全球DRAM市場先抑后揚。2015年DRAM收入預計下降2.4%，2016年將下降10.6%，有望在2017年與2018年迎來復蘇。但是，預測隨著中國公司攜本地產品進入DRAM市場，DRAM價格將在2019年再次下降;占2014年內存用量需求20.9%的傳統(tǒng)產品(桌面PC與傳統(tǒng)筆記本電腦)產量預計在2015年下降11.6%，并在2016年進一步下降6.7%。
DRAM市場2016年供過于求
近期，我們對于DRAM市場的預測不會發(fā)生顯著變化;2015年與2016年將遭遇市場總體營收下滑，而在
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3D NAND
大陸紫光集團已確定在大陸華南地區(qū)籌建12寸DRAM廠，并循當年臺塑集團與美光合資華亞科的商業(yè)模式，由紫光出資建廠，再邀請美光等國際大廠入股，解決技術授權問題。
據(jù)了解，此計畫由前華亞科董事長、現(xiàn)為紫光集團執(zhí)行副總裁的高啟全親自操刀，業(yè)界盛傳，日本前爾必達總裁坂本幸雄亦有意加入。
大陸官方自前年成立國家積體電路產業(yè)投資基金(簡稱大基金)后，就有意投入自建記憶體供應鏈，但不論是DRAM或NAND Flash，主要制程專利及矽智財都掌握前國際大廠手中，因此，率先表態(tài)要自建記憶體產能的紫光集團，由
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紫光 DRAM
經濟部統(tǒng)計處資料顯示，臺灣集成電路業(yè)產值雖持續(xù)成長，但去年增率卻是近三年來首見個位數(shù)成長，也結束自2011年以來的上升走勢，臺灣經濟部指出，去年臺灣DRAM產值成長由正轉負，加上晶圓代工成長下滑，整體集成電路業(yè)產值年增率僅6.2%。
臺灣集成電路產值在2014年產值突破兆元大關，去年上半年延續(xù)榮景，較前年同期成長23.9%，但下半年因全球經濟復蘇力道疲弱，尤其新興市場需求明顯下降，抑制終端消費性電子產品銷售成長動能，下半年衰退7.9%。
去年集成電路業(yè)產值增率6.2%，是自2011年低點反
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DRAM 晶圓
3D 打印和增材制造解決方案的全球領導者 Stratasys Ltd.(納斯達克代碼：SSYS)上海分公司與便攜式 3D 測量解決方案和工程服務領域的全球領航者Creaform形創(chuàng)中國，今天聯(lián)合宣布將兩公司的戰(zhàn)略合作拓展至中國大陸與香港地區(qū)。 Stratasys與形創(chuàng)的此次合作，將為市場提供更加整合的3D解決方案，讓用戶得以同時利用前沿的3D掃描技術與3D打印技術，完成從輸入端的產品掃描到輸出端的產品成型，確保工作流程一氣呵成。此次合作將以教
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Stratasys 3D 打印
清華紫光集團所屬的清華控股董事長徐井宏，昨天在瑞士達沃斯的世界經濟論壇現(xiàn)場，接受彭博訪問時坦承，由于美國主管機關豎立的障礙，美光投資案過關的機會渺茫，但紫光集團仍持續(xù)推動與美光或其他公司的合作，希望藉此在記憶晶片與IC領域取得突破。
他表示，紫光集團可能尋求其他與美光的合作方式，例如成立中美合資企業(yè)。
徐井宏也透露，清華紫光集團旗下的3大平臺之中，主攻DRAM的同方國芯，今年將投下約2000億人民幣，再買下兩家海外IC業(yè)者，但沒有透露可能購并對象。
徐井宏也提到，2016紫光集團的海
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紫光 DRAM
三星電子2016年1月19日宣布，已開始量產HBM2標準(HBM：High Bandwidth Memory，高帶寬內存)的4GB DRAM芯片。JEDEC固態(tài)技術協(xié)會12日剛剛宣布HBM2成為JEDEC標準“JESD235A”。
HBM2標準的DRAM芯片的結構。
按照HBM2標準，DRAM芯片內可縱向層疊最大8Gbit的存儲器裸片，裸片之間通過TSV(硅通孔)連接。三星于2014年8月發(fā)布了配備36顆2GB DRAM的64GB服務器用
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三星 DRAM
日前美光(Micron)公布最新1季結果表現(xiàn)不佳，截至2016年2月止第2季展望也不佳，消息傳出后造成股價下跌5%，也讓眾多分析師跌破眼鏡。
評論認為，由于傳統(tǒng)第1季是DRAM價格淡季，而且PC與移動裝置帶動DRAM成長有限，因此DRAM廠商表現(xiàn)黯淡早已可期，但也凸顯美光必須考慮加強布局3D XPoint技術必要性。
據(jù)SemiWiki網(wǎng)站報導，DRAM已成為半導體產業(yè)最終普遍性產品，因此，相當容易受到供需平衡變化而導致價格改變。加上目前正處于需求弱但供應強階段，因此，DRAM廠商欲求好表
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美光 DRAM
慧榮科技公司(Silicon Motion Technology Corporation)宣布推出全球首款支持多家供應商主流3D NAND產品的交鑰匙式企業(yè)版SATA SSD控制器解決方案。這款性能增強的控制器解決方案將有助加快推進最具競爭力的高性能SSD產品在市場上的應用。此次2016年拉斯維加斯消費電子展期間(2016 Consumer Electronics Show)，慧榮科技也將展出其使用了升級版SM2246EN
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慧榮科技 3D NAND
上周，全球3D打印行業(yè)領先企業(yè)3D Systems公司向其旗下消費型的在線3D打印市場Cubify.com的注冊用戶發(fā)送了一封電子郵件，宣布關閉Cubify.com，并停止零售3D打印產品，比如珠寶和手機外殼等。當時這封電子郵件讓很多人難以置信，在即將進入2016年之際，這位3D打印巨頭為什么要突然退出消費零售市場?會不會是該公司的郵件系統(tǒng)被黑了?遺憾的是，2015年12月28日，該公司正式確認了這個消息。
據(jù)了解，3D Systems宣布將撤出“消費級”市場，轉向看似更
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3D Systems 3D打印
迅速邁向“大國”的中國也在世界上引發(fā)摩擦，自主的行為原則與現(xiàn)有的國際秩序不兼容，在經濟減速局面下的經濟改革時而動搖市場，中國的真實情況到底是什么呢。
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紫光 DRAM
2016年中國持續(xù)發(fā)展半導體的策略不變，仍將有許多并購發(fā)生，記憶體方面更是中國發(fā)展的重點項目之一。
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DRAM
DRAM市場供過于求，而分散營收的努力尚待開花結果，導致美光(Micron)最新一季營收、凈利均大幅衰退，本季展望也并不樂觀。
華爾街日報(WSJ)、彭博(Bloomberg)等媒體報導，美光于22日發(fā)布截至12月3日止的2016年會計年度第1季財報，營收衰退26.74%至33.5億美元，凈利衰退79.46%至2.06億美元。
在展望方面，美光預測本季營收將介于29億~32億美元間，每股將虧損0.05~0.15美元，雙雙低于路透(Reuters)預估的34.6億美元及0.22美元的每股盈余
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美光 DRAM
市場是開放了，技術依然要自己發(fā)展，包括華為等過去幾十年發(fā)展起來的巨頭沒有一家是通過市場換技術換來而是通過自身努力崛起的。
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DRAM
美光這次算盤打得好啊，曲線救國了，這下有了籌碼，再也不不用提心吊膽了。
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美光 DRAM
韓國三星電子于2015年12月9日在國際學會“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開發(fā)發(fā)表了演講(論文26.5)。三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，該公司表示其特性非常良好，并表示“采用同樣的方法，可以達到10nm工藝”。 最近，有技術人員指出DRAM的微細化極限是20nm。DRAM在單元中的電容器中儲存電荷，對有電荷狀態(tài)分配1、無電荷狀態(tài)分配0，以此記錄信息。但是，隨著微細化發(fā)展，電容器的表面積越來越小，不能再如愿存儲電荷。因此，業(yè)內通過將電容器做成細長的圓柱狀來確保表面積，也就是
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三星 DRAM
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