3d dram 文章進(jìn)入3d dram技術(shù)社區(qū)

基于3D帽舌助宇航員進(jìn)行太空手術(shù)

近日科學(xué)家為身在國(guó)際空間站或者執(zhí)行火星任務(wù)的宇航員研發(fā)了一種虛擬現(xiàn)實(shí)3D帽舌。佩戴該帽舌的宇航員可以看到覆蓋在現(xiàn)實(shí)世界之上的虛擬圖像，后者能夠輔助宇航員獨(dú)自進(jìn)行外科手術(shù)治療疾病。
關(guān)鍵字： 3D 太空手術(shù) 創(chuàng)新技術(shù)

如何玩轉(zhuǎn)DDR？要先從這五大關(guān)鍵技術(shù)下手

差分時(shí)鐘是DDR的一個(gè)重要且必要的設(shè)計(jì)，但大家對(duì)CK#（CKN）的作用認(rèn)識(shí)很少，很多人理解為第二個(gè)觸發(fā)時(shí)鐘，其實(shí)它的真實(shí)作用是起到觸發(fā)時(shí)鐘校準(zhǔn)的作用。
關(guān)鍵字： DDR 差分時(shí)鐘 DRAM DDR2

移動(dòng)通信發(fā)展與天線技術(shù)的創(chuàng)新

隨著移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的持續(xù)發(fā)展以及物聯(lián)網(wǎng)的高速增長(zhǎng)，移動(dòng)寬帶技術(shù)不斷向前演進(jìn)。移動(dòng)寬帶技術(shù)的發(fā)展刺激了MBB流量的激增。2014年上半年，全球移動(dòng)用戶連接數(shù)預(yù)計(jì)將達(dá)到70億，覆蓋全球96%以上的人口，其中3G和4G移動(dòng)用戶連接數(shù)之和也將達(dá)到24億，占據(jù)全球總量的三分之一以上。這些數(shù)據(jù)表明MBB業(yè) 務(wù)正在快速增長(zhǎng)。
關(guān)鍵字：移動(dòng)通信天線技術(shù) 創(chuàng)新 3D-MIMO 波束智能賦型

存儲(chǔ)“芯”動(dòng)態(tài)：美光擴(kuò)產(chǎn)廣島DRAM廠三星擬擴(kuò)充西安NAND Flash產(chǎn)能

　　多數(shù)手機(jī)以不同存儲(chǔ)規(guī)格來(lái)區(qū)別高配版、標(biāo)準(zhǔn)版，而不同版本之間的差價(jià)可達(dá)到幾百元，這讓我們看到了作為四大通用芯片之一的存儲(chǔ)器的重要性。　　　　半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是一個(gè)高度壟斷的市場(chǎng)，其三大主流產(chǎn)品 DRAM，NAND Flash，NOR Flash 更是如此，尤其是前兩者，全球市場(chǎng)基本被前三大公司占據(jù)，且近年來(lái)壟斷程度逐步加劇。以DRAM和NAND兩種主要存儲(chǔ)芯片為例，2016年第一季度，DRAM市場(chǎng)93%份額由韓國(guó)三星、海力士和美國(guó)美光科技三家占據(jù)，而NAND Flash市場(chǎng)幾乎全
關(guān)鍵字：美光 DRAM

微軟與Rambus合作研發(fā)超低溫DRAM存儲(chǔ)系統(tǒng)

　　量子計(jì)算機(jī)如今已經(jīng)成為科技巨頭們爭(zhēng)奪的新高地，IBM、谷歌都涉獵其中。　　現(xiàn)在，微軟也要在量子計(jì)算領(lǐng)域發(fā)揮能量了。　　半導(dǎo)體技術(shù)公司Rambus最新宣布已經(jīng)與微軟達(dá)成合作，雙方將研發(fā)一種能夠在零下180攝氏度環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行的DRAM系統(tǒng)，為未來(lái)的量子計(jì)算機(jī)服務(wù)。　　Rambus研究所副總裁GaryBronner介紹稱，與微軟的合作旨在零下180攝氏度環(huán)境下提升DRAM系統(tǒng)的容量和運(yùn)算效率，并且降低功耗。　　同時(shí)，高速串行/并行鏈路也能夠在低溫和超導(dǎo)環(huán)境中有效運(yùn)行，從而確保整個(gè)存儲(chǔ)系統(tǒng)在
關(guān)鍵字：微軟 DRAM

第一季PC DRAM合約價(jià)格上漲約三成

　　集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)表示，2017年第一季度的DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收表現(xiàn)再度創(chuàng)下新高。從價(jià)格方面來(lái)看，由于去年第四季嚴(yán)重供不應(yīng)求，多數(shù)PC-OEM廠商選擇提早在去年12月洽談第一季的合約價(jià)以確保供貨穩(wěn)定，使得第一季合約價(jià)再度上漲超過(guò)三成，亦帶動(dòng)其他內(nèi)存類別同步上揚(yáng)，如服務(wù)器內(nèi)存在第一季的價(jià)格上揚(yáng)也相當(dāng)可觀，移動(dòng)式內(nèi)存價(jià)格也有近一成的漲幅。　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出，第一季DRAM總體營(yíng)收較上季大幅成長(zhǎng)約13.4%。從市場(chǎng)面來(lái)觀察，原廠產(chǎn)能增加的效應(yīng)最快在
關(guān)鍵字： DRAM

3D NAND延續(xù)摩爾定律電容耦合效應(yīng)及可靠度仍為技術(shù)關(guān)鍵

　　DIGITIMES Research觀察，2D NANDFlash制程在物理限制下難度加劇，透過(guò)3DNAND Flash制程，無(wú)論是效能及儲(chǔ)存容量提升上都有突破性的改善。 3D NAND Flash可謂為摩爾定律在半導(dǎo)體內(nèi)存領(lǐng)域延伸的一項(xiàng)重要技術(shù)。　　3D NAND Flash依存儲(chǔ)元件儲(chǔ)存機(jī)制可分浮動(dòng)閘極(Floating Gate;FG)及電荷缺陷儲(chǔ)存(Charge Trap;CT);依不同堆棧結(jié)構(gòu)技術(shù)又可分為BiCS、P-BiCS、TCAT、VG-NAND Flash、DC-SF、S-SCG
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麥格理分析師：DRAM和Flash價(jià)格會(huì)持續(xù)漲到年底

　　據(jù)外媒報(bào)道，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)上周出現(xiàn)降溫雜音，麥格理分析師Daniel Kim提出反駁。　　他認(rèn)為下半年DRAM和NAND價(jià)格仍會(huì)續(xù)漲，有利美光、西部數(shù)據(jù)、三星、南亞科、力成、東芝和SK海力士股價(jià)。　　據(jù)巴隆周刊(Barron's)報(bào)導(dǎo)，Daniel Kim發(fā)布報(bào)告說(shuō)：「所有數(shù)據(jù)和消息都表明存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)今年下半年會(huì)比預(yù)期更強(qiáng)。」他看好存儲(chǔ)芯片價(jià)格會(huì)持續(xù)漲到今年底。　　整體來(lái)說(shuō)，Daniel Kim認(rèn)為芯片價(jià)格上漲，即暴露看空論點(diǎn)的瑕疵。　　他指出，建構(gòu)數(shù)據(jù)中心的廠商「重視的是系統(tǒng)的表現(xiàn)而
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傳日本硅晶圓廠下砍大陸訂單優(yōu)先供貨臺(tái)/美/日半導(dǎo)體大廠

　　全球硅晶圓缺貨嚴(yán)重，已成為半導(dǎo)體廠營(yíng)運(yùn)成長(zhǎng)瓶頸，后續(xù)恐將演變成國(guó)家級(jí)的戰(zhàn)火，半導(dǎo)體業(yè)者透露，日本硅晶圓大廠Sumco決定出手下砍大陸NOR Flash廠武漢新芯的硅晶圓訂單，優(yōu)先供貨給臺(tái)積電、英特爾(Intel)、美光(Micron)等大廠，不僅加重NOR Flash短缺情況，日系供應(yīng)商供貨明顯偏向臺(tái)、美、日廠，恐讓大陸半導(dǎo)體發(fā)展陷入硅晶圓不足困境。　　硅晶圓已成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵物資，過(guò)去10年來(lái)硅晶圓產(chǎn)能都是處于供過(guò)于求狀態(tài)，如今硅晶圓卻面臨缺貨，且已缺到影響半導(dǎo)體廠生產(chǎn)線運(yùn)作，尤其是12吋規(guī)
關(guān)鍵字：晶圓 DRAM

一文看懂3D Xpoint！它估將在未來(lái)引爆內(nèi)存市場(chǎng)革命

隨著挑戰(zhàn) 3D Xpoint 的非易失性存儲(chǔ)技術(shù)逐漸出現(xiàn)，傳統(tǒng)的 NAND Flash 依然有很長(zhǎng)的路要走，直到 2025 年，這個(gè)技術(shù)都是安然無(wú)憂的。因此，NAND Flash 暫時(shí)不會(huì)被 3D Xpoint 技術(shù)取代。
關(guān)鍵字：內(nèi)存 DRAM

高盛:DRAM漲勢(shì)將趨冷明年轉(zhuǎn)跌

　　據(jù)外電報(bào)道，高盛判斷，DRAM價(jià)格漲勢(shì)可能在未來(lái)幾季降溫， 2018年價(jià)格也許會(huì)轉(zhuǎn)跌，決定調(diào)降內(nèi)存大廠美光評(píng)等。　　巴倫周刊8日?qǐng)?bào)導(dǎo)，高盛的Mark Delaney報(bào)告表示，過(guò)去四個(gè)季度以來(lái)，DRAM毛利不斷提高。過(guò)往經(jīng)驗(yàn)顯示，DRAM榮景通常持續(xù)四到九季，此一趨勢(shì)代表DRAM多頭循環(huán)已經(jīng)來(lái)到中后段。業(yè)界整合使得本次價(jià)格高點(diǎn)，比以往更高。　　Delaney強(qiáng)調(diào)，和DRAM業(yè)界人士談話發(fā)現(xiàn)，DRAM現(xiàn)貨價(jià)的成長(zhǎng)動(dòng)能放緩，價(jià)格似乎觸頂或略為下滑。 NAND情況較不嚴(yán)重;產(chǎn)業(yè)人士表示，NAND價(jià)
關(guān)鍵字：三星 DRAM

后PC時(shí)代移動(dòng)型DRAM成市場(chǎng)主力

　　三星挾帶存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)龍頭優(yōu)勢(shì)，本季營(yíng)收可望超越英特爾而榮登半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)王座，證明了后PC時(shí)代的到來(lái)，隨著移動(dòng)產(chǎn)業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)及智能汽車產(chǎn)業(yè)興起，讓原先并未擴(kuò)產(chǎn)的存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)成為炙手可熱的領(lǐng)域，也使得三星更加壯大。　　三星本次挾帶自家DRAM及NANDFlash報(bào)價(jià)急速攀升的氣勢(shì)，半導(dǎo)體制造事業(yè)可望躍居產(chǎn)業(yè)龍頭，原因正是DRAM及NANDFlash都受惠于智能手機(jī)搭載需求倍增，在制程轉(zhuǎn)換及產(chǎn)能已數(shù)年未擴(kuò)充等因素作用下，帶動(dòng)存儲(chǔ)器報(bào)價(jià)上漲。　　從DRAM角度來(lái)看，存儲(chǔ)器原廠中，有能力大量產(chǎn)出晶圓的僅有三星、
關(guān)鍵字：英特爾 DRAM

三星投26億擴(kuò)展Line 17工廠10nm級(jí)DRAM內(nèi)存產(chǎn)能

　　三星上月底發(fā)布了2017年Q1季度財(cái)報(bào),營(yíng)收只增加1.5%的情況下凈利潤(rùn)大增46%,其中貢獻(xiàn)最多的就是閃存芯片部門,也就是DRAM內(nèi)存和NAND閃存。時(shí)至今日,DRAM、NAND閃存缺貨、漲價(jià)的情況都沒(méi)有緩解,現(xiàn)在還是供不應(yīng)求,好在三星、SK Hynix、美光等公司也加大了投資力度提升產(chǎn)能,其中三星也要斥資26.4億美元擴(kuò)產(chǎn)Line 17工廠,下半年加速10nm級(jí)DRAM內(nèi)存生產(chǎn)。　　三星前不久才宣布了全球最大的半導(dǎo)體工廠平澤工廠竣工,那個(gè)是針對(duì)NAND閃存的,主力產(chǎn)品將是64層堆棧的3D NAN
關(guān)鍵字：三星 DRAM

新興內(nèi)存百家爭(zhēng)鳴商品化腳步穩(wěn)健向前

　　內(nèi)存是半導(dǎo)體的主力產(chǎn)品之一，目前主要由動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)及具備非揮發(fā)特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項(xiàng)產(chǎn)品。不過(guò)，由于DRAM必須持續(xù)上電才能保存數(shù)據(jù)，NAND Flash又有讀寫速度較DRAM慢，且讀寫次數(shù)相對(duì)有限的先天限制，因此內(nèi)存業(yè)者一直試圖發(fā)展出新的內(nèi)存架構(gòu)，希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非揮發(fā)特性。　　根據(jù)研究機(jī)構(gòu)Tech Insights估計(jì)，包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代內(nèi)存，都已陸續(xù)進(jìn)入小量生產(chǎn)階段。不
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2016年全球前十大半導(dǎo)體業(yè)者排名出爐

　　2016年全球前十大半導(dǎo)體業(yè)者排名出爐。據(jù)IHSMarkit所搜集的數(shù)據(jù)顯示，2016年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的營(yíng)收成長(zhǎng)2%，而前十大半導(dǎo)體業(yè)者的營(yíng)收則成長(zhǎng)2.3%，優(yōu)于產(chǎn)業(yè)平均水平。以個(gè)別產(chǎn)品類型來(lái)看，DRAM與NANDFlash是2016年?duì)I收成長(zhǎng)動(dòng)能最強(qiáng)的產(chǎn)品，成長(zhǎng)幅度超過(guò)30%;車用半導(dǎo)體的市場(chǎng)規(guī)模也比2015年成長(zhǎng)9.7%。　　IHS預(yù)期，由于市場(chǎng)需求強(qiáng)勁，2017年內(nèi)存市場(chǎng)的營(yíng)收規(guī)?？赏賱?chuàng)新高，車用半導(dǎo)體市場(chǎng)的規(guī)模則有機(jī)會(huì)成長(zhǎng)超過(guò)10%。整體來(lái)說(shuō)，2017年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的表現(xiàn)將出現(xiàn)穩(wěn)健成長(zhǎng)。
關(guān)鍵字： DRAM NANDFlash