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40納米
40納米 文章 進(jìn)入40納米技術(shù)社區(qū)
40納米以下客戶少 晶圓代工2012年恐供過于求
- 全球4大晶圓代工廠2010年積極擴(kuò)充40納米以下先進(jìn)制程產(chǎn)能,臺(tái)積電、聯(lián)電、全球晶圓(Global Foundries)與中芯(SMIC)資本支出金額逾100億美元。然而,目前40納米以下先進(jìn)制程客戶只有超微(AMD)、NVIDIA、賽靈思 (Xilinx)等少數(shù)大廠,隨著4大晶圓代工廠產(chǎn)能在2012年相繼開出,屆時(shí)恐有供過于求的疑慮。 2009年臺(tái)積電與全球晶圓的40納米制程技術(shù)開始進(jìn)入量產(chǎn),三星電子(Samsung Electronics)、聯(lián)電也隨后跟進(jìn),中芯則預(yù)估于2011年下半進(jìn)入量產(chǎn)
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電 晶圓代工 40納米
二線廠開火 臺(tái)積電40納米可能降價(jià)
- 晶圓代工40納米價(jià)格戰(zhàn)開打,設(shè)備商傳出, 聯(lián)電、全球晶圓(GF)、 三星近期打算以低價(jià)搶市,龍頭廠商臺(tái)積電因應(yīng)二線廠點(diǎn)燃價(jià)格戰(zhàn)戰(zhàn)火,本周舉行季度業(yè)務(wù)周時(shí),有可能同步降價(jià)因應(yīng),恐壓抑臺(tái)積電毛利與營(yíng)收動(dòng)能。 臺(tái)積電15日表示,每一個(gè)制程,都會(huì)在成本下降后,與客戶分享利潤(rùn),公司今年與客戶的價(jià)格,去年上半年就談好,不會(huì)因?yàn)槭袌?chǎng)供需有所變動(dòng)。間接否認(rèn)加入40納米價(jià)格戰(zhàn)的說法。 臺(tái)積電本周將展開季度業(yè)務(wù)周(Sales Week);據(jù)了解,臺(tái)積電內(nèi)部會(huì)針對(duì)第四季客戶需求再次確認(rèn),并先了解明年上半訂單狀況
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TSMC 2010年第二季每股盈余新臺(tái)幣1.55元 第三季增長(zhǎng)勢(shì)頭繼續(xù)
- TSMC 29日公布2010年第二季財(cái)務(wù)報(bào)告,合并營(yíng)收為新臺(tái)幣1,049.6億元,稅后純益為新臺(tái)幣402.8億元,每股盈余為新臺(tái)幣1.55元(換算成美國(guó)存托憑證每單位為0.24美元)。 與2009年同期相較,2010年第二季營(yíng)收增加41.4%,稅后純益增加64.8%,每股盈余則增加了65%。與前一季相較,2010年第二季營(yíng)收增加了13.9%,稅后純益及每股盈余皆增加了19.7%。這些財(cái)務(wù)數(shù)字皆為合并財(cái)務(wù)報(bào)表數(shù)字,并依照中國(guó)臺(tái)灣一般公認(rèn)會(huì)計(jì)準(zhǔn)則所編制。 2010年第二季毛利率為49.5%,營(yíng)
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TSMC2010年第二季每股盈余新臺(tái)幣1.55元
- TSMC昨日公布2010年第二季財(cái)務(wù)報(bào)告,合并營(yíng)收為新臺(tái)幣1,049.6億元,稅后純益為新臺(tái)幣402.8億元,每股盈余為新臺(tái)幣1.55元(換算成美國(guó)存托憑證每單位為0.24美元)。 與2009年同期相較,2010年第二季營(yíng)收增加41.4%,稅后純益增加64.8%,每股盈余則增加了65%。與前一季相較,2010年第二季營(yíng)收增加了13.9%,稅后純益及每股盈余皆增加了19.7%。這些財(cái)務(wù)數(shù)字皆為合并財(cái)務(wù)報(bào)表數(shù)字,并依照中國(guó)臺(tái)灣一般公認(rèn)會(huì)計(jì)準(zhǔn)則所編制。 2010年第二季毛利率為49.5%,營(yíng)業(yè)利
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中芯國(guó)際和Virage Logic拓展伙伴關(guān)系至40納米低漏電工藝
- 備受半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)信賴的IP供應(yīng)商Virage Logic公司 和中國(guó)最先進(jìn)的半導(dǎo)體制造商中芯國(guó)際集成電路有限公司(中芯國(guó)際,紐約證券交易所交易代碼:SMI,香港聯(lián)交所交易代碼:0981.HK)日前宣布其長(zhǎng)期合作伙伴關(guān)系擴(kuò)展到40納米(nanometer)的低漏電(low-leakage)工藝技術(shù)。Virage Logic 公司和中芯國(guó)際從最初的130納米工藝合作起便為雙方共同的客戶提供具高度差異的 IP,涵蓋的工藝廣泛還包含90納米以及65納米。根據(jù)協(xié)議條款,系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)設(shè)計(jì)人員將能夠使用 Vi
- 關(guān)鍵字: 中芯國(guó)際 40納米 低漏電
第三季度DRAM價(jià)格或下滑
- 據(jù)韓國(guó)ET NEWS報(bào)導(dǎo),過去1年2個(gè)月期間呈現(xiàn)上升趨勢(shì)的DRAM價(jià)格,可能將再度下滑。預(yù)期第3季DRAM價(jià)格將小幅下滑后止跌,但第4季將會(huì)有大幅的下滑趨勢(shì)。雖韓國(guó)企業(yè)的凈利也將減少,但對(duì)臺(tái)灣企業(yè)打擊可能更大。 據(jù)相關(guān)業(yè)者及證券師指出,自2009年4月持續(xù)上升的DRAM價(jià)格進(jìn)入第3季后可能會(huì)有 5%的價(jià)格下滑。業(yè)界相關(guān)人員表示,第3季DRAM價(jià)格依據(jù)PC業(yè)者的調(diào)降要求,可能會(huì)有5%的下滑,但DRAM供貨貨量有限制,因此下滑幅度應(yīng)不大。 摩根大通(JP Morgan Chase &
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TSMC宣布三項(xiàng)能加速系統(tǒng)規(guī)格至芯片設(shè)計(jì)完成時(shí)程的創(chuàng)新技術(shù)
- TSMC 7日宣布擴(kuò)展開放創(chuàng)新平臺(tái)服務(wù),增加著重于提供系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)、類比/混合訊號(hào)/射頻設(shè)計(jì)(analog/mixed-signal (AMS)/RF),以及二維/三維集成電路(2-D/3-D IC)的設(shè)計(jì)服務(wù)。TSMC亦同時(shí)針對(duì)上述新增的服務(wù),宣布開放創(chuàng)新平臺(tái)的三項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)。 TSMC自2008年推出促進(jìn)產(chǎn)業(yè)芯片設(shè)計(jì)的開放創(chuàng)新平臺(tái)后,幫助縮短產(chǎn)品上市時(shí)程,改善設(shè)計(jì)投資的報(bào)酬,并減少重復(fù)建構(gòu)設(shè)計(jì)工具的成本。此開放創(chuàng)新平臺(tái)包含一系列可相互操作支援的各種設(shè)計(jì)平臺(tái)介面、及合作元件與設(shè)計(jì)流程,能促進(jìn)供應(yīng)鏈
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電 芯片設(shè)計(jì) 65納米 40納米 28納米
Global Foundries加碼投資 明年40納米戰(zhàn)場(chǎng)更火熱
- 全球晶圓(Global Foundries)加入晶圓代工戰(zhàn)局后動(dòng)作頻頻,不僅合并特許半導(dǎo)體,并大幅擴(kuò)產(chǎn),更積極布局先進(jìn)制程,挑戰(zhàn)臺(tái)積電與聯(lián)電,市場(chǎng)預(yù)期,Global Foundries此次擴(kuò)充德國(guó)廠45/40納米產(chǎn)能后,加上聯(lián)電40納米制程良率提升,以及領(lǐng)先在前頭的臺(tái)積電,將使得2011年40納米戰(zhàn)場(chǎng)更為火熱。 目前40納米市場(chǎng)仍由臺(tái)積電獨(dú)大,不過此次Global Foundries的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃中,德國(guó)德勒斯登Fab1將于2011年開始量產(chǎn),并且計(jì)劃擴(kuò)充45/40納米制程,同時(shí)聯(lián)電40納米逐漸跟上
- 關(guān)鍵字: GlobalFoundries 40納米 晶圓代工
Global Foundries宣布擴(kuò)充德國(guó)與紐約12寸廠產(chǎn)能
- 全球晶圓(Global Foundries)在臺(tái)北計(jì)算機(jī)展(COMPUTEX)首日在臺(tái)舉行記者會(huì),宣布一系列擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫,執(zhí)行長(zhǎng)Douglas Grose指出,Global Foundries將擴(kuò)充12寸晶圓廠產(chǎn)能,位于德國(guó)的Fab1將成為歐洲首座Giga Fab,另外也將目前正在興建的紐約Fab8,將每月產(chǎn)能增加到6萬片。 Douglas Grose表示,德國(guó)Fab1將成為歐洲首座Giga Fab與最大的12寸廠,產(chǎn)能增加33%,由每月6萬片提升到8萬片,用以增加45奈米、40奈米與28奈米制程產(chǎn)
- 關(guān)鍵字: GlobalFoundries 45納米 40納米 28納米
SpringSoft LAKER系統(tǒng)支持TSMC 40納米技術(shù)iPDK
- 全球?qū)I(yè)IC設(shè)計(jì)軟件供貨商SpringSoft今天宣布,支持臺(tái)積電(TSMC)的40納米可相互操作制程設(shè)計(jì)套件(iPDK)。這是以SpringSoft所支持TSMC 65納米R(shí)F制程iPDK為基礎(chǔ),預(yù)計(jì)在2010年第二季結(jié)束,40納米與65納米TSMC iPDKs都將可搭配Laker™ Custom Layout Automation System量產(chǎn)使用。 兩家公司之間的合作起因于彼此對(duì)于可相互操作PDKs的支持,為全定制芯片設(shè)計(jì)人員提供制造彈性、技術(shù)選擇與設(shè)計(jì)生產(chǎn)力。Spring
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電 40納米 iPDK
光刻設(shè)備交貨延期推遲DRAM 40納米戰(zhàn)局
- 全球DRAM產(chǎn)業(yè)40納米大戰(zhàn)出現(xiàn)變量,由于浸潤(rùn)式機(jī)臺(tái)(Immersion Scanner)遞延交貨之故,瑞晶已松口表示,原本計(jì)劃年底前旗下8萬片12寸晶圓產(chǎn)能要全轉(zhuǎn)進(jìn)45納米制程的目標(biāo),將正式遞延至2011年第1季,其第1臺(tái)浸潤(rùn)式機(jī)臺(tái)本周才會(huì)正式到貨,比原訂時(shí)程晚了2~3個(gè)月,內(nèi)部已決定將8萬片產(chǎn)能全數(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)63納米制程作為應(yīng)變。DRAM業(yè)者皆認(rèn)為,全球DRAM 產(chǎn)業(yè)的40納米正式對(duì)決時(shí)間點(diǎn),會(huì)是在2011年! 瑞晶總經(jīng)理陳正坤表示,瑞晶第1臺(tái)浸潤(rùn)式機(jī)臺(tái)將于本周正式到貨,預(yù)計(jì)在9月之前會(huì)有5~6臺(tái)
- 關(guān)鍵字: 三星電子 DRAM 40納米
臺(tái)灣聯(lián)電第一季凈利潤(rùn)1.1億美元 實(shí)現(xiàn)同比扭虧
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,臺(tái)聯(lián)電(UMC)日前發(fā)布了2010年第一季度業(yè)績(jī)報(bào)告。 在今年第一季度中,臺(tái)聯(lián)電實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)34.8億元新臺(tái)幣,約合1.1億美元。去年同期聯(lián)電虧損81.6億新臺(tái)幣,而在09年第四季度,公司凈利潤(rùn)為44億新臺(tái)幣。 湯森路透調(diào)查的分析師此前普遍認(rèn)為,臺(tái)聯(lián)電第一季度有望實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)35.8億元新臺(tái)幣。 公司第一季運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)率為12.7%。這一水平低于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電同期的37%。臺(tái)積電大力推行其更為先進(jìn)的40與65納米工藝技術(shù),這部分產(chǎn)品帶來的銷售收入約占公司總收入的41%。
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)聯(lián)電 40納米 65納米
追隨三星之路 爾必達(dá)推出32GB容量模塊
- 日韓DRAM大廠制程競(jìng)賽延伸至產(chǎn)品規(guī)格之戰(zhàn),在三星電子(Samsung Electronics)于3月底,宣布推出由32GB大容量服務(wù)器內(nèi)存模塊后,日系內(nèi)存大廠爾必達(dá)(Elpida)也宣布4Gb DDR3芯片正式問世,不但采40奈米制程生產(chǎn),未來也將用此芯片生產(chǎn)32GB內(nèi)存模塊,應(yīng)用于服務(wù)器、大型數(shù)據(jù)中心或其他大型系統(tǒng)等,DRAM大廠在產(chǎn)品規(guī)格之戰(zhàn),逐漸由主流規(guī)格2Gb,延伸至4Gb容量。 爾必達(dá)22日指出,將正式推出4Gb DDR3芯片,主要是采用40納米制程生產(chǎn),且響應(yīng)近期科技產(chǎn)業(yè)吹起的環(huán)保
- 關(guān)鍵字: Samsung DRAM 40納米
DRAM供不應(yīng)求因素 供給和需求分析
- 2010年DRAM產(chǎn)業(yè)自谷底回春,不淡擺脫過去虧損連連的情況,或是各廠要求政府要紓困,幾乎每家DRAM業(yè)者都開始賺錢,且DRAM供不應(yīng)求情況越來越嚴(yán)重,價(jià)格也不斷上漲,現(xiàn)在DDR3和DDR2價(jià)格1顆3美元的情況發(fā)生在傳統(tǒng)淡季,實(shí)在少見,且缺貨的情況短期內(nèi)無法紓解。 市場(chǎng)分析主要原因可分為供給和需求兩方配合。在供給端方面,除了三星電子(SamsungElectronics)實(shí)力和財(cái)力雄厚外,廠的資本支出頂多只能應(yīng)付制程微縮的需求,沒有多余的資金可蓋新廠房。 再者,2010年各廠轉(zhuǎn)進(jìn)50或是4
- 關(guān)鍵字: DRAM 40納米
臺(tái)積電與芯片生產(chǎn)商進(jìn)行談判 訂單規(guī)模將增加
- 巴黎銀行在本周二公布的投資報(bào)告中表示,臺(tái)積電公司正在與歐洲及日本的芯片生產(chǎn)商就設(shè)備采購(gòu)問題進(jìn)行談判,這也意味著臺(tái)積電公司的訂單有可能增加。 對(duì)于巴黎銀行的報(bào)告,臺(tái)積電新聞發(fā)言人J.H. Tzeng表示,他目前無法對(duì)此事發(fā)表評(píng)論。截至臺(tái)北時(shí)間本周五上午9點(diǎn)17分,臺(tái)積電股價(jià)上漲了0.3%,報(bào)每股62.8新臺(tái)幣。目前,臺(tái)積電是全球最大的代工芯片生產(chǎn)商。 巴黎銀行分析師在其報(bào)告中表示:“臺(tái)積電計(jì)劃提高其市場(chǎng)份額并擴(kuò)大市場(chǎng)規(guī)模,同時(shí)還將進(jìn)一步豐富其IP組合。通過這些資產(chǎn)收購(gòu),臺(tái)積電及其
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