3d dram 文章進(jìn)入3d dram技術(shù)社區(qū)

內(nèi)存瘋閃存噴存儲(chǔ)業(yè)界漲勢(shì)深度分析

　　9月DRAM價(jià)格猛增13% Flash亦漲4% 　　最近幾個(gè)月來，DRAM價(jià)格連連上漲，同時(shí)也拉升了NAND Flash顆粒的價(jià)格。各大晶圓廠和模組廠也都連連傳出利好消息。雖然各大內(nèi)存廠商的產(chǎn)品訂單和資金流相較2009年年初的金融海嘯時(shí)期已經(jīng)有較大起色，但是這內(nèi)存的價(jià)格上漲也波及到了電子賣場(chǎng)中的零售價(jià)格。那么究竟現(xiàn)在的內(nèi)存產(chǎn)品是怎樣的一個(gè)局面呢，下面小編就給大家來個(gè)深度分析，給你講講這里面的道道。　　9 月的1Gbit DDR2 DRAM的平均報(bào)價(jià)約為 1.70 美元，較上個(gè)月多出了近 13%。
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從CEATEC看2010電子大勢(shì)(四)

液晶電視與電漿電視在高畫質(zhì)、大屏幕和薄型化的競(jìng)賽仍在發(fā)生，但上文中提到，日本電視機(jī)大廠在今年的CEATEC中，紛紛揭橥明年將邁向Full HD 3D的電視世代。本文中將進(jìn)一步解析他們將如何做到對(duì)3D電視的承諾，以及未來的發(fā)展方向
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DRAM價(jià)格再攻新高點(diǎn)！力晶想為瑞晶贖身

　　日系DRAM制造大廠爾必達(dá)(Elpida Memory)取得瑞晶70%以上主導(dǎo)權(quán)，讓瑞晶成為名符其實(shí)的日系公司，惟存儲(chǔ)器業(yè)者透露，當(dāng)初力晶因?yàn)閭鶆?wù)問題，將瑞晶持股賣給爾必達(dá)時(shí)，設(shè)下「買回期限」，在期限內(nèi)有權(quán)再將瑞晶持股買回，因此近期力晶計(jì)劃向爾必達(dá)提出買回瑞晶的持股，惟一切問題都卡在錢關(guān)，力晶營(yíng)運(yùn)開始有現(xiàn)金流入后，將手上資金大力放在增加產(chǎn)能用途，加上2010年初到期的ECB要償還，力晶是否可在「買回期限」籌到錢為瑞晶贖身，市場(chǎng)相當(dāng)關(guān)切。　　隨著DDR2價(jià)格大漲，力晶營(yíng)運(yùn)度過最艱難的時(shí)期，每月開始有
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爾必達(dá)將提高瑞晶電子持股比率超過7成

　　根據(jù)日經(jīng)新聞(Nikkei)報(bào)導(dǎo)，日本半導(dǎo)體大廠爾必達(dá) (Elpida Memory)為強(qiáng)化在臺(tái)灣的生產(chǎn)體系，除了2009年將提高合資企業(yè)瑞晶電子的持股比率超過7成之外，也正研議是否于臺(tái)灣設(shè)立第1個(gè)海外研究開發(fā)據(jù)點(diǎn)。爾必達(dá)計(jì)劃與臺(tái)灣DRAM廠合作，重建事業(yè)版圖，并考量加強(qiáng)對(duì)瑞晶電子的影響力以獲取日臺(tái)合資的主導(dǎo)權(quán)。　　瑞晶電子是爾必達(dá)與臺(tái)灣力晶半導(dǎo)體于2007年合資成立，當(dāng)時(shí)爾必達(dá)出資52%，擁有12寸晶圓廠的制造設(shè)備，每月產(chǎn)能可達(dá)7.5萬片，主要生產(chǎn)一般PC所使用的DRAM。
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3M推出新型3D光學(xué)膜，增強(qiáng)手持設(shè)備立體顯示功能

　　近日，在韓國(guó)國(guó)際電子展上，全球創(chuàng)新巨頭 3M 公司展示了其全新研制的場(chǎng)序 3D 光學(xué)膜，該產(chǎn)品的面試實(shí)現(xiàn)了無需佩戴 3D 眼鏡，就可以在手機(jī)，游戲機(jī)及其他手持設(shè)備中顯示真正的三維立體影像。　　“最近幾年，隨著類似觸摸屏和流視頻等新技術(shù)應(yīng)用，顯著地提升了移動(dòng)設(shè)備的功能。3M 在推動(dòng)這些新技術(shù)的應(yīng)用中功不可沒，而且我們正在使 3D 立體顯示等新一代應(yīng)用功能成為現(xiàn)實(shí)”。3M 光學(xué)產(chǎn)品部全球副總裁 Jim Bauman 先生說，“我們的 3D 光學(xué)膜解決方案通過為用戶提
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從CEATEC看2010電子大勢(shì)(三)

從手機(jī)到智能行動(dòng)上網(wǎng)設(shè)備，再更大的尺寸則是英特爾與微軟主導(dǎo)的PC、NB市場(chǎng)。英特爾這次在CEATEC也有一個(gè)展示區(qū)，展示各家的筆電、MID等產(chǎn)品，不過，由于產(chǎn)品的成熟度已高，比較沒有特殊的新意
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分析師看好全球生產(chǎn)線的擴(kuò)張版圖

　　按SEMI的資深分析師Christian Dieseldorff報(bào)道，SEMI的全球Fab預(yù)測(cè)于2010年時(shí)全球Fab投資再增加64%，達(dá)240億美元。　　ICInsight的McClean認(rèn)為，今年第三季度的全球產(chǎn)能利用率可達(dá)88%，接近去年金融危機(jī)之前的水平。它還認(rèn)為2007年的產(chǎn)能利用率達(dá)90%，一直維持到去年的前三個(gè)季度。之后2008 Q4下降到68%，2009 Q1為最低水平是57%，到09 Q2由于OEM為補(bǔ)充庫(kù)存而使產(chǎn)能利用率又回復(fù)到78%。　
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ASML：客戶下單增溫　微顯影設(shè)備2010年成長(zhǎng)30%

　　半導(dǎo)體市場(chǎng)回溫，ASML市場(chǎng)智庫(kù)總監(jiān)Antonio Mesquida Küsters表示，客戶對(duì)設(shè)備下單需求增溫，他引用研究機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，2010年半導(dǎo)體微顯影設(shè)備可望成長(zhǎng)30%至少達(dá)到40億歐元。尤其晶圓代工領(lǐng)域，經(jīng)過18個(gè)月的壓低資本支出，現(xiàn)在業(yè)者更積極投資擴(kuò)充產(chǎn)能，他個(gè)人亦樂見臺(tái)積電積極擴(kuò)充產(chǎn)能，滿足客戶投單需求的做法。　　Küsters表示，2008 年是變動(dòng)相當(dāng)劇烈的一年，回顧2007年時(shí)研究機(jī)構(gòu)還對(duì)2008年奧運(yùn)所帶來的商機(jī)相當(dāng)樂觀，孰料DRAM價(jià)格快速崩落約65%，緊
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爭(zhēng)議不斷的TMC政策是該檢討了

　　在金融海嘯、全球經(jīng)濟(jì)不景氣期間，由劉內(nèi)閣所推出的半導(dǎo)體業(yè)整并計(jì)劃，最近又出現(xiàn)了新的變化。由于當(dāng)局規(guī)劃整合的TMC公司選擇與日商爾必達(dá)合作，引起美商美光公司不悅，狀告美國(guó)參議員，聲言這是不公平競(jìng)爭(zhēng)，將要求美國(guó)政府貿(mào)易干預(yù)。如果此事成真，則政府投資的經(jīng)費(fèi)將如泥牛入海，全無投資報(bào)酬可言。消息傳出后，不但爾必達(dá)在日本股價(jià)大跌，我們的半導(dǎo)體整并案也陷入極大的不確定性，使?jié)撛谕顿Y者與政府都忐忑不安，前景堪慮。　　對(duì)于美光公司的指控，“經(jīng)濟(jì)部”官員雖然提出答辯，但內(nèi)容顯然不夠完整。工業(yè)局
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宣明智：TIMC營(yíng)運(yùn)計(jì)畫不變　朝利基型市場(chǎng)挺進(jìn)

　　TIMC成立至今尚未正式獲得政府的資金挹注，然美光(Micron)透過美國(guó)政府和WTO施壓，引發(fā)外界認(rèn)為TIMC投資爾必達(dá) (Elpida)的計(jì)畫是否會(huì)生變?宣明智5日認(rèn)為，此事與TIMC成立規(guī)畫和投資爾必達(dá)的計(jì)畫之間沒有關(guān)連性，不明白外界為何會(huì)如此聯(lián)想，同時(shí)TIMC營(yíng)運(yùn)的概況并不會(huì)受到影響。而工業(yè)局在上周也公開力挺表示，TIMC投資爾必達(dá)將有助深化雙方合作，對(duì)于政府推動(dòng)DRAM技術(shù)扎根的策略，相當(dāng)有助益，即使未來TIMC投資爾必達(dá)，并無違反 WTO公平競(jìng)爭(zhēng)的原則。　　由宣明智領(lǐng)軍的TIMC雖然已
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DRAM：全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的推動(dòng)力

　　歷史發(fā)展　　自從1971年Intel公司研發(fā)出lKB的DRAM，距今已近40年，從此開創(chuàng)了DRAM的歷史。DRAM不僅推進(jìn)了電子技術(shù)的前進(jìn)，而且對(duì)各國(guó)半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展也發(fā)揮了舉足輕重、無可取代的巨大作用。　　眾所周知，進(jìn)入上世紀(jì)80年代，隨著大型計(jì)算機(jī)市場(chǎng)擴(kuò)大，DRAM需求巨增。由于當(dāng)時(shí)DRAM技術(shù)要求較低，其特點(diǎn)是量大面廣，勝負(fù)在于大規(guī)模生產(chǎn)技術(shù)，而這正是日本公司的強(qiáng)項(xiàng)。因而盡管日本在LSI(大規(guī)模集成電路)DRAM時(shí)代還落后于美國(guó)兩年，但在“官產(chǎn)學(xué)”舉國(guó)一致的努力下，
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美政府承諾就半導(dǎo)體補(bǔ)貼政策向日本和中國(guó)施壓

　　據(jù)國(guó)外媒體今日?qǐng)?bào)道，在美國(guó)閃存芯片廠商美光科技提出投訴后，美國(guó)政府承諾就日本最大電腦閃存廠商必爾達(dá)的補(bǔ)貼問題向日本和中國(guó)臺(tái)灣施加壓力。　　美國(guó)貿(mào)易代表榮·基克(Ron Kirk)向愛達(dá)荷州共和黨參議員邁克·卡拉普(Mike Crapo)致函，承諾會(huì)通過世界貿(mào)易組織以及單獨(dú)會(huì)晤擁有半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的國(guó)家，要求日本和中國(guó)臺(tái)灣就補(bǔ)貼問題提供更多信息。愛達(dá)荷州是美光科技的總部所在地。　　基克在這封9月24日的信件中表示：“我們理解這個(gè)問題對(duì)你和對(duì)美國(guó)DRAM芯片制造商
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溫度自適應(yīng)性DRAM刷新時(shí)鐘電路

動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器(DRAM)需要通過刷新來保持內(nèi)部的數(shù)據(jù)。為降低存儲(chǔ)器刷新過程的電路功耗，設(shè)計(jì)一種具有溫度自適應(yīng)特性的刷新控制電路。根據(jù)二極管的電流在閾值電壓附近的溫度特性，利用電容充放電的結(jié)構(gòu)，提出一種具有溫度自適應(yīng)特性的刷新時(shí)鐘電路，使存儲(chǔ)器刷新頻率隨電路溫度變化而變化，其趨勢(shì)符合動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的刷新要求。仿真實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，新的電路在保證DRAM信息得到及時(shí)刷新的前提下，有效地降低了其刷新過程中的功耗。
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茂德努力與爾必達(dá)、臺(tái)灣創(chuàng)新內(nèi)存合作

　　美林證券最新出爐的報(bào)告，茂德股價(jià)慘跌，技術(shù)遲遲沒有更新，目前正致力于重整，管理高層表示，內(nèi)部將研發(fā)72納米的技術(shù)來制作 1GB，采用日本內(nèi)存芯片大廠爾必達(dá)(Elpida) 65納米的技術(shù)，但是這項(xiàng)協(xié)議還在洽談之中，目前正在看臺(tái)灣創(chuàng)新內(nèi)存公司(TIMC)合作行動(dòng)內(nèi)存(Mobile DRAM) ，以充足資本額。　　美林證券預(yù)期，茂德今年第4季的營(yíng)業(yè)利益率為負(fù)141%，關(guān)鍵是技術(shù)缺乏競(jìng)爭(zhēng)力，而且晶圓的產(chǎn)能利用率低于 40%，給予“表現(xiàn)低于大盤”評(píng)等，目標(biāo)價(jià)降低19%，從 1.05
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臺(tái)DRAM廠復(fù)活賽　瑞晶、華亞科跑最快

　　隨著DRAM價(jià)格自谷底翻揚(yáng)，原本哀鴻遍野的DRAM廠傳出轉(zhuǎn)虧為盈好消息，具臺(tái)系色彩的瑞晶將搶下頭香，率先于9月開始小幅獲利，第3季可望損益兩平，華亞科則有機(jī)會(huì)接棒，估計(jì)營(yíng)收只要站上40億元大關(guān)，便可跨越損益平衡點(diǎn)、順利轉(zhuǎn)虧為盈。目前除瑞晶和華亞科外，包括茂德、力晶都已現(xiàn)金凈流入，南亞科自有產(chǎn)能亦開始有現(xiàn)金流入，臺(tái)系DRAM廠逐漸走出悲情、迎向春天。　　相較于三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)50奈米制程紛已開始量產(chǎn)，臺(tái)系DRAM廠仍停留在70奈米制程，由于臺(tái)、
關(guān)鍵字： Hynix 50納米 DRAM