EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
3d dram
3d dram 文章 進(jìn)入3d dram技術(shù)社區(qū)
美國(guó)承諾介入海外芯片廠商補(bǔ)貼問題
- 據(jù)國(guó)外媒體今日?qǐng)?bào)道,在美國(guó)閃存芯片廠商美光科技提出投訴后,美國(guó)政府承諾就日本最大電腦閃存廠商必爾達(dá)的補(bǔ)貼問題向日本和中國(guó)臺(tái)灣施加壓力。 美國(guó)貿(mào)易代表榮·基克(Ron Kirk)向愛達(dá)荷州共和黨參議員邁克·卡拉普(Mike Crapo)致函,承諾會(huì)通過世界貿(mào)易組織以及單獨(dú)會(huì)晤擁有半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的國(guó)家,要求日本和中國(guó)臺(tái)灣就補(bǔ)貼問題提供更多信息。愛達(dá)荷州是美光科技的總部所在地。 基克在這封9月24日的信件中表示:“我們理解這個(gè)問題對(duì)你和對(duì)美國(guó)DRAM芯片制造商
- 關(guān)鍵字: 閃存芯片 DRAM
臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)發(fā)展的轉(zhuǎn)折點(diǎn)
- 由于DRAM產(chǎn)業(yè)過度擴(kuò)產(chǎn),加上金融風(fēng)暴的襲擊,2008年全球DRAM產(chǎn)業(yè)面臨最大規(guī)模的衰退,全球廠商無一幸免,德國(guó)業(yè)者Qimonda更因此宣告破產(chǎn)。鑒于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對(duì)于電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵及關(guān)聯(lián)性,以及產(chǎn)業(yè)崩盤可能衍生的問題,近來引發(fā)不同立場(chǎng)的討論,救與不救,正反意見相互沖擊
- 關(guān)鍵字: DRAM 電子產(chǎn)業(yè)
Uni-chem收購(gòu)Hynix美國(guó)DRAM廠 轉(zhuǎn)產(chǎn)太陽能電池
- 南韓皮革供貨商Uni-chem Co. 26日在接受專訪時(shí)表示,該公司將斥資5,000萬美元買下南韓內(nèi)存芯片大廠Hynix Semiconductor Inc.位于美國(guó)奧勒岡州猶吉尼市已停止運(yùn)作的DRAM廠。根據(jù)報(bào)導(dǎo),Uni-chem計(jì)劃利用該座廠房生產(chǎn)太陽能電池,以便開拓新事業(yè)。Uni-chem主要供應(yīng)皮革給現(xiàn)代汽車、起亞汽車以及Burberry、Coach等豪華精品商。 根據(jù)報(bào)導(dǎo),Uni-chem甫于2009年8月收購(gòu)太陽能電池企業(yè)Spire Corp.子公司Spire Solar Syst
- 關(guān)鍵字: Hynix DRAM 晶圓
英特爾:為產(chǎn)業(yè)融合而重組
- 英特爾在2005年1月17日重組的4年之后,于2009年9月14日再次對(duì)其組織架構(gòu)大刀闊斧地進(jìn)行了重組。 坊間著實(shí)對(duì)此熱議了一陣。從這些文章的標(biāo)題看,有就事論事說主要產(chǎn)品部門整合到英特爾架構(gòu)事業(yè)部的,也有說重組是為了給CEO歐德寧騰出時(shí)間專注企業(yè)戰(zhàn)略的,還有說是因?yàn)橹袊?guó)讀者熟悉的基辛格離職去了EMC的,而筆者發(fā)現(xiàn)最多而又最離譜的文章標(biāo)題是《英特爾重組 為物色CEO接班人做準(zhǔn)備》。 西方現(xiàn)代管理制度強(qiáng)調(diào)的是因事用人,而因人設(shè)事最為忌諱。事實(shí)上,英特爾自創(chuàng)始以來,從諾伊斯到摩爾再到貝瑞特直到現(xiàn)
- 關(guān)鍵字: 英特爾 CPU 存儲(chǔ)器 DRAM
三星DRAM芯片停止對(duì)臺(tái)供貨
- 三星電子(Samsung Electronics)2009年隨著新經(jīng)營(yíng)團(tuán)隊(duì)上任,營(yíng)運(yùn)策略出現(xiàn)不少重大轉(zhuǎn)變,將影響存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)生態(tài),三星日前決定全面停止對(duì)臺(tái)銷售DRAM芯片,一律只銷售DRAM模塊。存儲(chǔ)器廠表示,三星策略明顯側(cè)重OEM市場(chǎng),減少與現(xiàn)貨客戶合作,就連NAND Flash芯片供貨策略,亦同樣以消費(fèi)性電子大廠為優(yōu)先,尤其近期PC廠對(duì)于DRAM模塊需求強(qiáng)勁,三星供應(yīng)臺(tái)灣DRAM模塊數(shù)量大減,市場(chǎng)日前甚至喊出 1條DDR2模塊40美元天價(jià)。 存儲(chǔ)器業(yè)者指出,三星2009年在全球供貨策略出現(xiàn)許多
- 關(guān)鍵字: Samsung DRAM NAND
TMC爭(zhēng)取政府注資 低于百億新臺(tái)幣
- 臺(tái)灣創(chuàng)新內(nèi)存公司(TMC)召集人宣明智28日再度前往“經(jīng)濟(jì)部”,與新任“經(jīng)濟(jì)部”長(zhǎng)施顏祥見面,爭(zhēng)取TMC營(yíng)運(yùn)資金。據(jù)了解,TMC規(guī)劃,政府注資金額低于100億元(新臺(tái)幣,下同),由于金額遠(yuǎn)低于官方與業(yè)界原預(yù)期,一般認(rèn)為TMC將可如愿獲得政府注資,正式邁入營(yíng)運(yùn)。 DRAM現(xiàn)貨價(jià)直逼2美元,DRAM廠即將邁入轉(zhuǎn)盈之際,TMC仍然積極運(yùn)作。施顏祥先前擔(dān)任經(jīng)濟(jì)部常務(wù)次長(zhǎng)時(shí),便負(fù)責(zé)協(xié)助TMC籌劃與溝通等重要工作,與宣明智互動(dòng)密切。這是施顏祥就任“
- 關(guān)鍵字: TMC DRAM
制程差距擴(kuò)大 臺(tái)灣DRAM廠隱憂
- 臺(tái)灣DRAM大廠南科宣布8億股現(xiàn)金增資計(jì)劃,預(yù)計(jì)籌措100億元以上資金,全數(shù)投入50納米制程,以及償還公司債,盡管DRAM現(xiàn)貨價(jià)格已站上每顆2美元,時(shí)間點(diǎn)來得比預(yù)期早,國(guó)內(nèi)DRAM廠暫時(shí)度過最艱困的時(shí)刻,但三星半導(dǎo)體將在明年把40納米推升為生產(chǎn)線主力,成本大幅降低的優(yōu)勢(shì),勢(shì)必更加顯著,臺(tái)廠與國(guó)外一線大廠的苦戰(zhàn)還是難免。 由于DDR2過渡至DDR3面臨產(chǎn)能轉(zhuǎn)換的瓶頸期,導(dǎo)致DDR3產(chǎn)能不足,進(jìn)一步拉抬DDR2價(jià)格,原本內(nèi)存模塊廠預(yù)測(cè),今年第四季底,DDR2現(xiàn)貨價(jià)才有機(jī)會(huì)達(dá)到2美元,但根據(jù)集邦科技報(bào)
- 關(guān)鍵字: 南科 50納米 40納米 DRAM
南亞科擬再募資上百億元
- DRAM大廠南亞科再度宣布籌資計(jì)畫,預(yù)計(jì)辦理8億股的現(xiàn)金增資,籌措資金新臺(tái)幣百億元,用途在于買3廠的機(jī)器設(shè)備和償還到期公司債,目前南亞科積極轉(zhuǎn)換制程到美光(Micron)68奈米制程,約有20~25%產(chǎn)能比重已轉(zhuǎn)換過去,10月目標(biāo)是80%產(chǎn)能都轉(zhuǎn)到68奈米,為未來主力制程50 奈米做暖身,南亞科將挾持臺(tái)塑集團(tuán)的銀彈和美光的技術(shù),成為臺(tái)系DRAM廠聚焦之處。 南亞科在6月發(fā)行10億股的私募,當(dāng)時(shí)由臺(tái)塑集團(tuán)相關(guān)企業(yè)出面認(rèn)購(gòu),募得資金約新臺(tái)幣122.2億元資金,南亞科24日再度宣布將辦理8億股的現(xiàn)金增
- 關(guān)鍵字: 南亞科 DRAM 晶圓
三星對(duì)半導(dǎo)體銷售前景仍謹(jǐn)慎 拒談收購(gòu)Hynix
- 全球最大內(nèi)存芯片制造商三星電子(Samsung Electronics)近日表示,盡管半導(dǎo)體業(yè)已由2年的低迷谷底重振,公司對(duì)前景仍抱持謹(jǐn)慎態(tài)度。 三星電子半導(dǎo)體部門總裁權(quán)五鉉(Kwon Oh-hyun)在中國(guó)臺(tái)灣臺(tái)北舉辦的移動(dòng)解決方案年度論壇上表示,由于政府鼎力相助,此行業(yè)現(xiàn)發(fā)展情況優(yōu)于公司當(dāng)初預(yù)期。然而他指出:“盡管如此,我們抱持的觀點(diǎn)仍偏向謹(jǐn)慎,預(yù)估歐美感恩節(jié)假期時(shí),將是銷售情況的轉(zhuǎn)折點(diǎn)。” 感恩節(jié)假期在美國(guó)落在11月,加拿大則為10月。 權(quán)五鉉另表示,目
- 關(guān)鍵字: Samsung 內(nèi)存芯片 DRAM
年內(nèi)必有存儲(chǔ)廠商倒閉 Spansion進(jìn)行戰(zhàn)略調(diào)整
- “2009年一定會(huì)有一些閃存或者DRAM廠商倒閉,產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)一步整合是必然趨勢(shì),而剩下的閃存或DRAM廠商要想生存,就必需盡快尋找到自己的重生之道。”8月11日,全球最大的NOR閃存廠商Spansion(飛索)公司企業(yè)營(yíng)銷總監(jiān)John Nation抵京,他帶來了Spansion最新的第二季度財(cái)務(wù)狀況,以及公司為脫離破產(chǎn)保護(hù)而進(jìn)行的戰(zhàn)略調(diào)整。 Spansion是全球最大的NOR型閃存制造商,也是全球最大一家專門出品閃存的企業(yè)。 今年3月1日,Spansion公司宣布,根
- 關(guān)鍵字: Spansion DRAM NOR
IC資本支出依然謹(jǐn)慎 供應(yīng)收緊價(jià)格上漲
- 分析師指出,資本支出創(chuàng)下歷史新低使IC市場(chǎng)供應(yīng)收緊,價(jià)格可能隨之上漲,但可能會(huì)發(fā)生其他不可預(yù)料的結(jié)果。 IC Insights總裁Bill McClean稱,今年半導(dǎo)體資本支出在銷售額中所占的比例降至12%,創(chuàng)歷史新低。芯片商在經(jīng)歷了嚴(yán)重衰退后,對(duì)資本投入依然比較謹(jǐn)慎。 “我們還不知道資本支出比例12%意味著什么。”McClean說道,“我們從來沒有遇到過這種情況。” 資本支出比例在2008年為16%,2004年至2007年均在20%至
- 關(guān)鍵字: NAND DRAM
海力士半導(dǎo)體擬售28%股權(quán) 曉星集團(tuán)有購(gòu)買意向
- 據(jù)外電報(bào)道,曉星集團(tuán)表示了收購(gòu)海力士半導(dǎo)體的意向。 海力士股份管理協(xié)商會(huì)主管機(jī)構(gòu)的外換銀行表示,在受理海力士收購(gòu)意向書(L01)截止的最后一天,只有一家企業(yè)提交了意向書。據(jù)了解,這家企業(yè)是曉星集團(tuán)。 外換銀行本月7日向43家企業(yè)發(fā)出了出售通知。該43家企業(yè)包括:公平交易委員會(huì)指定的企業(yè)集團(tuán)當(dāng)中,去年資產(chǎn)總額達(dá)到5萬億韓元以上的29家企業(yè);在2007年和2008年均受到相互出資限制的企業(yè)集團(tuán)中,資產(chǎn)總額達(dá)2萬億韓元以上的14家企業(yè)。 當(dāng)初估計(jì),國(guó)內(nèi)至少會(huì)有4、5家企業(yè)會(huì)對(duì)收購(gòu)海力士有興
- 關(guān)鍵字: 海力士 DRAM 存儲(chǔ)芯片
三星加大DDR3芯片產(chǎn)量緩解市場(chǎng)需求壓力
- 據(jù)報(bào)道,三星芯片部總裁Oh-Hyun Kwon近日在臺(tái)北舉行的三星年度移動(dòng)解決方案論壇上表示,三星正在提高DDR3芯片產(chǎn)量,以緩解目前市場(chǎng)上DDR3芯片供應(yīng)短缺現(xiàn)狀。 Oh-Hyun Kwon指出,DDR3芯片的需求增長(zhǎng)量超過了先前的預(yù)計(jì),導(dǎo)致了DDR3供應(yīng)短缺。不過三星目前已經(jīng)加大了DDR3芯片生產(chǎn)量,以滿足市場(chǎng)的增長(zhǎng)需求,40nm工藝將成為他們明年芯片生產(chǎn)的主要處理技術(shù)。 Oh-Hyun Kwon認(rèn)為,提高產(chǎn)量的方法并不只是多建幾家工廠,技術(shù)升級(jí)將是三星以后提高芯片產(chǎn)量的主要途徑。
- 關(guān)鍵字: 三星 40nm DRAM DDR3
Rambus聯(lián)合金士頓開發(fā)出“線程式內(nèi)存條技術(shù)”
- Rambus公司以往的新聞幾乎都與XDR DRAM的官司有關(guān),不過這次他們則和金士頓合作開發(fā)出了一種可用于增大DDR3內(nèi)存帶寬的技術(shù)“線程式內(nèi)存條技術(shù)”(Threaded memory module)。這種技術(shù)基于現(xiàn)有的DDR3技術(shù),不過將內(nèi)存條上的內(nèi)存芯片進(jìn)行了分塊處理,位于各個(gè)分塊內(nèi)部的芯片共享一個(gè)命令/地址端口,不過數(shù)據(jù)傳 輸部分則可通過各自獨(dú)立的傳輸通道進(jìn)行傳輸,傳輸?shù)奈粚捒蛇_(dá)64字節(jié)(512bit),這樣就可以將傳統(tǒng)DDR3內(nèi)存的帶寬提升50%左右,而且采用這種 技術(shù)
- 關(guān)鍵字: Rambus DRAM DDR3
3d dram介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條3d dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)3d dram的理解,并與今后在此搜索3d dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)3d dram的理解,并與今后在此搜索3d dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473