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力晶黃崇仁：物聯(lián)網(wǎng)需求加持，DRAM產(chǎn)業(yè)前景看俏

  • 　　對于整體DRAM產(chǎn)業(yè)的看法，記憶體廠力晶執(zhí)行長黃崇仁認為，由于過去5年并沒有新產(chǎn)能加入，而需求端則已從個人電腦拓展至伺服器、行動裝置、消費性電子，以及物聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用;在供給有限、需求則不斷成長下，從短期來看，預估明年供不應(yīng)求的缺口仍在，若伺服器及物聯(lián)網(wǎng)需求快速成長，則明年將是大缺貨的一年;若以長期來看，則預估將長期呈現(xiàn)供不應(yīng)求。 　　黃崇仁指出，DRAM產(chǎn)業(yè)目前僅剩三星、海力士與美光等三大陣營，預計未來不會像之前一樣盲目擴產(chǎn)，因此整體供給將受到節(jié)制。他并點出，物聯(lián)網(wǎng)所用的DRAM，即一般所稱「i-RA
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明年DRAM大缺貨，絕對物聯(lián)網(wǎng)元年

  • 　　在國內(nèi)也屬于老字號的半導體廠力晶科技，與南亞科、華亞科一樣擁有記憶體產(chǎn)能，也和臺積電、聯(lián)電爭搶邏輯晶片晶圓代工訂單，但創(chuàng)辦人黃崇仁說，力晶不是DRAM廠，也不是Foundry，而是獨步全球的“Open Foundry”。 　　 ? 　　記憶體廠力晶科技成立20年，創(chuàng)辦人黃崇仁指出，力晶已有了長期穩(wěn)定獲利的成功方程式。圖文/楊曉芳 　　在這個新的商業(yè)模式下，力晶將締造出年連續(xù)3年、年獲利突破百億元的佳績(2013～2015年)，這也是力晶成立20年來第一次出
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美光欲重談華亞科合約　傳遭臺塑拒絕

  • 　　DRAM產(chǎn)業(yè)前景轉(zhuǎn)佳，近期業(yè)界傳出美光(Micron)要求臺塑重談對華亞科的計價合約，借此拿下更高獲利分配權(quán)，但臺塑認為既有合約尚未走完，遂予以拒絕，并將2015年焦點放在20納米制程技術(shù)轉(zhuǎn)移上，協(xié)助華亞科轉(zhuǎn)進20納米制程，全面迎接DDR4芯片世代。 　　自從美光成功整并臺、美、日DRAM產(chǎn)業(yè)，與三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)成為全球三大記憶體廠后，美光一直與臺塑針對合資公司華亞科的投資股權(quán)、產(chǎn)能分配及獲利計價等進行調(diào)整。 　　2012年底臺塑宣
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預測2015年DRAM產(chǎn)業(yè)五大趨勢

  • 　　2014年是 DRAM 產(chǎn)業(yè)獲利頗為豐收的一年。受惠于全球智慧型手機持續(xù)熱銷，一線DRAM大廠紛紛轉(zhuǎn)進行動式記憶體; TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 預估， 2014年行動式記憶體將占整體DRAM產(chǎn)出的36%，2015年更有機會突破40%大關(guān)。 　　DRAMeXchange 研究協(xié)理郭祚榮表示，拜行動式記憶體需求暢旺所賜，標準型記憶體產(chǎn)出相對減少，反倒讓模組價格始終維持在高價水位，2014年4GB模組均價約32美元，標準型記憶體毛利率平均達40%以上。各DRAM
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研調(diào)：明年DRAM產(chǎn)值估增16%，產(chǎn)業(yè)獲利能力看升

  • 　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange預估，全球2015年DRAM產(chǎn)值將達541億美元，年增16%，為市場穩(wěn)定、獲利成長的一年。DRAMeXchange指出，受惠于全球智慧型手機持續(xù)熱銷，一線DRAM大廠紛紛轉(zhuǎn)進行動式記憶體，預估2014年行動式記憶體將占整體DRAM產(chǎn)出的36%，2015年更有機會突破40%大關(guān)。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理郭祚榮表示，拜行動式記憶體需求暢旺所賜，標準型記憶體產(chǎn)出相對減少，反倒讓模組價格始終維持在高價水位，2014年4GB模組均價
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SSD價格快速下滑　普及化只剩時間問題

  • 　　固態(tài)硬碟(SSD)價格正迅速下滑，3D NAND和TLC等SSD新技術(shù)逐漸擴散，帶動儲存容量擴大，并加速SSD大眾化時代的來臨。 　　據(jù)ET News報導，SSD將形成半導體新市場，價格跌幅相當明顯。外電引用市調(diào)機構(gòu)IHS資料指出，256GB容量的SSD平均價格在2014年第3季時為124美元，與2013年第3季的171美元相比降低27.5%。若與2012年相比則減少45.1%。 　　南韓業(yè)界認為，目前價格69美元、容量128GB的SSD，在2015年價格將降低至50美元以下。 　　南韓Woor
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日本“家電王國”風光不再 黑白電全線潰退

  • 　　本企業(yè)不能再單純地依靠技術(shù)優(yōu)勢，正如中國企業(yè)也不能再單純地依靠勞動力成本優(yōu)勢一樣。 　　據(jù)路透社11月26日消息，日本索尼(SONY)與世界足聯(lián)(FIFA)的贊助合同今年年底即將到期，但是索尼因面臨公司重組，需要削減大筆開支的巨大壓力，所以不會續(xù)約贊助世界杯賽事。此合同將于今年的12月31日正式到期。 　　筆者搜索了索尼簽約足球的往事：8年前，SONY與FIFA簽署了一項8年的贊助合同，價值330億日元(折合2.79億美元)。這是運動史上金額最高的贊助合約之一，接近2004年歐洲杯贊助費用1億美元
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3D活體指紋識別 市場潛力大有可為

  • 　　據(jù)數(shù)據(jù)顯示，自 2002-2012年，中國生物識別行業(yè)的市場平均增長率都在60%以上，2012年市場規(guī)模達到60多億人民幣，而預計到2015年，中國生物識別行業(yè)的市場規(guī)模將可能達到100億以上。 　　目前，人們用于身份識別的生物特征主要有：手形、指紋、臉形、虹膜、視網(wǎng)膜、脈搏、耳廓等，行為特征有簽字、聲音、按鍵力度等。 　　 ? 　　相對其他生物識別，指紋識別在身份認證上擁有巨大優(yōu)勢。 　　更安全可靠： 我們平均每個指紋都有幾個獨一無二可測量的特征點，每個特征點都有大約七個特征
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半導體前景看好　韓后段制程設(shè)備廠笑開懷

  • 　　南韓半導體后段制程設(shè)備廠下半年營收展望亮起綠燈，韓系半導體大廠三星電子(SamsungElectronics)和SK海力士(SKHynix)將擴產(chǎn)DRAM，增加后段制程處理量，臺灣及大陸將擴充晶圓代工設(shè)備并增加非內(nèi)存產(chǎn)量等，將為南韓半導體后段制程設(shè)備廠帶來正面影響。 　　據(jù)ETNews報導，TechWing和HanmiSemiconductor第3季營收將出現(xiàn)二位數(shù)以上的成長，UniTest與2013年同期相比也可望創(chuàng)造亮眼的成果。 　　2014年三星和SK海力士擴產(chǎn)DRAM和NANDFlash，
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搶食蘋果A9失利 三星多余產(chǎn)能恐轉(zhuǎn)進DRAM

  • 　　三星爭奪蘋果新世代處理器訂單失利，半導體設(shè)備廠分析，將迫使三星將多余產(chǎn)能轉(zhuǎn)向DRAM或快閃存儲器，恐對明年下半年存儲器產(chǎn)業(yè)形成新的隱憂。 　　三星日前一再表示，未來會節(jié)制性推升產(chǎn)能，但市場持續(xù)關(guān)注三星是否會重新拿回大部分蘋果新世代處理器訂單，因為若三星與蘋果重修舊好，將可抵銷手機銷售的不利，同時減緩將產(chǎn)能轉(zhuǎn)為生產(chǎn)DRAM或快閃存儲器的壓力。 　　法人分析，三星因蘋果處理器代工訂單流失，加上自家手機銷售不佳，導致獲利主軸重回存儲器，今年首季存儲器占總獲利僅14%，但第3季占比已竄升至近六成，其中，1
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第三季全球移動存儲器營收34.6億美元

  • 　　TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新調(diào)查顯示，全球行動式記憶體總營收在 2014年第三季達34.6億美元，季成長6%，占DRAM總產(chǎn)值29%。三星半導體(Samsung)不意外仍穩(wěn)居第三季行動式記憶體龍頭，而且市占首度突破50%，儼然成為一方霸主，讓位居二、三名的SK海力士(Hynix)與美光(Micron)的市占率差距再度拉大。 　　雖全球DRAM產(chǎn)能依舊處于微幅吃緊狀態(tài)，導致第三季行動式記憶體價格小幅度下滑，但因位元產(chǎn)出增加，全球行動式記憶體總產(chǎn)值仍向上提升
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存儲器再成三星最大獲利來源　4Q產(chǎn)值恐較前季衰退

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)過去最大獲利來源─半導體事業(yè)，自2011年第3季起被其另一獲利支柱─IM(Information technology & Mobile communications)事業(yè)部取代，至3年后的2014年第3季，方因IM事業(yè)獲利急轉(zhuǎn)直下，供需結(jié)構(gòu)已趨于穩(wěn)定的半導體事業(yè)再度成為三星最大獲利來源。 　　因包括標準型(Standard)、行動裝置、伺服器用DRAM位元需求量皆較前季增溫，三星2014年第3季DRAM營收較前季成長18.7%，達5.32兆
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3D堆疊的TLC閃存敢用嗎？三星850 EVO來了

  • 三星早在7月初就宣布了新一代高端固態(tài)硬盤850 EVO，會采用3D立體堆疊的V-NAND TLC閃存顆粒，但卻一直沒有正式發(fā)布，相關(guān)資料也是從未公開。感謝幾家坐不住的美國電商，850 EVO慢慢揭開了面紗。嗯，2.5寸固態(tài)硬盤都是這副模樣，你還想看到啥?規(guī)格方面，目前了解到的是持續(xù)讀寫速度，最高分別可達550MB/s、520MB/s，已經(jīng)是SATA 6Gbps下的實際極限了，基本不可能再高。還有個無關(guān)痛癢的重量，0.29磅，大約是132克。850 EVO系
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制程在競賽 獲利很穩(wěn)定

  • 　　三星、SK海力士及美光三大DRAM廠明年制程進入20納米世代，盡管市場憂心恐造成供給大增、壓抑價格走勢，但DRAM業(yè)者強調(diào)，制程微縮并非一、兩天可以完成，期間將遭遇技術(shù)瓶頸與整量產(chǎn)能縮減等問題，因此盡管資本支出龐大，明年DRAM價格仍可望持穩(wěn)，業(yè)者仍會穩(wěn)定獲利。 　　集邦協(xié)理吳雅婷表示，三星及SK海力士在制程推進至25納米期間，都吃足苦頭，預料美光借重華亞科從30納米制程直接切入20納米制程，同樣也將面臨極大的挑戰(zhàn)。三星首次進入28納米制程時，因良率無法有效提升，黯然宣告中止，部分產(chǎn)能轉(zhuǎn)回35納米，
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3d dram介紹

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