美大學(xué)突破相變化存儲(chǔ)器技術(shù)　速度較DRAM快逾千倍

　　在全球持續(xù)突破存儲(chǔ)器運(yùn)行速度的努力進(jìn)程中，全球各研究人員均對(duì)于“相變化存儲(chǔ)器”(Phase Change Memory;PCM)領(lǐng)域的研究感興趣，并投入大量時(shí)間從事研發(fā)，最新則是美國(guó)史丹佛大學(xué)(Stanford University)的研究做出了新突破，據(jù)稱可讓PCM的運(yùn)行速度較傳統(tǒng)DRAM快上逾1,000倍以上。

　　據(jù)Techspot網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)，所謂的相變化存儲(chǔ)器運(yùn)作原理，是指在低阻抗的結(jié)晶態(tài)及高阻抗的非結(jié)晶態(tài)兩種物理狀態(tài)下進(jìn)行移動(dòng)，雖然此技術(shù)在現(xiàn)今全球儲(chǔ)存技術(shù)領(lǐng)域中已展現(xiàn)出許多優(yōu)勢(shì)，不過(guò)仍存有技術(shù)缺陷，即所謂的“延遲”(latency)問(wèn)題。

　　實(shí)際上存儲(chǔ)器在過(guò)去30年來(lái)，在時(shí)脈速率表現(xiàn)上雖已有大幅增加，但在延遲問(wèn)題上卻未見(jiàn)顯著改善，不過(guò)由史丹佛大學(xué)材料科學(xué)與工程系副教授Aaron Lindenberg領(lǐng)軍的研究團(tuán)隊(duì)，則發(fā)現(xiàn)能夠加快PCM運(yùn)行速度的新方法。

　　該團(tuán)隊(duì)透過(guò)每次以幾微微秒(picosecond)時(shí)間為PCM施加0.5THz電脈沖的方式，產(chǎn)生出可測(cè)量的結(jié)晶纖維，這些結(jié)晶纖維理論上可用于儲(chǔ)存資料，且這都發(fā)生在PCM多數(shù)材料仍處在非結(jié)晶態(tài)的物理狀態(tài)下。值得注意的是，這些結(jié)晶纖維都是以微微秒速度所生成。

　　由于傳統(tǒng)DRAM是在毫微秒(nanosecond)的時(shí)間范圍內(nèi)進(jìn)行運(yùn)作，但PCM此次是在微微秒情況下生成可用于儲(chǔ)存資料的結(jié)晶纖維，因此理論上PCM的運(yùn)行速度，可較DRAM快上數(shù)千倍。

　　從先前外流的英特爾(Intel)產(chǎn)品規(guī)劃藍(lán)圖中，可看出英特爾新款Optane固態(tài)硬碟(SSD)可能將于2016年第4季或2017年初，與新一代Kaby Lake處理器一同發(fā)表，由于Optane是基于全新3D XPoint技術(shù)，目前部分外界認(rèn)為，該技術(shù)可能至少部分會(huì)基于PCM原理。

　　即使如此，眼前仍有許多挑戰(zhàn)必須逐一克服，例如當(dāng)前在主機(jī)板上，仍無(wú)法部署THz等級(jí)的電脈沖，主要即THz的訊號(hào)至今仍無(wú)法在印刷電路板(PCB)中非常薄的印刷銅線上良好運(yùn)作。

　　再者，由于全球存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)多年來(lái)市場(chǎng)價(jià)格波動(dòng)難以掌握，以致業(yè)內(nèi)芯片制造商多半對(duì)于改采用新技術(shù)的態(tài)度較為保守，如果新技術(shù)采用未能保證創(chuàng)造長(zhǎng)期穩(wěn)定的獲利，就會(huì)影響業(yè)內(nèi)新技術(shù)的采用，這都成為PCM技術(shù)在未來(lái)是否能夠普及的關(guān)鍵因素。