3d dram 文章進(jìn)入3d dram技術(shù)社區(qū)

2012年全球存儲(chǔ)器模組廠營(yíng)收排名

全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 根據(jù)記憶體營(yíng)收部分發(fā)布 2012年記憶體模組廠排名調(diào)查，該年度全球模組市場(chǎng)總銷(xiāo)售金額為
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三星3D V-NAND固態(tài)盤(pán)加速企業(yè)閃存進(jìn)化

三星最新的產(chǎn)品是一種面向企業(yè)級(jí)應(yīng)用、高可靠的固態(tài)盤(pán)存儲(chǔ)--V-NAND固態(tài)盤(pán)。最新用于固態(tài)盤(pán)V-NAND技術(shù)帶來(lái)性能上的提升，節(jié)省電力消耗，并提高了急需
關(guān)鍵字：三星 V-NAND 3D 固態(tài)盤(pán)

SK海力士業(yè)務(wù)重整 DRAM、NAND等目標(biāo)并進(jìn)

南韓半導(dǎo)體大廠SK海力士(SK Hynix)將重整業(yè)務(wù)組織，將DRAM、NAND Flash、CMOS影像感測(cè)器(CIS)等三大事業(yè)群分開(kāi)各自營(yíng)運(yùn)，事業(yè)群自行加強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力，而SK海力士
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武漢新芯“3D NAND”項(xiàng)目獲業(yè)內(nèi)權(quán)威專(zhuān)家一致認(rèn)可

武漢東湖新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)管委會(huì)在武漢組織召開(kāi)了武漢新芯“三維數(shù)據(jù)型閃存(3D NAND Flash)技術(shù)開(kāi)發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目可行性專(zhuān)家評(píng)審會(huì)，業(yè)內(nèi)專(zhuān)家對(duì)
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四種閃存設(shè)計(jì)優(yōu)劣點(diǎn)分析

由于閃存比傳統(tǒng)媒介有著更為明顯的優(yōu)勢(shì)，在過(guò)去一年里，閃存的普及率開(kāi)始飆升。不過(guò)，我們總是很難判斷不同閃存產(chǎn)品之間的區(qū)別。在本文中，我
關(guān)鍵字： NFS PCIe NAS DRAM 閃存

SRAM簡(jiǎn)介及與DRAM/SDRAM的比較

RAMRAM是指通過(guò)指令可以隨機(jī)的、個(gè)別的對(duì)各個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行訪問(wèn)的存儲(chǔ)器，一般訪問(wèn)時(shí)間基本固定，而與存儲(chǔ)單元地址無(wú)關(guān)。RAM的速度比較快，但其保
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SSD容量突破關(guān)鍵：3D存儲(chǔ)芯片大揭秘

現(xiàn)在每一個(gè)閃存廠家都在向3D NAND技術(shù)發(fā)展，我們之前也報(bào)道過(guò)Intel 3D NAND的一些信息。5月14日，Intel Richmax舉辦了一場(chǎng)技術(shù)講解會(huì)3D Nand Technical Workshop，I
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提高存儲(chǔ)器子系統(tǒng)效率的三種方法

行業(yè)專(zhuān)家認(rèn)為，對(duì)于一個(gè)典型的大型數(shù)據(jù)中心而言，其50億美元成本的80%左右會(huì)用在設(shè)備的機(jī)械和電子基礎(chǔ)設(shè)施上。對(duì)于數(shù)據(jù)中心服務(wù)器，高功率密度的
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DDR的前世與今生（一）

　　DDR SDRAM全稱(chēng)為Double Data Rate SDRAM，中文名為“雙倍數(shù)據(jù)率SDRAM”。DDR是在原有的SDRAM的基礎(chǔ)上改進(jìn)而來(lái)，嚴(yán)格的說(shuō)DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM，人們習(xí)慣稱(chēng)為DDR。　　說(shuō)到這里，很多人可能會(huì)問(wèn)SDRAM、DRAM、SRAM或者RAM、ROM到底是什么鬼，怎么區(qū)別的?小編還是來(lái)簡(jiǎn)單普及下關(guān)于存儲(chǔ)的基礎(chǔ)知識(shí)吧。　　ROM 和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，ROM是只讀存儲(chǔ)器(Read-Only Memory)的簡(jiǎn)稱(chēng)，是一種只能讀出事先
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存儲(chǔ)器需求動(dòng)能強(qiáng)勁，第四季DRAM合約價(jià)有望再漲逾一成

　　受到第三季進(jìn)入旺季需求帶動(dòng)，存儲(chǔ)器、面板等關(guān)鍵零組件皆終止長(zhǎng)期價(jià)格頹勢(shì)。TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)表示，存儲(chǔ)器在筆電需求回溫、智能手機(jī)延續(xù)強(qiáng)勁成長(zhǎng)態(tài)勢(shì)與服務(wù)器需求增溫帶動(dòng)下，DRAM與NAND Flash第四季價(jià)格預(yù)計(jì)將同步上揚(yáng)，特別是DRAM合約價(jià)第四季估將再漲逾一成。　　供應(yīng)持續(xù)吃緊，DRAM市場(chǎng)至2017年維持健康供需狀態(tài) 　　由于今年中國(guó)品牌智能手機(jī)表現(xiàn)超乎預(yù)期，服務(wù)器出貨也受惠于中國(guó)大陸數(shù)據(jù)中心需求增溫，下半年臺(tái)系服務(wù)器代工廠
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3D NAND競(jìng)爭(zhēng)火熱三星成市場(chǎng)最大贏家

最近隨著SSD采用3D NAND Flash出貨比重越來(lái)越高，許多半導(dǎo)體廠商也開(kāi)始吹起了3D NAND Flash投資熱潮。其中，又以三星電子率先在這場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中獲益最多，取得領(lǐng)先地位。
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3D NAND Flash成產(chǎn)業(yè)發(fā)展突破口

　　存儲(chǔ)器作為四大通用芯片之一，發(fā)展存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)的意義不言而喻。對(duì)電子產(chǎn)品而言，存儲(chǔ)芯片就像糧食一樣不可或缺。它與數(shù)據(jù)相伴而生，哪里有數(shù)據(jù)，哪里就會(huì)需要存儲(chǔ)芯片。而且隨著大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)與信息安全等亦息息相關(guān)。　　當(dāng)前，我國(guó)筆記本、智能手機(jī)出貨量均居全球首位。華為、聯(lián)想等廠商崛起，以及阿里巴巴、騰訊、百度等互聯(lián)網(wǎng)廠商帶動(dòng)數(shù)據(jù)中心爆發(fā)，使得國(guó)產(chǎn)廠商對(duì)存儲(chǔ)需求量巨大。　　相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，2015年大陸DRAM采購(gòu)規(guī)模估計(jì)為120億美元、NAND Flash采購(gòu)規(guī)模為66.7億美元
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2016 DRAM市場(chǎng)回溫優(yōu)于預(yù)期美光贏得外資青睞

　　繼上周日系外資提高存儲(chǔ)器廠美光(Micron)自每股16元的目標(biāo)價(jià)到每股20元之后，30日另一家美系外資的最新研究報(bào)告也指出，在當(dāng)前DRAM市場(chǎng)價(jià)格逐步回穩(wěn)的情況下，加上美光逐步降低成本、提高每股獲利的轉(zhuǎn)變，也將美光的目標(biāo)價(jià)由原本的每股18美元，提高至每股20美元的價(jià)位。　　該外資報(bào)告一開(kāi)始便提及，看好2016年以來(lái)DRAM市場(chǎng)的回溫與產(chǎn)品價(jià)格的回穩(wěn)，而且實(shí)際上的表現(xiàn)還比當(dāng)時(shí)預(yù)估的要好一些。不過(guò)，在當(dāng)前許多供應(yīng)商的產(chǎn)能不足的情況下，2017年DRAM的供應(yīng)依舊是吃緊的。尤其，是在3D NAND閃存
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美大學(xué)突破相變化存儲(chǔ)器技術(shù)　速度較DRAM快逾千倍

　　在全球持續(xù)突破存儲(chǔ)器運(yùn)行速度的努力進(jìn)程中，全球各研究人員均對(duì)于“相變化存儲(chǔ)器”(Phase Change Memory;PCM)領(lǐng)域的研究感興趣，并投入大量時(shí)間從事研發(fā)，最新則是美國(guó)史丹佛大學(xué)(Stanford University)的研究做出了新突破，據(jù)稱(chēng)可讓PCM的運(yùn)行速度較傳統(tǒng)DRAM快上逾1,000倍以上。　　據(jù)Techspot網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)，所謂的相變化存儲(chǔ)器運(yùn)作原理，是指在低阻抗的結(jié)晶態(tài)及高阻抗的非結(jié)晶態(tài)兩種物理狀態(tài)下進(jìn)行移動(dòng)，雖然此技術(shù)在現(xiàn)今全球儲(chǔ)存技術(shù)領(lǐng)域中已展現(xiàn)
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美光移動(dòng)裝置3D NAND解決方案　瞄準(zhǔn)中高階手機(jī)市場(chǎng)

　　美光(Micron)3D NAND固態(tài)硬碟(SSD)產(chǎn)品方才正式面市，緊接又宣布將推出首款針對(duì)移動(dòng)裝置最佳化的3D NAND產(chǎn)品，這也是美光首款支援通用快閃儲(chǔ)存(Universal Flash Storage;UFS)標(biāo)準(zhǔn)之產(chǎn)品。　　美光移動(dòng)事業(yè)行銷(xiāo)副總Gino Skulick在接受EE Times專(zhuān)訪表示，美光為移動(dòng)裝置所推出的首款3D NAND為32GB產(chǎn)品，鎖定中、高階智能型手機(jī)市場(chǎng)，此區(qū)塊市場(chǎng)占全球智能型手機(jī)總數(shù)的50%。　　而這也是業(yè)界首款采用浮動(dòng)閘極(Floating Gate)技
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