是日本存儲(chǔ)器制造商需要經(jīng)濟(jì)剌激，因?yàn)閺拈L(zhǎng)遠(yuǎn)看能生存下來可能是個(gè)奇跡。　　前些時(shí)候爾必達(dá)CEO己經(jīng)把爾必達(dá)的生存問題提高到日本國(guó)家的利益上。但是仍有人質(zhì)疑為什么要支持
關(guān)鍵字：爾必達(dá) DRAM 50nm 40nm

各界看DRAM業(yè)市場(chǎng)及因應(yīng)之道

　　DDR3需求暢旺，市場(chǎng)缺口本季仍無法滿足，南科、華亞科、力晶等本土DRAM廠陸續(xù)放大DDR3投片量，搶食商機(jī)。　　在英特爾CULV平臺(tái)帶動(dòng)需求下，DDR3價(jià)格走勢(shì)凌厲。根據(jù)集邦科技(DRAMe change)報(bào)價(jià)，1Gb DDR3現(xiàn)貨價(jià)格已從第二季末的1.5美元附近，近期已站穩(wěn)2.15美元以上，本季以來漲幅逾43%。　　盡管DDR2最近也開始展開漲價(jià)行情，但現(xiàn)貨價(jià)仍在1.45美元附近，DDR3與DDR2仍有近五成的價(jià)差，價(jià)格優(yōu)勢(shì)帶動(dòng)下，將有助推升業(yè)者營(yíng)運(yùn)。　　在DDR3效應(yīng)推升下，市調(diào)機(jī)構(gòu)
關(guān)鍵字：力晶 DRAM DDR3 CULV

臺(tái)灣媒體：奇夢(mèng)達(dá)資產(chǎn)拍賣大陸撿便宜

　　曾經(jīng)是歐洲最大內(nèi)存廠的奇夢(mèng)達(dá)進(jìn)入資產(chǎn)拍賣階段，而此舉剛好給了大陸切入內(nèi)存產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的大好時(shí)機(jī)!浪潮集團(tuán)將于8月中收購(gòu)奇夢(mèng)達(dá)西安研發(fā)中心，至于蘇州封測(cè)也傳出將由華潤(rùn)集團(tuán)接手，而這些收購(gòu)公司背后都有國(guó)資背景，顯見在官方撐腰并下指導(dǎo)棋的情況下，大陸內(nèi)存產(chǎn)業(yè)鏈終于完備。　　德國(guó)內(nèi)存龍頭廠奇夢(mèng)達(dá)確定遭到市場(chǎng)淘汰，并已正式進(jìn)入資產(chǎn)拍賣階段。目前奇夢(mèng)達(dá)的資產(chǎn)包括6大研發(fā)中心、美國(guó)的弗吉尼亞與德國(guó)的德勒斯登12吋晶圓廠，以及大陸、葡萄牙、馬來西亞的后段封測(cè)廠。至于奇夢(mèng)達(dá)在大陸的基地，只有西安的研發(fā)中心與蘇州的內(nèi)存后
關(guān)鍵字：奇夢(mèng)達(dá) 晶圓服務(wù)器 DRAM NAND

分析師擔(dān)心:臺(tái)灣存儲(chǔ)業(yè)能否籌足資金實(shí)現(xiàn)復(fù)蘇

　　據(jù)金融時(shí)報(bào)報(bào)道，盡管有跡象表明，臺(tái)灣的DRAM存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)可能擺脫為期三年的低迷，但分析師和高管仍然認(rèn)為，臺(tái)灣可能無法充分利用改善中的市場(chǎng)前景。分析師普遍擔(dān)心臺(tái)灣DRAM存儲(chǔ)芯片公司是否能籌足現(xiàn)金，為工廠引進(jìn)50納米技術(shù)。　　DRAM芯片是每臺(tái)計(jì)算機(jī)不可缺少的部分，但該產(chǎn)業(yè)的過度擴(kuò)張導(dǎo)致產(chǎn)品價(jià)格大幅下跌，過去三年累計(jì)虧損150億美元。　　而經(jīng)濟(jì)危機(jī)更加深了該行業(yè)的困境，唯一的歐洲領(lǐng)先DRAM存儲(chǔ)芯片廠商德國(guó)奇夢(mèng)達(dá)今年破產(chǎn)。　　臺(tái)灣南亞科技，——世界排名第五，上周稱公
關(guān)鍵字： TMC DRAM 50納米存儲(chǔ)芯片 DDR3

爾必達(dá)：計(jì)劃明年轉(zhuǎn)向40nm制程技術(shù)

　　8月7日消息據(jù)透露，為了防止在與韓國(guó)對(duì)手的競(jìng)爭(zhēng)中落在后面，日本爾必達(dá)內(nèi)存公司計(jì)劃明年內(nèi)轉(zhuǎn)向使用40nm制程技術(shù)，而在40nm制程技術(shù)完全成熟之前，爾必達(dá)將采用50nm制程技術(shù)作為過渡性的制程技術(shù)。目前，爾必達(dá)公司剛剛在65nm制程技術(shù)基礎(chǔ)上開發(fā)出了60nm制程技術(shù)。不過爾必達(dá)曾計(jì)劃直接跳過50nm制程進(jìn)入40nm階段，但由于受到經(jīng)濟(jì)危機(jī)的影響未能成行。　　目前韓國(guó)三星電子已經(jīng)在使用40nm 6F2技術(shù)生產(chǎn)內(nèi)存芯片，而到40nm制程技術(shù)成熟時(shí)，三星還將推出4F2技術(shù)。　　美國(guó)鎂光公司則已經(jīng)
關(guān)鍵字：爾必達(dá) DRAM 40nm 50nm 60nm

DRAM廠40納米開戰(zhàn)　50納米恐曇花一現(xiàn)

　　臺(tái)系DRAM廠身陷財(cái)務(wù)泥淖且制程停留在70納米制程，然國(guó)際大廠卻提前引爆40納米制程大戰(zhàn)!三星電子(Samsung Electronics)40納米制程產(chǎn)品已開始送樣，美光(Micron)產(chǎn)品亦趨近成熟，2010年將加入戰(zhàn)局，爾必達(dá)(Elpida)這次雖沒趕上50納米世代，差點(diǎn)出現(xiàn)世代交替斷層危機(jī)，公司內(nèi)部已研擬2010年將略過50納米世代，直接跳到40納米，50納米恐成短命制程，未來真正決戰(zhàn)點(diǎn)會(huì)是40納米制程技術(shù)。　　三星、海力士(Hynix)、美光等DRAM大廠2009年紛轉(zhuǎn)進(jìn)50納米制程，且
關(guān)鍵字： DRAM 40納米 60納米 50納米