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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 3d dram

三星美光1xnm DRAM 接連出狀況，市場供貨吃緊仍沒改善

  • 　　自 2016 年中開始，DRAM 內存供貨不足，造成市場價格全面上漲的情況，如今又要多加一個變量。 那就是 DRAM 內存的市場龍頭三星，在 2017 年 2 月中旬陸續(xù)召回部分序號的 18 奈米制程的內存模塊，并且再重新出貨給客戶之后，仍然發(fā)生有瑕疵的狀況。 而且，此事件已影響了名列前茅的 PC 大廠在 DPPM (每百萬臺的不良率) 有大幅提升的狀況。 再加上，不僅是三星出現(xiàn)這樣的情況，連美光 (Micron) 的 17 奈米制程 PC DRAM 內存模塊都有類似的情形發(fā)生，如此也為 2017 年
  • 關鍵字： 三星  DRAM  

紫光國芯第四代DRAM存儲器成功通過科技成果評價

  • 　　2017年3月22日，受工業(yè)和信息化部電子科學技術情報研究所委托，北京中企慧聯(lián)科技發(fā)展中心在北京主持召開由紫光國芯股份有限公司/西安紫光國芯半導體有限公司自主研發(fā)的“高性能第四代DRAM存儲器”科技成果評價會。 　　北京中企慧聯(lián)評價機構嚴格按照《科技成果評價試點暫行辦法》的有關規(guī)定和要求，秉承客觀、公正、獨立的原則，聘請同行專家對該項科技成果進行了評價。評價委員會聽取了項目完成單位的技術總結報告，對評價資料進行了審查，經(jīng)嚴格質詢和充分討論形成了評價意見。 　　 &nb
  • 關鍵字： 紫光國芯  DRAM  

韓國與大陸技術差距僅剩3~5年？SK海力士提前應對專利紛爭

  • 　　大陸存儲器正在迅猛發(fā)展，去年紫光主導的長江存儲在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地引起全球關注，韓國業(yè)界對此評估稱，韓國與大陸廠商間的技術差距僅剩3~5年。有消息指出，為避免再度上演類似過去與Rambus、東芝等半導體同業(yè)間的專利大戰(zhàn)，SK海力士近期特意與專利分析團隊中新成立大陸工作小組，以研究學習大陸商業(yè)法、專利法等相關法律。 　　據(jù)韓媒亞洲經(jīng)濟引述SK海力士內部消息稱，SK海力士的大陸專利分析小組將采取無固定編制、相關成員可自由參與研究學習大陸專利法等相關法律的模式。因大陸半導體技術暫時還
  • 關鍵字： SK海力士  DRAM  

韓國與大陸技術差距僅剩3~5年？SK海力士提前應對專利紛爭

  • 　　大陸存儲器正在迅猛發(fā)展，去年紫光主導的長江存儲在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地引起全球關注，韓國業(yè)界對此評估稱，韓國與大陸廠商間的技術差距僅剩3~5年。有消息指出，為避免再度上演類似過去與Rambus、東芝等半導體同業(yè)間的專利大戰(zhàn)，SK海力士近期特意與專利分析團隊中新成立大陸工作小組，以研究學習大陸商業(yè)法、專利法等相關法律。 　　據(jù)韓媒亞洲經(jīng)濟引述SK海力士內部消息稱，SK海力士的大陸專利分析小組將采取無固定編制、相關成員可自由參與研究學習大陸專利法等相關法律的模式。因大陸半導體技術暫時還
  • 關鍵字： SK海力士  DRAM  

三星 3D NAND 快閃存儲器新廠上半年投產(chǎn)

  • 　　三星電子周二宣布，位在首爾南方的新芯片廠施工進度順利，將如期于 2017 上半年投產(chǎn)。 　　三星新芯片廠于 2015 年動土，共投入 15.6 萬億韓元(約 144 億美元)建廠，為三星史上最大單一產(chǎn)線投資項目。據(jù)三星表示，新廠第一階段施工目前已完成九成。 　　新芯片廠主要用于生產(chǎn)高容量 3D 立體 NAND 快閃存儲器?？扉W存儲器可取代傳統(tǒng)硬盤，并廣泛應用于數(shù)碼相機、智能手機與其他 USB 界面儲存設備。 　　市調機構 DRAMeXchange 日前指出，三星穩(wěn)坐去年第四季 NAND 快閃存儲
  • 關鍵字： 三星  3D NAND   

Micron宣布在臺成立DRAM卓越制造中心

  • 　　Micron 宣布于本月14日成功標得達鴻先進科技的拍賣資產(chǎn)，并將以此建立Micron在臺之后段生產(chǎn)基地。Micron現(xiàn)已取得這新生產(chǎn)基地之所有權。 　　經(jīng)由此收購案， Micron取得與其臺中廠相鄰的無塵室和設備，并將使Micron 的晶圓制造與后段封測得以集中于同一據(jù)點，并專注于建立集中式的后段封測營運。 　　全球制造副總裁Wayne Allan指出：“此舉為Micron在臺建立DRAM卓越制造中心的重要一步。將晶圓制造和后段封測結合在同一地點，構建一個完整連貫的高效制造支援組織，
  • 關鍵字： Micron  DRAM  

DRAM與NAND差別這么大，存儲之爭都爭啥？

  • 　　什么是DRAM?　　DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即動態(tài)隨機存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。 (關機就會丟失數(shù)據(jù))　　工作原理　　動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列地址引腳復用來組成的?！　?nbsp; 
  • 關鍵字： DRAM  NAND  

DRAM邁入3D時代！

  • 平面DRAM最重要也最艱難的挑戰(zhàn)，是儲存電容的高深寬比，為了要延長DRAM這種內存的壽命，在短時間內必須要采用3D DRAM解決方案。
  • 關鍵字： DRAM  NAND  

內存霸主三星擴產(chǎn) 恐讓下半年DRAM漲勢止歇

  • 　　全球內存龍頭三星電子傳出將進行DRAM擴產(chǎn)計劃，業(yè)界認為，由于建廠時間還要兩年，難解今年缺貨窘境，不過受心理層面影響，恐讓下半年DRAM漲勢止歇。 　　三星決定斥資87億美元，擴充南韓華城廠DRAM產(chǎn)能。 三星表示，新產(chǎn)線約需兩年時間建造，將視研發(fā)進度和制程轉換良率，決定生產(chǎn)18nm或更先進制程的DRAM。 　　對于今年DRAM供需，稍早包括南亞科總經(jīng)理李培瑛、創(chuàng)見董事長束崇萬，及威剛董事長長陳立白都表示，今年DRAM因主要供應大廠將產(chǎn)能挪移生產(chǎn)儲存型閃存(NAND Flash)，且只做DRAM
  • 關鍵字： 三星  DRAM  

楊士寧：為何長江存儲決定跨入存儲領域？

  • 　　長江存儲執(zhí)行長楊士寧點出，為何長江決定跨入存儲領域?他表示，半導體組件可分為四大塊領域：首要運算CPU、存儲、通訊及第四部分涵蓋了物聯(lián)網(wǎng)(IoT)感測器、模擬IC等較為分散的領域。然CPU領域行業(yè)生態(tài)較為復雜、通訊芯片領域也已經(jīng)形成fabless+foundry穩(wěn)固態(tài)勢，大舉跨入存儲這一領域仍是大有可為的。楊士寧精準點出了大陸發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略思考。分析指出，大陸當下大力發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)是正確的。 　　楊士寧分析，從半導體存儲器技術分類來看，目前DRAM和NAND閃存儲存的總產(chǎn)值占全球存儲器產(chǎn)業(yè)的95%
  • 關鍵字： 長江存儲  DRAM  

打造臺灣DRAM中心 美光27億買下達鴻廠房

  • 　　美光昨(14)日以新臺幣27.52億元標下TPK-KY宸鴻轉投資公司達鴻臺中廠房。美光表示，標下的臺中廠房未來將用于DRAM先進封測技術發(fā)展，與美光中科及華亞科廠房進行資源整合，打造中國臺灣地區(qū)DRAM中心。 　　達鴻位在中科后里園區(qū)廠房及設備昨由臺中法院委外法拍，最后由美光以新臺幣27.52億元得標，廠房占地約4公頃，土地面積約20，729坪。達鴻于2015年11月5日向臺中地方法院聲請重整及緊急處分，并于隔年7月22日宣告破產(chǎn)，此后臺中法院隨即進行強制拍賣廠房及設備的流程作業(yè)。 　　達鴻為F-
  • 關鍵字： 美光  DRAM  

2017年整體DRAM市場供貨吃緊 第一季價格漲10~15％

  • 　　臺灣南亞科總經(jīng)理李培瑛表示，今年整體DRAM市場供貨吃緊，上半年平均銷售單價持續(xù)走揚，預期第一季平均銷售單價季增10~15%，公司的毛利率相較上季可望有顯著的提升，第二季價格也將續(xù)揚，下半年仍看審慎樂觀，預期價格波動不大。 　　南亞科指出，今年DRAM在供給方面，前三大廠皆以提高新制程比例增加產(chǎn)出為主，并未大幅擴張新產(chǎn)能。 預期2017年供給年成長約20%。 在需求方面，預期2017年DRAM需求成長穩(wěn)定，成長主力來自手機及服務器的搭載量增加，預估整體年增率高于22%。 　　因此，今年DRAM市場
  • 關鍵字： DRAM  

DRAM漲價成為投資動力 美光聯(lián)手華亞科求自保

  • 　　華亞科并入美光后,本月正式更名為美光臺灣分公司桃園廠,美光也計劃擴大投資臺灣,將在臺中建立后段DRAM封測廠,相關投資將在標購達鴻位在后里中科園區(qū)的廠房后立即啟動。 　　美光目前主要生產(chǎn)據(jù)點在桃園和臺中,合并后員工超過6,000人。 　　位于原華亞科的桃園廠主要以20納米制程生產(chǎn)DRAM生產(chǎn)重鎮(zhèn),單月產(chǎn)能10萬片;臺中廠以25納米為主力,月產(chǎn)能逾8萬片,但已進行1x納米制程開發(fā)試產(chǎn),預定下半年正式生產(chǎn)出貨。 　　美光將以臺灣為DRAM主要生產(chǎn)據(jù)點,除制造端外,也計劃往后段和產(chǎn)品應用和設計進行整合
  • 關鍵字： DRAM  美光  

DRAM市場已邁入多元化發(fā)展

  • 　　回顧DRAM(Dynamic Random Access Memory，動態(tài)隨機存取存儲器)的歷史，市場經(jīng)常在供過于求與供不應求之間擺蕩。 　　當市場供不應求之際，DRAM供應商會積極擴廠，大幅增加產(chǎn)能，當新產(chǎn)能加入生產(chǎn)后，市場會陷入供過于求的狀況，DRAM價格快速下跌，DRAM產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值不增反減。 　　在歷經(jīng)多次市場的振蕩后，DRAM產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值在1995年創(chuàng)下當時的歷史新高，高達435億美元。隔年DRAM市場大崩盤，DRAM的平均售價大幅下跌，導致1996年DRAM產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值崩跌至260億美元。
  • 關鍵字： DRAM  三星  

發(fā)展3D NAND閃存的意義

  • “首屆IC咖啡國際智慧科技產(chǎn)業(yè)峰會”于2017年1月14日在上海召開，長江存儲集團公司CEO楊士寧介紹了對存儲器市場的看法，及選擇3D NAND閃存作為主打產(chǎn)品的戰(zhàn)略思考。
  • 關鍵字： 存儲器  3D NAND  DRAM  20170203  
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3d dram介紹

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