3d dram 文章進(jìn)入3d dram技術(shù)社區(qū)

中國(guó)投千億美元發(fā)展芯片產(chǎn)業(yè) 這不是花錢(qián)就能解決的問(wèn)題

　　8月27日消息，中國(guó)目前大力推動(dòng)國(guó)內(nèi)芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展，目標(biāo)是在將來(lái)成為全球電腦芯片制造業(yè)的領(lǐng)軍者。這一宏偉計(jì)劃似乎遇到了難以逾越的障礙。　　在2014年，中國(guó)就宣布將投資1000億美元以發(fā)展芯片設(shè)計(jì)和制造產(chǎn)業(yè)，以期在未來(lái)占據(jù)行業(yè)頭把交椅。大筆資金已經(jīng)投入了新制造工廠的修建之中。但貝恩管理咨詢(xún)公司(Bain & Company )的最新分析顯示，中國(guó)僅僅依靠這1000億美元的投資是無(wú)法保證自己在芯片行業(yè)取得領(lǐng)先的。　　中國(guó)國(guó)有芯片制造企業(yè)XMC(武漢新芯集成電路制造有限公司)正大舉興建用于加
關(guān)鍵字：芯片 DRAM

3D NAND風(fēng)暴來(lái)襲，中國(guó)存儲(chǔ)器廠商如何接招?

中國(guó)正在下大力度推進(jìn)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，3D NAND被認(rèn)為是一個(gè)有利的突破口。
關(guān)鍵字： 3D NAND 存儲(chǔ)器

三星承包Q2全球61.5%移動(dòng)DRAM市場(chǎng)

　　韓聯(lián)社首爾8月17日電據(jù)半導(dǎo)體市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)DRAMeXchange消息，三星電子2016年第二季移動(dòng)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的銷(xiāo)售額同比增長(zhǎng)19.4%至24.18億美元，全球市場(chǎng)占有率升至61.5%，創(chuàng)下移動(dòng)DRAM市場(chǎng)份額單獨(dú)統(tǒng)計(jì)以來(lái)的歷史最高紀(jì)錄。　　三星2015年后三季度的移動(dòng)DRAM市場(chǎng)份額均未突破60%關(guān)口，分別為57.6%、56.9%、58.2%。繼今年第一季突破60%后，第二季又提升1.1個(gè)百分點(diǎn)。三星移動(dòng)DRAM的市場(chǎng)份額更是比DRAM市場(chǎng)份額(47.4%)高出14.1個(gè)百分點(diǎn)
關(guān)鍵字：三星 DRAM

全球DRAM總營(yíng)收研調(diào)機(jī)構(gòu)估第3季將較顯著成長(zhǎng)

　　DRAMeXchange最新報(bào)告指出，中國(guó)地區(qū)的智慧型手機(jī)出貨依然強(qiáng)勁，DRAM三大廠同步調(diào)整產(chǎn)品類(lèi)別，持續(xù)向行動(dòng)式記憶體轉(zhuǎn)進(jìn)，伴隨第3季強(qiáng)勁的旺季備貨需求到來(lái)，預(yù)估第3季全球DRAM總營(yíng)收將出現(xiàn)較顯著的成長(zhǎng)。　　DRAMeXchange表示，因市況供過(guò)于求，第2季DRAM的平均銷(xiāo)售單價(jià)持續(xù)下滑，整體均價(jià)季跌幅超過(guò)5%，但受惠美光20奈米及SK海力士21奈米產(chǎn)出順利，帶動(dòng)位元供給成長(zhǎng)，使得第2季全球DRAM總營(yíng)收約91億美元，季成長(zhǎng)6.3%。　　三星在第2季的DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收仍排行第一，營(yíng)收季
關(guān)鍵字：三星 DRAM

Q2全球DRAM總營(yíng)收91億美元臺(tái)廠華邦電表現(xiàn)最佳

　　TrendForce旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)告顯示，由于市況供過(guò)于求，第2季DRAM的平均銷(xiāo)售單價(jià)持續(xù)下滑，整體均價(jià)季跌幅超過(guò)5%，但受惠美光20納米及SK海力士21納米產(chǎn)出順利，帶動(dòng)位元供給成長(zhǎng)，第2季全球DRAM總營(yíng)收約91億美元，季成長(zhǎng)6.3%;三星、SK海力士、美光三大廠營(yíng)收都成長(zhǎng)，臺(tái)廠部分，以華邦電( 2344-TW )營(yíng)收季增3.3%表現(xiàn)最佳。　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第2季筆記型電腦及伺服器相關(guān)產(chǎn)品出貨動(dòng)能表現(xiàn)一般，但中國(guó)地區(qū)的智慧型手
關(guān)鍵字： DRAM

DRAM拖累全球IC銷(xiāo)售額下降2%

　　按IC Insight的最新IC市場(chǎng)觀察報(bào)告，2016年因供過(guò)于求，導(dǎo)致全球DRAM的平均售價(jià)(ASP)下降16%，導(dǎo)致全球IC銷(xiāo)售額下降2%。　　由于PC，筆記本，及平板電腦，包括智能手機(jī)等的出貨量減少，今年全球DRAM銷(xiāo)售額下降19%。DRAM的ASP有很大的起伏，由2014年的3.16美元高點(diǎn)，到2012年時(shí)的1.69美元。　　　　IC Insight認(rèn)為，一組DRAM的ASP曲線，從2007年開(kāi)始象飛機(jī)飛過(guò)山谷時(shí)一樣的起伏。預(yù)計(jì)在服務(wù)器及新智能手機(jī)等市場(chǎng)需求推動(dòng)
關(guān)鍵字： DRAM

第二季全球DRAM總營(yíng)收成長(zhǎng)6.3%

　　受惠于美光(Micron) 20奈米及SK海力士(Hynix) 21奈米產(chǎn)出順利，帶動(dòng)位元供給成長(zhǎng)，使得第二季全球DRAM總營(yíng)收約91億美元，季成長(zhǎng)6.3%。　　TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)告顯示，由于市況供過(guò)于求，第二季DRAM的平均銷(xiāo)售單價(jià)持續(xù)下滑，整體均價(jià)季跌幅超過(guò)5%。然而，受惠于美光(Micron) 20奈米及SK海力士(Hynix) 21奈米產(chǎn)出順利，帶動(dòng)位元供給成長(zhǎng)，使得第二季全球DRAM總營(yíng)收約91億美元，季成長(zhǎng)6.3%。　　DRAMe
關(guān)鍵字：美光 DRAM

第二季DRAM總營(yíng)收小幅增長(zhǎng)6.3%

　　TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)最新報(bào)告顯示，由于市況供過(guò)于求，第二季DRAM的平均銷(xiāo)售單價(jià)持續(xù)下滑，整體均價(jià)季跌幅超過(guò)5%。然而，受惠于美光20納米及SK海力士21納米產(chǎn)出順利，帶動(dòng)位元供給增長(zhǎng)，使得第二季全球DRAM總營(yíng)收約91億美元，季增長(zhǎng)6.3%。　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第二季筆記本電腦及服務(wù)器相關(guān)產(chǎn)品出貨動(dòng)能表現(xiàn)一般，但中國(guó)地區(qū)的智能手機(jī)出貨依然強(qiáng)勁，因此DRAM三大廠也同步調(diào)整產(chǎn)品類(lèi)別，持續(xù)向行動(dòng)式內(nèi)存
關(guān)鍵字： SK海力士 DRAM

美光3D NAND將殺到！打破三星獨(dú)霸、大戰(zhàn)一觸即發(fā)

目前3D NAND由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)，但是先有東芝殺入敵營(yíng)，如今美光也宣布研發(fā)出3D NAND，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨(dú)大的情況將畫(huà)下句點(diǎn)，3D NAND flash大戰(zhàn)即將開(kāi)打!
關(guān)鍵字：美光 3D NAND

Toppan Photomasks, Inc批準(zhǔn)在中國(guó)建設(shè)先進(jìn)光掩模生產(chǎn)線項(xiàng)目

　　全球業(yè)界首選光掩模合作伙伴T(mén)oppan Photomasks, Inc. (TPI)今天宣布批準(zhǔn)對(duì)近期擴(kuò)建的中國(guó)上海廠的下一階段投資計(jì)劃;該廠由TPI獨(dú)資子公司Toppan Photomasks Company Limited, Shanghai (TPCS) 運(yùn)營(yíng)。TPI將對(duì)此工廠再投資8000萬(wàn)美元以展現(xiàn)其對(duì)中國(guó)快速成長(zhǎng)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)及客戶(hù)之長(zhǎng)期承諾。TPI先前已投資2000萬(wàn)美元擴(kuò)建上海二廠(TPCS Shanghai II);該廠現(xiàn)已量產(chǎn)并且為中國(guó)唯一提供全方位技術(shù)及產(chǎn)品的商業(yè)光掩模廠。　　
關(guān)鍵字： DRAM NAND

面對(duì)大陸攻勢(shì)　三星海力士強(qiáng)化3D NAND投資

　　據(jù)韓國(guó)經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo)，大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在政府的強(qiáng)力支援下，清華紫光與武漢新芯采行攻擊性投資策略，迫使南韓、日本、美國(guó)等主要半導(dǎo)體業(yè)者也紛紛強(qiáng)化投資。　　市調(diào)業(yè)者DRAM eXchange表示，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)中，NAND Flash事業(yè)從2011~2016年以年均復(fù)合成長(zhǎng)率(CARG)47%的速度成長(zhǎng);清華紫光以新成立的長(zhǎng)江存儲(chǔ)進(jìn)行武漢新芯的股權(quán)收購(gòu)，成立長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司，未來(lái)可能引發(fā)NAND Flash市場(chǎng)版圖變化。　　清華紫光擁有清華大學(xué)的人脈，在社會(huì)上擁有一定的影響力，武漢新芯擁有技術(shù)方面
關(guān)鍵字：三星 3D NAND

DRAM業(yè)恐掀巨變美光面臨生存戰(zhàn)

并購(gòu)以后DRAM市場(chǎng)的“貧富差距”愈形明顯，產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)可能掀起巨變。
關(guān)鍵字： DRAM 美光

2016年全球DRAM市場(chǎng)與趨勢(shì)分析

本文主要介紹和分析了2015和2016年DRAM市場(chǎng)走勢(shì)。結(jié)論是2016年第三季度DRAM已經(jīng)平穩(wěn)上漲4%~8%左右。預(yù)計(jì)在2016第四季度價(jià)格會(huì)略有下滑，但2017年成長(zhǎng)會(huì)低于20%。
關(guān)鍵字： DRAM 市場(chǎng) 手機(jī) 服務(wù)器 201608

后摩爾定律時(shí)代：終于跨越鴻溝？

摩爾定律并未失效，可能無(wú)法像以前那樣自動(dòng)跳到下一世代制程，不過(guò)可以看到有很多公司在進(jìn)行20 nm及以下的設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)。
關(guān)鍵字：摩爾定律 DRAM

NAND快閃記憶體價(jià)格上漲創(chuàng)見(jiàn)威剛笑開(kāi)懷

　　NAND快閃記憶體受惠固態(tài)硬盤(pán)(SSD)銷(xiāo)售熱絡(luò)，加上智能手機(jī)搭載容量提高，帶動(dòng)近月價(jià)格持續(xù)上漲，創(chuàng)見(jiàn)、威剛等模組廠營(yíng)運(yùn)受惠，市場(chǎng)預(yù)期蘋(píng)果將推出的iPhone 7拉貨動(dòng)能如何，將攸關(guān)NAND快閃記憶體價(jià)格續(xù)漲力道。　　市場(chǎng)指出，上半年非蘋(píng)陣營(yíng)智能手機(jī)產(chǎn)品銷(xiāo)售強(qiáng)勁，產(chǎn)品功能提升帶動(dòng)記憶體需求大增，加上6月三星西安廠因變電廠爆炸導(dǎo)致停工，帶動(dòng)NAND快閃記憶體價(jià)格上漲，主流產(chǎn)品在1個(gè)月內(nèi)漲幅超過(guò)2成。　　市況變化帶動(dòng)記憶體模組廠營(yíng)運(yùn)增溫，創(chuàng)見(jiàn)表示，在漲價(jià)預(yù)期心理帶動(dòng)下，通路拉貨力道明顯回升，DRA
關(guān)鍵字： NAND DRAM