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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 40納米

內存瘋閃存噴 存儲業(yè)界漲勢深度分析

  • 　　9月DRAM價格猛增13% Flash亦漲4% 　　最近幾個月來，DRAM價格連連上漲，同時也拉升了NAND Flash顆粒的價格。各大晶圓廠和模組廠也都連連傳出利好消息。雖然各大內存廠商的產品訂單和資金流相較2009年年初的金融海嘯時期已經有較大起色，但是這內存的價格上漲也波及到了電子賣場中的零售價格。那么究竟現(xiàn)在的內存產品是怎樣的一個局面呢，下面小編就給大家來個深度分析，給你講講這里面的道道。 　　9 月的1Gbit DDR2 DRAM的平均報價約為 1.70 美元，較上個月多出了近 13%。
  • 關鍵字： 內存  DRAM  40納米  

中芯國際將45納米工藝技術延伸至40納米以及55納米

  • 　　中芯國際今天宣布其45納米的互補型金屬氧化物半導體 (CMOS) 技術將延伸至40納米以及55納米。 　　這些新工藝技術進一步豐富了中芯國際現(xiàn)有的技術能力，更好地滿足全球客戶的需求，包括快速增長的中國市場在內。其應用產品包括多媒體產品、圖形芯片、芯片組以及手機設備(如3G/4G 手機)。 　　“中芯國際上海的12英寸廠已提前達標完成了45納米的技術工藝。我們也同樣期盼著這些附加的延伸技術能取得佳績。”張汝京博士 -- 中芯國際總裁兼首席執(zhí)行長表示，“這些新技術為
  • 關鍵字： 中芯國際  CMOS  45納米  40納米  55納米  

晶圓代工砸銀彈 聯(lián)電2010年資本支出倍增

  • 　　因應景氣翻揚，晶圓代工廠臺積電、聯(lián)電紛紛備妥銀彈展開資本支出競賽，其中45/40納米產能擴充將是2009~2010年重點，而臺積電則于40納米制程世代起一并提供客戶全套式的前、后段制程代工服務，加上太陽能產廠將動工，預料2010年資本支出上看30億美元，不過同業(yè)聯(lián)電的資本支出增幅更為驚人，2010年資本支出可望翻一倍達到10億美元。 　　2008 年臺積電、聯(lián)電受到金融風暴影響，緊急在資本支出踩煞車，讓半導體設備業(yè)者陷入寒冬，如今景氣狀況回穩(wěn)，2009年上半起資本支出逐漸解凍，到了下半年臺積電、聯(lián)電
  • 關鍵字： 臺積電  40納米  晶圓代工  

爾必達擬投資4.52億美元提高40納米芯片產量

  • 　　日本最大閃存芯片制造商爾必達表示，可能投資至多400億日元(約合4.52億美元)提高40納米芯片的產量，達到公司芯片總產量的一半。 　　爾必達發(fā)言人表示，公司計劃今年開始大規(guī)模生產這一產品。他說，為了反映市場狀況，爾必達決定加快投資步伐。 　　爾必達、三星電子、海力士半導體等芯片制造商正在降低芯片尺寸，以增加一片晶圓所能切割出的芯片數(shù)量，以此降低成本，應對產品價格不斷下滑的局面。爾必達說，從當前的50納米技術轉向較小的芯片尺寸，公司可以將每片晶圓的芯片產量提高44%。 　　亞洲最大半導體現(xiàn)貨市場
  • 關鍵字： 爾必達  40納米  閃存芯片  

臺積電老將再出山 蔣尚義領命戰(zhàn)研發(fā)

  • 　　不知是否是因為Global Foundries的步步威脅，臺積電28日宣布，延聘3年前離職的蔣尚義博士擔任研究發(fā)展資深副總經理，他將直接對張忠謀董事長負責。 　　這是繼張忠謀6月重新執(zhí)政臺積電以來，又一次重大的人事調整。蔣尚義博士早在1997年即加入臺積電擔任研究發(fā)展副總經理，帶領研發(fā)團隊一路順利開發(fā)完成0.25微米、0.18微米、0.13微米、90納米、65納米等各個世代的先進工藝技術，成果斐然。但是三年多前因為要照顧年邁生病的父親而暫時離開，如今因父親仙逝而能再度回到臺積，相信蔣資深副總的回任，
  • 關鍵字： 臺積電  40納米  HKMG  EUV  

制程差距擴大 臺灣DRAM廠隱憂

  • 　　臺灣DRAM大廠南科宣布8億股現(xiàn)金增資計劃，預計籌措100億元以上資金，全數(shù)投入50納米制程，以及償還公司債，盡管DRAM現(xiàn)貨價格已站上每顆2美元，時間點來得比預期早，國內DRAM廠暫時度過最艱困的時刻，但三星半導體將在明年把40納米推升為生產線主力，成本大幅降低的優(yōu)勢，勢必更加顯著，臺廠與國外一線大廠的苦戰(zhàn)還是難免。 　　由于DDR2過渡至DDR3面臨產能轉換的瓶頸期，導致DDR3產能不足，進一步拉抬DDR2價格，原本內存模塊廠預測，今年第四季底，DDR2現(xiàn)貨價才有機會達到2美元，但根據(jù)集邦科技報
  • 關鍵字： 南科  50納米  40納米  DRAM  

LSI 推出業(yè)界首款 40nm 串行 PHY

  • 　　日前，LSI 公司宣布其開始提供業(yè)界首款專為筆記本電腦、臺式機以及企業(yè)級硬盤驅動器(HDD) 市場領域設計的 40 納米多接口物理層(PHY) IP 樣片。 　　所有主要 HDD 和固態(tài)驅動器(SSD) 制造商均可在其片上系統(tǒng)(SoC)設計方案中集成 LSI TrueStore® PHY9500 這一統(tǒng)一解決方案，也可支持 6Gb/s SAS、6Gb/s SATA 及 4.25Gb/s 光纖通道接口標準。驅動器制造商通過在其 SoC中集成 PHY9500，不僅可大幅降低驗證及開發(fā)成本，而且還
  • 關鍵字： LSI  40納米  PHY  TrueStore  

中芯45納米搭上IBM快車　4Q投產

  • 　　臺積電40/45納米制程傳出好消息，對岸的晶圓代工廠中芯國際也緊跟在后!中芯國際表示，45納米搭上IBM技術陣營的共通平臺 (Common Platform)，進展也將愈追愈快，預計2009年底將正式投產(Tape-out)，2010年放量生產。中芯國際認為在機器設備折舊攤提持續(xù)下降與高階制程加入雙重效果下，2010年期待實現(xiàn)獲利。 　　IBM陣營愈來愈壯大，除了三星電子(Samsung Electronics)、新加坡特許(Chartered)與全球晶圓(Global Foundries)以外，中
  • 關鍵字： 臺積電  40納米  45納米  晶圓代工  

臺積電40納米良率偏低 傳給予客戶代工折扣

  • 　　原先預期繪圖晶片雙雄40納米大戰(zhàn)將會在2009年第2季正式開打，其中超微(AMD)所推出ATI Radeon HD 4770備受市場關注，稍后NVIDIA也會跟進發(fā)布40納米產品，但出乎預料的是，由于臺積電40納米制程良率偏低，傳出僅達2成左右，令超微受傷遭受重創(chuàng)。 　　超微5月初準備大舉登場的ATI Radeon HD 4770繪圖芯片，首度導入臺積電40納米制程，由于功耗降低、效能提升，備受市場期待，然在6月時因實際出貨量相當稀少，僅少數(shù)一線業(yè)者有貨可賣，使得超微錯失逆轉契機，外界開始質疑40納
  • 關鍵字： 臺積電  40納米  繪圖芯片  

ARM開發(fā)出2GHz 雙核Cortex A9芯片

  • 　　ARM當?shù)貢r間17早上宣稱開發(fā)出2GHz的雙核版Cortex-A9架構處理器,它基于40納米制程構建,在沒有提升功耗的前提下提高了速度,每個處理單元功耗最低可達0.25W. 　　這款芯片主要用于高速家庭設備以及空間應用等需要低功耗、小空間的計算環(huán)境. 　　ARM將制造40納米芯片的任務交給了臺積電,實際交貨要等到今年秋天. 　　2GHz芯片不大可能這么早裝載在手機上,但有可能會在MID上出現(xiàn),目前蘋果iPhone正在使用其上一代產品Cortex A8,這款芯片由三星設計,頻率達到600MHz.
  • 關鍵字： ARM  40納米  Cortex-A9  

全球DRAM業(yè)僅韓廠賺錢

  • 　　盡管近期DRAM價格大幅反彈，但估計2009年第3季仍僅有韓系兩大廠三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)可以賺錢，2010年再輪到美光(Micron)和爾必達(Elpida)轉虧為盈，至于臺廠方面，由于 2010年三星制程技術將晉級到40納米，以目前臺廠腳步，未來恐將會有多家大廠被迫淡出標準型DRAM市場。 　　DRAM價格雖已開始反彈，然復原最快廠商仍是三星，第2季已開始賺錢，預計第3季三星和海力士兩大韓廠都可望進入獲利，隨著DRAM產業(yè)逐步復蘇，美光和爾必達2
  • 關鍵字： 三星  DRAM  40納米  晶圓代工  

臺積電打入CPU代工市場 獲Sun高端處理器訂單

  • 　　經過一年半的合作，臺積電終于拿下首顆高階服務器處理器代工訂單，正式進入CPU代工市場!美國Sun Microsystems最近在美國Hot Chips大會中，發(fā)表新款16核心Rainbow Falls系統(tǒng)處理器，該款處理器主要委由臺積電40納米制程代工，明年可望順利量產投片，成為臺積電明年營收成長的主要動力來源之一。 　　臺積電與Sun在去年2月底宣布合作，Sun將把先前的服務器用UltraSPARC處理器，委由臺積電以45/40納米代工，未來世代的處理器也將交由臺積電生產。另外，臺積電也與Sun合
  • 關鍵字： 臺積電  CPU  40納米  晶圓代工  

NVIDIA部署Quartz作為40納米及40納米以下設計規(guī)則檢查器

  • 　　芯片設計解決方案供應商微捷碼(Magma®)設計自動化有限公司日前宣布，NVIDIA公司已部署Quartz™ DRC作為40納米及40納米以下工藝節(jié)點IC的主要設計規(guī)則檢查器。NVIDIA打算將微捷碼物理驗證工具用于從定制單元開發(fā)到全芯片驗證的各種應用。NVIDIA是在多項65納米設計上使用了Quartz DRC并發(fā)現(xiàn)其提供了較現(xiàn)有物理驗證工具顯著縮短的驗證周期后才選擇Quartz DRC進行40納米和40納米以下設計。 　　“自從向65納米工藝節(jié)點發(fā)展以來，我們一直
  • 關鍵字： Magma  40納米  Quartz  65納米  芯片設計  

Magma客戶通過采用Talus 設計實現(xiàn)系統(tǒng)

  • 　　芯片設計解決方案供應商微捷碼(Magma)設計自動化有限公司日前宣布，微捷碼客戶們通過采用微捷碼的Talus® netlist-to-GDSII設計實現(xiàn)系統(tǒng)，已完成超過50次的45納米及45納米以下工藝節(jié)點的芯片投片，次數(shù)遠超過任何其它EDA供應商的實現(xiàn)系統(tǒng)。作為微捷碼專為45/40納米及更小工藝節(jié)點芯片而設計的下一代實現(xiàn)平臺，Talus現(xiàn)已在廣大微捷碼客戶中得到廣泛使用，其最新版本Talus 1.1對于45/40納米工藝節(jié)點設計更是展現(xiàn)出特殊的優(yōu)勢。 　　就應用類型而言，現(xiàn)已完成的45/4
  • 關鍵字： Magma  Talus  45納米  40納米  

富士通微電子與臺積電合作發(fā)展28納米工藝技術

  • 　　日本富士通微電子株式會社與臺灣積體電路制造股份有限公司27日宣布，雙方同意以臺積電先進的技術平臺為基礎，針對富士通微電子的28納米邏輯IC產品進行生產、共同開發(fā)并強化28納米高效能工藝。在這之前，富士通微電子與臺積電已經就40納米工藝進行合作。這項協(xié)定代表富士通微電子將延伸已經在臺積電生產的40納米產品，雙方將共同發(fā)展最佳化的28納米高效能工藝，而首批28納米工程樣品預計于2010年年底出貨。 　　這項先進技術的合作將富士通微電子在先進高速工藝與低耗電設計技術的專長及優(yōu)勢，以及臺積電節(jié)能的高效能邏輯
  • 關鍵字： 富士通  28納米  40納米  
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40納米介紹

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