3d dram 文章 進(jìn)入3d dram技術(shù)社區(qū)
臺(tái)存儲(chǔ)器重兵集結(jié)MCP戰(zhàn)場(chǎng) 出貨醞釀大爆發(fā)
- 臺(tái)系存儲(chǔ)器供應(yīng)商加速布局利基型產(chǎn)品領(lǐng)域,華邦、旺宏從NOR Flash芯片擴(kuò)展至低階NAND Flash芯片,專攻車用及工控應(yīng)用市場(chǎng),南亞科則布局伺服器、智能型手機(jī)用的低功耗存儲(chǔ)器產(chǎn)品,至于多芯片封裝(Multi-Chip Package;MCP)市場(chǎng)更是兵家必爭之地,在晶豪與聯(lián)發(fā)科成功合作模式激勵(lì)下,旺宏、鈺創(chuàng)亦有意搶進(jìn)MCP戰(zhàn)場(chǎng),并傳出正尋覓合作伙伴共同卡位MCP商機(jī)。 晶豪是最早布局MCP市場(chǎng)的臺(tái)系存儲(chǔ)器供應(yīng)商,過去在SDRAM市場(chǎng)陷入低潮時(shí),晶豪積極尋找新產(chǎn)品成長動(dòng)能,并相中MCP市場(chǎng)成
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DRAM產(chǎn)業(yè)十年一劫,中國全面搶灘市場(chǎng)
- 中國扶植自有DRAM供應(yīng)鏈計(jì)劃浮上臺(tái)面,業(yè)界透露中國將分三個(gè)階段著手,包括扶植大型集團(tuán)建立自有技術(shù)、高關(guān)稅逼迫國際大廠合作、強(qiáng)制品牌系統(tǒng)廠采用, 由于上一輪全球DRAM市場(chǎng)崩盤是在2008年發(fā)生,業(yè)界直指十年一劫的DRAM淘汰賽恐將在2017年再度引爆,對(duì)于既有DRAM業(yè)者SK海力士、美光 (Micron)等恐造成不小沖擊。 半導(dǎo)體業(yè)者表示,中國建立DRAM產(chǎn)業(yè)最難解問題,似乎是如何取得被三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士、美光三大廠所把持的DRAM技術(shù),然事實(shí)上,中
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3D NAND/TLC Flash添力 SSD加速觸及價(jià)格甜蜜點(diǎn)
- 固態(tài)硬碟(SSD)致命弱點(diǎn)--價(jià)格將有顯著突破。日、韓快閃記憶體(Flash)大廠及慧榮、群聯(lián)等SSD控制器廠,正力拱新一代兼顧容量及成本的3D NAND Flash和三層式儲(chǔ)存(TLC)記憶體解決方案,并將于2015~2016年逐漸放量,協(xié)助SSD廠商開發(fā)價(jià)格媲美傳統(tǒng)硬碟的產(chǎn)品,驅(qū)動(dòng)SSD在筆電、工控、企業(yè)端及消費(fèi)性儲(chǔ)存市場(chǎng)出貨量翻揚(yáng)。 慧榮科技產(chǎn)品企畫處副總經(jīng)理段喜亭表示,今年SSD總出貨量將較去年成長一倍以上,主要因素在于SSD開發(fā)商擴(kuò)大導(dǎo)入低成本的3D NAND和TLC Flash,讓終
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Stratasys亮相2015上交會(huì) 以3D打印激發(fā)創(chuàng)新活力
- 3D 打印和增材制造解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者 Stratasys Ltd.上海分公司今日亮相中國(上海)國際技術(shù)進(jìn)出口交易會(huì)(簡稱上交會(huì))。Stratasys大中華區(qū)總經(jīng)理汪祥艮先生于同期舉行的“3D打印知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)暨產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇”上發(fā)表主題演講,分享了在“中國制造2025”的大背景下,3D打印如何以創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)各行業(yè)變革,推動(dòng)“大眾創(chuàng)業(yè),萬眾創(chuàng)新”的時(shí)代浪潮,助力中國制造業(yè)的智能轉(zhuǎn)型。展會(huì)期間,Stratasys發(fā)布了全新的Xtend
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存儲(chǔ)器價(jià)格波動(dòng)大 業(yè)界穩(wěn)定機(jī)制受關(guān)注
- 在經(jīng)歷多次市場(chǎng)價(jià)格的大起大落后,全球存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)業(yè)終于在近年來邁向整合,使得定價(jià)漸趨穩(wěn)定。不過,近來存儲(chǔ)器大廠新帝(SanDisk)接連2季下修預(yù)測(cè)數(shù)據(jù),并歸因于快閃存儲(chǔ)器的價(jià)格下滑,引發(fā)外界質(zhì)疑新興的穩(wěn)定機(jī)制是否為曇花一現(xiàn)的假象,又或現(xiàn)狀僅是個(gè)別公司所遭遇的瓶頸。 據(jù)Barron's Asia報(bào)導(dǎo)指出,眼下雖然存儲(chǔ)器芯片價(jià)格有所衰退,但許多專家仍對(duì)整體產(chǎn)業(yè)抱持樂觀態(tài)度,認(rèn)為與2014年積弱不振的表現(xiàn)相比,快閃存儲(chǔ)器的市場(chǎng)供需平衡現(xiàn)已漸入佳境,多數(shù)問題的發(fā)生恐是因公司而異,并非普遍的業(yè)界趨勢(shì)。
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3D NAND/TLC Flash添力 SSD加速觸及價(jià)格甜蜜點(diǎn)
- 固態(tài)硬碟(SSD)致命弱點(diǎn)--價(jià)格將有顯著突破。日、韓快閃記憶體(Flash)大廠及慧榮、群聯(lián)等SSD控制器廠,正力拱新一代兼顧容量及成本的3D NAND Flash和三層式儲(chǔ)存(TLC)記憶體解決方案,并將于2015~2016年逐漸放量,協(xié)助SSD廠商開發(fā)價(jià)格媲美傳統(tǒng)硬碟的產(chǎn)品,驅(qū)動(dòng)SSD在筆電、工控、企業(yè)端及消費(fèi)性儲(chǔ)存市場(chǎng)出貨量翻揚(yáng)。 慧榮科技產(chǎn)品企畫處副總經(jīng)理段喜亭表示,今年SSD總出貨量將較去年成長一倍以上,主要因素在于SSD開發(fā)商擴(kuò)大導(dǎo)入低成本的3D NAND和TLC Flash,讓終
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服務(wù)器、消費(fèi)性DRAM需求增 三星、SK海力士暫居市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)
- 由韓國企業(yè)主導(dǎo)的半導(dǎo)體DRAM市場(chǎng)上,服務(wù)器、消費(fèi)性電子、通訊設(shè)備占比正逐漸擴(kuò)大。以半導(dǎo)體業(yè)者的立場(chǎng)而言,這意味著可多元化獲利模式,期待可確保穩(wěn)定的供應(yīng)價(jià)格,并阻止后起業(yè)者的進(jìn)軍。 ET News引用市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS 2014年各領(lǐng)域DRAM需求資料指出,PC DRAM比重持續(xù)減少,移動(dòng)裝置、服務(wù)器、通訊、消費(fèi)性電子用DRAM出現(xiàn)大幅度的成長。 PC DRAM 2012年占整體DRAM比重達(dá)57.6%。然桌上型電腦和筆記型電腦市場(chǎng)成長趨緩后,2014年比重下滑到39.6%。2015年預(yù)估將減
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LPDDR4出貨比例成為DRAM廠獲利關(guān)鍵
- 市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce最新調(diào)查顯示,2015年第一季起智慧型手機(jī)出貨積弱不振,季衰退幅度高達(dá)9.2%。盡管第二季展望國際大廠蘋果(Apple)與三星(Samsung)出貨相對(duì)穩(wěn)健,然而智慧型手機(jī)在中國通路的庫存水位仍高,在第二季將持續(xù)庫存去化的情況下,較難看到大幅的出貨成長。第二季全球智慧型手機(jī)預(yù)估季成長6.8%,中國地區(qū)(含中國品牌外銷國外)部分為14.8%,遠(yuǎn)低于過往兩年動(dòng)輒25%以上的季成長。 TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示,2
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智能機(jī)/平板需求帶動(dòng)Mobile DRAM飛躍成長
- 智慧型手機(jī)與平板電腦快速普及,正帶動(dòng)行動(dòng)式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(Mobile DRAM)需求水漲船高,其中智慧型手機(jī)每年所采用的Mobile DRAM數(shù)量,更占全球總出貨量近八成比重,是最主要的應(yīng)用及成長來源。 近年來,行動(dòng)裝置產(chǎn)品因具有高功能性、便利性且兼具時(shí)尚感,成為全球最熱門電子產(chǎn)品,因而驅(qū)動(dòng)其關(guān)鍵零組件行動(dòng)式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(Mobile DRAM)需求快速成長,使之成為DRAM產(chǎn)業(yè)的發(fā)展主流。本文將針對(duì)Mobile DRAM的應(yīng)用面及市場(chǎng)發(fā)展性進(jìn)行探討。 挺進(jìn)手機(jī)/平板市場(chǎng) Mo
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新舊交替啟動(dòng),今年移動(dòng)式存儲(chǔ)器價(jià)格料趨穩(wěn)
- TrendForce最新調(diào)查顯示,2015年第一季起智慧型手機(jī)出貨積弱不振,季衰退幅度高達(dá)9.2%,盡管第二季展望國際大廠蘋果與三星出貨相對(duì)穩(wěn)健,然而,智慧型手機(jī)在中國通路的庫存水位仍高,在第二季度將持續(xù)庫存去化下,較難看到大幅的出貨成長;第二季全球智慧型手機(jī)預(yù)估季成長6.8%,中國地區(qū)(含中國品牌外銷國外)部分為14.8%,遠(yuǎn)低于過往兩年動(dòng)輒25%以上的季成長。 TrendForce旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示,2015年行動(dòng)式存儲(chǔ)器價(jià)格走勢(shì)趨于穩(wěn)定;目前行動(dòng)
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DRAM止跌 華亞科受惠
- DRAM大廠推升制程造成部分產(chǎn)能產(chǎn)出受影響的效應(yīng)逐步發(fā)酵,由于市場(chǎng)供給量降低,帶動(dòng)DRAM價(jià)格止跌,集邦科技統(tǒng)計(jì)近四日主流DDR3 4Gb力守3美元整數(shù)關(guān)卡,蓄勢(shì)反彈,有助南亞科(2408)、華亞科營運(yùn)。 由于市場(chǎng)供給縮減、報(bào)價(jià)止跌,美國記憶體晶片指標(biāo)廠美光上周五(17日)股價(jià)不畏美股重挫279點(diǎn),上演逆轉(zhuǎn)行情,尾盤逆勢(shì)收紅,以28.02美元作收,小漲0.01元,持續(xù)站穩(wěn)各均線,透露市場(chǎng)資金回流。 國際投資機(jī)構(gòu)陸續(xù)對(duì)DRAM市況翻多,美國知名財(cái)經(jīng)網(wǎng)站巴隆(Barron`s.com)近日則引
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傳京東方進(jìn)軍存儲(chǔ)芯片市場(chǎng),看起來很美好?
- 近日,有韓國媒體“中央日?qǐng)?bào)日文版”報(bào)道,我國液晶面板廠京東方 (BOE)有意進(jìn)軍存儲(chǔ)器芯片行業(yè),引發(fā)市場(chǎng)關(guān)注。受到《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》發(fā)布以及國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金成立等利好政策的助推,今年以來包括存儲(chǔ)芯片在內(nèi)的集成電路產(chǎn)業(yè),熱度不斷升高,據(jù)悉積極爭取設(shè)立DRAM廠的地方政府已達(dá)6家。由于全球存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)正處于轉(zhuǎn)型期,加之市場(chǎng)廣闊,即使行業(yè)已趨于高度壟斷,如果政策到位、措施得當(dāng),未來中國切入存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè),依然存在機(jī)會(huì)。 中國積極介入存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè) “作為
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SK海力士全面進(jìn)入20納米級(jí)DRAM時(shí)代
- SK海力士(SK Hynix)中斷生產(chǎn)30納米級(jí)DRAM,全面進(jìn)入20納米級(jí)生產(chǎn)時(shí)代。據(jù)了解,SK海力士在4年前才首度采用38納米制程生產(chǎn)DRAM,不過到2015年第1季,生產(chǎn)效率比30納米級(jí)制程更高的25納米DRAM制程比例,已高達(dá)全體生產(chǎn)的82%。 韓媒Digital Times報(bào)導(dǎo),日前業(yè)界消息傳出,SK海力士的38納米制程到2014年第4季為止,約占全體DRAM生產(chǎn)比例的8%,但從2015年第1季開始已全面轉(zhuǎn)進(jìn)20納米級(jí)制程。全球DRAM市占率第三名的美光(Micron),目前30納米級(jí)
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3d dram介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)3d dram的理解,并與今后在此搜索3d dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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