40納米文章進(jìn)入40納米技術(shù)社區(qū)

內(nèi)存瘋閃存噴存儲(chǔ)業(yè)界漲勢(shì)深度分析

　　9月DRAM價(jià)格猛增13% Flash亦漲4% 　　最近幾個(gè)月來(lái)，DRAM價(jià)格連連上漲，同時(shí)也拉升了NAND Flash顆粒的價(jià)格。各大晶圓廠和模組廠也都連連傳出利好消息。雖然各大內(nèi)存廠商的產(chǎn)品訂單和資金流相較2009年年初的金融海嘯時(shí)期已經(jīng)有較大起色，但是這內(nèi)存的價(jià)格上漲也波及到了電子賣場(chǎng)中的零售價(jià)格。那么究竟現(xiàn)在的內(nèi)存產(chǎn)品是怎樣的一個(gè)局面呢，下面小編就給大家來(lái)個(gè)深度分析，給你講講這里面的道道。　　9 月的1Gbit DDR2 DRAM的平均報(bào)價(jià)約為 1.70 美元，較上個(gè)月多出了近 13%。
關(guān)鍵字：內(nèi)存 DRAM 40納米

中芯國(guó)際將45納米工藝技術(shù)延伸至40納米以及55納米

　　中芯國(guó)際今天宣布其45納米的互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 技術(shù)將延伸至40納米以及55納米。　　這些新工藝技術(shù)進(jìn)一步豐富了中芯國(guó)際現(xiàn)有的技術(shù)能力，更好地滿足全球客戶的需求，包括快速增長(zhǎng)的中國(guó)市場(chǎng)在內(nèi)。其應(yīng)用產(chǎn)品包括多媒體產(chǎn)品、圖形芯片、芯片組以及手機(jī)設(shè)備(如3G/4G 手機(jī))。　　“中芯國(guó)際上海的12英寸廠已提前達(dá)標(biāo)完成了45納米的技術(shù)工藝。我們也同樣期盼著這些附加的延伸技術(shù)能取得佳績(jī)。”張汝京博士 -- 中芯國(guó)際總裁兼首席執(zhí)行長(zhǎng)表示，“這些新技術(shù)為
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晶圓代工砸銀彈聯(lián)電2010年資本支出倍增

　　因應(yīng)景氣翻揚(yáng)，晶圓代工廠臺(tái)積電、聯(lián)電紛紛備妥銀彈展開(kāi)資本支出競(jìng)賽，其中45/40納米產(chǎn)能擴(kuò)充將是2009~2010年重點(diǎn)，而臺(tái)積電則于40納米制程世代起一并提供客戶全套式的前、后段制程代工服務(wù)，加上太陽(yáng)能產(chǎn)廠將動(dòng)工，預(yù)料2010年資本支出上看30億美元，不過(guò)同業(yè)聯(lián)電的資本支出增幅更為驚人，2010年資本支出可望翻一倍達(dá)到10億美元。　　2008 年臺(tái)積電、聯(lián)電受到金融風(fēng)暴影響，緊急在資本支出踩煞車，讓半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者陷入寒冬，如今景氣狀況回穩(wěn)，2009年上半起資本支出逐漸解凍，到了下半年臺(tái)積電、聯(lián)電
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爾必達(dá)擬投資4.52億美元提高40納米芯片產(chǎn)量

　　日本最大閃存芯片制造商爾必達(dá)表示，可能投資至多400億日元(約合4.52億美元)提高40納米芯片的產(chǎn)量，達(dá)到公司芯片總產(chǎn)量的一半。　　爾必達(dá)發(fā)言人表示，公司計(jì)劃今年開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)這一產(chǎn)品。他說(shuō)，為了反映市場(chǎng)狀況，爾必達(dá)決定加快投資步伐。　　爾必達(dá)、三星電子、海力士半導(dǎo)體等芯片制造商正在降低芯片尺寸，以增加一片晶圓所能切割出的芯片數(shù)量，以此降低成本，應(yīng)對(duì)產(chǎn)品價(jià)格不斷下滑的局面。爾必達(dá)說(shuō)，從當(dāng)前的50納米技術(shù)轉(zhuǎn)向較小的芯片尺寸，公司可以將每片晶圓的芯片產(chǎn)量提高44%。　　亞洲最大半導(dǎo)體現(xiàn)貨市場(chǎng)
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臺(tái)積電老將再出山蔣尚義領(lǐng)命戰(zhàn)研發(fā)

　　不知是否是因?yàn)镚lobal Foundries的步步威脅，臺(tái)積電28日宣布，延聘3年前離職的蔣尚義博士擔(dān)任研究發(fā)展資深副總經(jīng)理，他將直接對(duì)張忠謀董事長(zhǎng)負(fù)責(zé)。　　這是繼張忠謀6月重新執(zhí)政臺(tái)積電以來(lái)，又一次重大的人事調(diào)整。蔣尚義博士早在1997年即加入臺(tái)積電擔(dān)任研究發(fā)展副總經(jīng)理，帶領(lǐng)研發(fā)團(tuán)隊(duì)一路順利開(kāi)發(fā)完成0.25微米、0.18微米、0.13微米、90納米、65納米等各個(gè)世代的先進(jìn)工藝技術(shù)，成果斐然。但是三年多前因?yàn)橐疹櫮赀~生病的父親而暫時(shí)離開(kāi)，如今因父親仙逝而能再度回到臺(tái)積，相信蔣資深副總的回任，
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制程差距擴(kuò)大臺(tái)灣DRAM廠隱憂

　　臺(tái)灣DRAM大廠南科宣布8億股現(xiàn)金增資計(jì)劃，預(yù)計(jì)籌措100億元以上資金，全數(shù)投入50納米制程，以及償還公司債，盡管DRAM現(xiàn)貨價(jià)格已站上每顆2美元，時(shí)間點(diǎn)來(lái)得比預(yù)期早，國(guó)內(nèi)DRAM廠暫時(shí)度過(guò)最艱困的時(shí)刻，但三星半導(dǎo)體將在明年把40納米推升為生產(chǎn)線主力，成本大幅降低的優(yōu)勢(shì)，勢(shì)必更加顯著，臺(tái)廠與國(guó)外一線大廠的苦戰(zhàn)還是難免。　　由于DDR2過(guò)渡至DDR3面臨產(chǎn)能轉(zhuǎn)換的瓶頸期，導(dǎo)致DDR3產(chǎn)能不足，進(jìn)一步拉抬DDR2價(jià)格，原本內(nèi)存模塊廠預(yù)測(cè)，今年第四季底，DDR2現(xiàn)貨價(jià)才有機(jī)會(huì)達(dá)到2美元，但根據(jù)集邦科技報(bào)
關(guān)鍵字：南科 50納米 40納米 DRAM

LSI 推出業(yè)界首款 40nm 串行 PHY

　　日前，LSI 公司宣布其開(kāi)始提供業(yè)界首款專為筆記本電腦、臺(tái)式機(jī)以及企業(yè)級(jí)硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD) 市場(chǎng)領(lǐng)域設(shè)計(jì)的 40 納米多接口物理層(PHY) IP 樣片。　　所有主要 HDD 和固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(SSD) 制造商均可在其片上系統(tǒng)(SoC)設(shè)計(jì)方案中集成 LSI TrueStore® PHY9500 這一統(tǒng)一解決方案，也可支持 6Gb/s SAS、6Gb/s SATA 及 4.25Gb/s 光纖通道接口標(biāo)準(zhǔn)。驅(qū)動(dòng)器制造商通過(guò)在其 SoC中集成 PHY9500，不僅可大幅降低驗(yàn)證及開(kāi)發(fā)成本，而且還
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中芯45納米搭上IBM快車　4Q投產(chǎn)

　　臺(tái)積電40/45納米制程傳出好消息，對(duì)岸的晶圓代工廠中芯國(guó)際也緊跟在后!中芯國(guó)際表示，45納米搭上IBM技術(shù)陣營(yíng)的共通平臺(tái) (Common Platform)，進(jìn)展也將愈追愈快，預(yù)計(jì)2009年底將正式投產(chǎn)(Tape-out)，2010年放量生產(chǎn)。中芯國(guó)際認(rèn)為在機(jī)器設(shè)備折舊攤提持續(xù)下降與高階制程加入雙重效果下，2010年期待實(shí)現(xiàn)獲利。　　IBM陣營(yíng)愈來(lái)愈壯大，除了三星電子(Samsung Electronics)、新加坡特許(Chartered)與全球晶圓(Global Foundries)以外，中
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臺(tái)積電40納米良率偏低傳給予客戶代工折扣

　　原先預(yù)期繪圖晶片雙雄40納米大戰(zhàn)將會(huì)在2009年第2季正式開(kāi)打，其中超微(AMD)所推出ATI Radeon HD 4770備受市場(chǎng)關(guān)注，稍后NVIDIA也會(huì)跟進(jìn)發(fā)布40納米產(chǎn)品，但出乎預(yù)料的是，由于臺(tái)積電40納米制程良率偏低，傳出僅達(dá)2成左右，令超微受傷遭受重創(chuàng)。　　超微5月初準(zhǔn)備大舉登場(chǎng)的ATI Radeon HD 4770繪圖芯片，首度導(dǎo)入臺(tái)積電40納米制程，由于功耗降低、效能提升，備受市場(chǎng)期待，然在6月時(shí)因?qū)嶋H出貨量相當(dāng)稀少，僅少數(shù)一線業(yè)者有貨可賣，使得超微錯(cuò)失逆轉(zhuǎn)契機(jī)，外界開(kāi)始質(zhì)疑40納
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ARM開(kāi)發(fā)出2GHz 雙核Cortex A9芯片

　　ARM當(dāng)?shù)貢r(shí)間17早上宣稱開(kāi)發(fā)出2GHz的雙核版Cortex-A9架構(gòu)處理器,它基于40納米制程構(gòu)建,在沒(méi)有提升功耗的前提下提高了速度,每個(gè)處理單元功耗最低可達(dá)0.25W. 　　這款芯片主要用于高速家庭設(shè)備以及空間應(yīng)用等需要低功耗、小空間的計(jì)算環(huán)境. 　　ARM將制造40納米芯片的任務(wù)交給了臺(tái)積電,實(shí)際交貨要等到今年秋天. 　　2GHz芯片不大可能這么早裝載在手機(jī)上,但有可能會(huì)在MID上出現(xiàn),目前蘋果iPhone正在使用其上一代產(chǎn)品Cortex A8,這款芯片由三星設(shè)計(jì),頻率達(dá)到600MHz.
關(guān)鍵字： ARM 40納米 Cortex-A9

全球DRAM業(yè)僅韓廠賺錢

　　盡管近期DRAM價(jià)格大幅反彈，但估計(jì)2009年第3季仍僅有韓系兩大廠三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)可以賺錢，2010年再輪到美光(Micron)和爾必達(dá)(Elpida)轉(zhuǎn)虧為盈，至于臺(tái)廠方面，由于 2010年三星制程技術(shù)將晉級(jí)到40納米，以目前臺(tái)廠腳步，未來(lái)恐將會(huì)有多家大廠被迫淡出標(biāo)準(zhǔn)型DRAM市場(chǎng)。　　DRAM價(jià)格雖已開(kāi)始反彈，然復(fù)原最快廠商仍是三星，第2季已開(kāi)始賺錢，預(yù)計(jì)第3季三星和海力士?jī)纱箜n廠都可望進(jìn)入獲利，隨著DRAM產(chǎn)業(yè)逐步復(fù)蘇，美光和爾必達(dá)2
關(guān)鍵字：三星 DRAM 40納米晶圓代工

臺(tái)積電打入CPU代工市場(chǎng) 獲Sun高端處理器訂單

　　經(jīng)過(guò)一年半的合作，臺(tái)積電終于拿下首顆高階服務(wù)器處理器代工訂單，正式進(jìn)入CPU代工市場(chǎng)!美國(guó)Sun Microsystems最近在美國(guó)Hot Chips大會(huì)中，發(fā)表新款16核心Rainbow Falls系統(tǒng)處理器，該款處理器主要委由臺(tái)積電40納米制程代工，明年可望順利量產(chǎn)投片，成為臺(tái)積電明年?duì)I收成長(zhǎng)的主要?jiǎng)恿?lái)源之一。　　臺(tái)積電與Sun在去年2月底宣布合作，Sun將把先前的服務(wù)器用UltraSPARC處理器，委由臺(tái)積電以45/40納米代工，未來(lái)世代的處理器也將交由臺(tái)積電生產(chǎn)。另外，臺(tái)積電也與Sun合
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NVIDIA部署Quartz作為40納米及40納米以下設(shè)計(jì)規(guī)則檢查器

　　芯片設(shè)計(jì)解決方案供應(yīng)商微捷碼(Magma®)設(shè)計(jì)自動(dòng)化有限公司日前宣布，NVIDIA公司已部署Quartz™ DRC作為40納米及40納米以下工藝節(jié)點(diǎn)IC的主要設(shè)計(jì)規(guī)則檢查器。NVIDIA打算將微捷碼物理驗(yàn)證工具用于從定制單元開(kāi)發(fā)到全芯片驗(yàn)證的各種應(yīng)用。NVIDIA是在多項(xiàng)65納米設(shè)計(jì)上使用了Quartz DRC并發(fā)現(xiàn)其提供了較現(xiàn)有物理驗(yàn)證工具顯著縮短的驗(yàn)證周期后才選擇Quartz DRC進(jìn)行40納米和40納米以下設(shè)計(jì)。　　“自從向65納米工藝節(jié)點(diǎn)發(fā)展以來(lái)，我們一直
關(guān)鍵字： Magma 40納米 Quartz 65納米芯片設(shè)計(jì)

Magma客戶通過(guò)采用Talus 設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)

　　芯片設(shè)計(jì)解決方案供應(yīng)商微捷碼(Magma)設(shè)計(jì)自動(dòng)化有限公司日前宣布，微捷碼客戶們通過(guò)采用微捷碼的Talus® netlist-to-GDSII設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)，已完成超過(guò)50次的45納米及45納米以下工藝節(jié)點(diǎn)的芯片投片，次數(shù)遠(yuǎn)超過(guò)任何其它EDA供應(yīng)商的實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)。作為微捷碼專為45/40納米及更小工藝節(jié)點(diǎn)芯片而設(shè)計(jì)的下一代實(shí)現(xiàn)平臺(tái)，Talus現(xiàn)已在廣大微捷碼客戶中得到廣泛使用，其最新版本Talus 1.1對(duì)于45/40納米工藝節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)更是展現(xiàn)出特殊的優(yōu)勢(shì)。　　就應(yīng)用類型而言，現(xiàn)已完成的45/4
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富士通微電子與臺(tái)積電合作發(fā)展28納米工藝技術(shù)

　　日本富士通微電子株式會(huì)社與臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司27日宣布，雙方同意以臺(tái)積電先進(jìn)的技術(shù)平臺(tái)為基礎(chǔ)，針對(duì)富士通微電子的28納米邏輯IC產(chǎn)品進(jìn)行生產(chǎn)、共同開(kāi)發(fā)并強(qiáng)化28納米高效能工藝。在這之前，富士通微電子與臺(tái)積電已經(jīng)就40納米工藝進(jìn)行合作。這項(xiàng)協(xié)定代表富士通微電子將延伸已經(jīng)在臺(tái)積電生產(chǎn)的40納米產(chǎn)品，雙方將共同發(fā)展最佳化的28納米高效能工藝，而首批28納米工程樣品預(yù)計(jì)于2010年年底出貨。　　這項(xiàng)先進(jìn)技術(shù)的合作將富士通微電子在先進(jìn)高速工藝與低耗電設(shè)計(jì)技術(shù)的專長(zhǎng)及優(yōu)勢(shì)，以及臺(tái)積電節(jié)能的高效能邏輯
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