3d dram 文章 進(jìn)入3d dram技術(shù)社區(qū)
不影響DRAM市場結(jié)構(gòu) 公平會核準(zhǔn)美光購并華亞科
- 公平交易委員會于2016年4月13日第1,275次委員會議決議,核準(zhǔn)美商美光(Micron)擬透過其子公司臺灣美光取得華亞科全部股權(quán),向該會申報(bào)事業(yè)結(jié)合乙案,依公平交易法第13條第1項(xiàng)規(guī)定,不禁止其結(jié)合。 公平會表示,本案系屬公平法第10條第1項(xiàng)第2、5款之結(jié)合型態(tài),又美商美光于相關(guān)市場之市占率達(dá)25%,符合公平法第11條第1項(xiàng)第2款規(guī)定之申報(bào)門檻,且無同法第12條所規(guī)定除外適用情形,故依法提出結(jié)合申報(bào)。 公平會表示,華亞科系屬美光DRAM的代工廠,其所生產(chǎn)之DRAM全數(shù)售予美光,故華亞科
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三星DRAM連霸24年 2015年市占寫下45%新高
- 三星電子(Samsung Electronics)連續(xù)24年蟬聯(lián)全球DRAM存儲器半導(dǎo)體市占率第一,為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫下新歷史;2015年市占率達(dá)45.3%,營收突破200億美元,不但刷新自身紀(jì)錄,也成為存儲器價格持續(xù)下跌聲中,唯一還能獲利的業(yè)者。 據(jù)韓媒Money Today報(bào)導(dǎo),市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS資料顯示,2015年三星DRAM營收為204.34億美元,較2014年186.61億美元成長9.5%,首次突破200億美元。雖然全球DRAM市場規(guī)模由462.46億美元萎縮至450.93億美元,但三星營收卻
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三星開始量產(chǎn)10nm級DRAM,采用ArF液浸四重曝光
- 韓國三星電子2016年4月5日宣布,開始量產(chǎn)采用10nm級工藝制造的首款DRAM芯片。新產(chǎn)品為DDR4型8Mbit產(chǎn)品。 此次發(fā)布的DDR4型DRAM芯片采用10nm級(1x)工藝制造。三星面向此次的芯片,新開發(fā)了自主設(shè)計(jì)的新存儲單元結(jié)構(gòu)、四重曝光(Quadruple Patterning Technology)技術(shù)、采用極薄絕緣膜形成技術(shù)制作的厚度均勻的存儲電容等。由此,無需使用EUV裝置,可利用現(xiàn)有的液浸ArF裝置量產(chǎn)。三星還預(yù)定將此次的技術(shù)用于下一代10nm(1
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醫(yī)療新巨頭誕生:6000萬美元的大合并!
- 去年10月,全球3D打印醫(yī)療應(yīng)用領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)3D Medical,與頂級醫(yī)學(xué)圖像處理技術(shù)開商Mach7合并。如今,這樁交易已經(jīng)宣布完成,合并后的新公司被稱為Mach7 Technologies,并將在澳大利亞證交所上市,交易代碼M7T。 據(jù)悉,3D Medical原本就以向醫(yī)生提供針對不同病人的3D打印各種定制器官和骨骼模型而知名;而Mach7的主要業(yè)務(wù)則是醫(yī)學(xué)影像技術(shù)。在這筆總額高達(dá)6000萬美元的合并交易完成之后,新公司將會把總部設(shè)在澳洲的墨爾本。 據(jù)了解,3D Medical和Ma
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DRAM市場上,韓企占比飆升,排名老三的美光出路在哪里?
- 目前,全球DRAM(Dynamic Random Access Memory,也稱動態(tài)隨機(jī)存取存儲器,是最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存)市場主要由三星、SK海力士和美光占有。近日美國市調(diào)公司IHS指,韓國企業(yè)三星和SK海力士的市占率進(jìn)一步?jīng)_高至接近75%,這已經(jīng)是連續(xù)6個季度創(chuàng)下歷史新高,那么第三位的美光前途在何方呢? 三星已在技術(shù)方面遙遙領(lǐng)先 據(jù)DRAMeXchange的報(bào)告,受2015年四季度全球DRAM市場營收下滑約9%的影響,三星、SK海力士、美光三家的營收分別下滑9.7%、9.3%、10.5
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三星2015年DRAM市場所向披靡 手機(jī)份額萎縮
- 三星電子周五公布2015業(yè)務(wù)成果報(bào)告,結(jié)果一則以喜,一則以憂,雖然其半導(dǎo)體事業(yè)蒸蒸日上,但另一個營收主力,也就是手機(jī)部門表現(xiàn)仍持續(xù)掙扎。其實(shí),三星去年以獲利為最高指導(dǎo)原則,營運(yùn)的重心主要放在半導(dǎo)體上,有如此結(jié)果也不令人意外。 據(jù) 三星統(tǒng)計(jì),在全球DRAM市場上,三星所向披靡、強(qiáng)取豪奪45.3%的份額,市占率較一年前的39.6%又進(jìn)步了5.7個百分點(diǎn)。三星指出盡管手機(jī)、平板 等行動產(chǎn)品減緩,但預(yù)期服務(wù)器與其它高階產(chǎn)品市場將持續(xù)成長。除此之外,三星也相當(dāng)看好物聯(lián)網(wǎng)與汽車對存儲器的需求展望。 在
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產(chǎn)品組合改善 美光下半年有機(jī)會轉(zhuǎn)虧為盈
- 受來自PC部門需求疲弱,及包括DRAM與NAND Flash價格下滑等不利因素影響,美系記憶體大廠美光(Micron)2016年會計(jì)年度第2季(2015年12月4日至2016年3月3日)營收僅達(dá)29.3億美元,較前季33.5億美元衰退12.4%,亦較2015年會計(jì)年度同期41.7億美元衰退29.6%,這是美光自2015年會計(jì)年度第1季營收45.7億美元相對高點(diǎn)以來,單季營收連續(xù)5季衰退。 在DRAM與NAND Flash的平均銷售單價季衰退幅度超過2位數(shù)百分點(diǎn)幅度,加上營業(yè)費(fèi)用控制成效不佳,營業(yè)
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三星18納米DRAM投產(chǎn) 海力士、美光面臨更大壓力
- 三星電子(Samsung Electronics)開始量產(chǎn)18納米DRAM,成本將可比目前的20納米再低20~30%左右。由于SK海力士(Sk Hynix)、美光(Micron)等業(yè)者的DRAM制程都還停留在20納米以上世代,三星電子未來在DRAM市場上,勢必將更具價格競爭力。 根據(jù)韓媒ETnews報(bào)導(dǎo),存儲器半導(dǎo)體的價格越來越低,越快將成本壓到比下滑的市場價格更低的話,才有利潤能剩下,若降低成本的速度太慢,就會產(chǎn)生赤字。以目前看來,2016年美光最需擔(dān)憂的就是赤字問題,因?yàn)槊拦鉀]能成功地轉(zhuǎn)換微
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DRAM及NAND市場價格下跌 美光營收下滑
- 不論是NAND閃存還是DRAM內(nèi)存領(lǐng)域,韓國兩家公司三星、SK Hynix總算還能保住吃香喝辣的日子,但美國的美光公司這兩年就沒啥舒服日子了,技術(shù)、產(chǎn)能都落后友商,偏偏現(xiàn)在又遇到了內(nèi)存、閃存降價,跌跌不休的價格導(dǎo)致美光營收下滑了30%,當(dāng)季凈虧損9700萬美元,對未來季度的預(yù)測同樣悲觀。 美光公司周三發(fā)布了截至今年3月3日的2016財(cái)年Q2財(cái)報(bào),當(dāng)季營收29.3億美元,上季度為33.5億美元,去年同期為41.66億美元,同比下滑了30%。 美光當(dāng)季毛利只有5.79億美元,遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于上季度的8
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美光恐連續(xù)兩季度虧損,毛利率只有19.7%
- 美國記憶體大廠美光昨(31)公布到3月3日為止的年度第2季財(cái)報(bào),每股凈損0.09美元,單季由盈轉(zhuǎn)虧,并預(yù)估本季仍恐持續(xù)虧損。外界認(rèn)為,美光連二季虧損,與該公司關(guān)系密切的華亞科(3474)短期營運(yùn)將有壓力。 受到DRAM價格與出貨量都比上季滑落近一成的影響,美光第2季營收為29.34億美元,季減12.4%,年減29.5%,影響其毛利率表現(xiàn),僅19.7%,遠(yuǎn)不如前一季的25.3%,單季稅后凈損9,700萬美元,每股凈損0.09美元。 美光預(yù)期,本季恐持續(xù)虧損,估每股凈損0.05至0.12美元,
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三星正式量產(chǎn)18nm工藝DRAM 內(nèi)存價格或跌40%
- 全球DRAM內(nèi)存市場壟斷在了三星、SKHynix及美光三家廠商中,在這其中三星是第一梯隊(duì)的,不論工藝還是產(chǎn)能、占有率都遙遙領(lǐng)先其他兩家,SKHynix第二,美光的工藝和產(chǎn)能最次。2014年率先量產(chǎn)20nm工藝的DRAM內(nèi)存之后,三星如今再一次領(lǐng)跑,現(xiàn)在正式量產(chǎn)了18nm工藝內(nèi)存芯片。只不過內(nèi)存市場今年普遍看淡,隨著廠商產(chǎn)能的提高,內(nèi)存價格降幅甚至高達(dá)40%。 跟處理器芯片一樣,制程工藝越先進(jìn),每一代工藝的進(jìn)步在外人看來感覺是越來越小了,CPU工藝好歹是從22nm進(jìn)步到14/16nm、NAND也是
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投資10nm/3D NAND 晶圓廠設(shè)備支出今年增3.7%
- 國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)最新報(bào)告指出,3D NAND、DRAM與10奈米制程等技術(shù)投資,將驅(qū)動2016年晶圓廠設(shè)備支出攀升,預(yù)估2016年包括新設(shè)備、二手或?qū)?In-house)設(shè)備在內(nèi)的前段晶圓廠設(shè)備支出將增長3.7%,達(dá)372億美元;而2017年則可望再成長13%,達(dá)421億美元。 SEMI指出,2015年晶圓廠設(shè)備支出為359億美元,較前一年微幅減少0.4%;預(yù)測2016年上半年晶圓廠設(shè)備支出可望緩慢提升,下半年則將開始加速,為2017年儲備動能。2017年相關(guān)支出可望回復(fù)兩位數(shù)成
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對3d dram的理解,并與今后在此搜索3d dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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