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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 40納米

40納米以下客戶少　晶圓代工2012年恐供過于求

  • 　　全球4大晶圓代工廠2010年積極擴充40納米以下先進(jìn)制程產(chǎn)能，臺積電、聯(lián)電、全球晶圓(Global Foundries)與中芯(SMIC)資本支出金額逾100億美元。然而，目前40納米以下先進(jìn)制程客戶只有超微(AMD)、NVIDIA、賽靈思 (Xilinx)等少數(shù)大廠，隨著4大晶圓代工廠產(chǎn)能在2012年相繼開出，屆時恐有供過于求的疑慮。 　　2009年臺積電與全球晶圓的40納米制程技術(shù)開始進(jìn)入量產(chǎn)，三星電子(Samsung Electronics)、聯(lián)電也隨后跟進(jìn)，中芯則預(yù)估于2011年下半進(jìn)入量產(chǎn)
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二線廠開火 臺積電40納米可能降價

  • 　　晶圓代工40納米價格戰(zhàn)開打，設(shè)備商傳出， 聯(lián)電、全球晶圓(GF)、 三星近期打算以低價搶市，龍頭廠商臺積電因應(yīng)二線廠點燃價格戰(zhàn)戰(zhàn)火，本周舉行季度業(yè)務(wù)周時，有可能同步降價因應(yīng)，恐壓抑臺積電毛利與營收動能。 　　臺積電15日表示，每一個制程，都會在成本下降后，與客戶分享利潤，公司今年與客戶的價格，去年上半年就談好，不會因為市場供需有所變動。間接否認(rèn)加入40納米價格戰(zhàn)的說法。 　　臺積電本周將展開季度業(yè)務(wù)周(Sales Week);據(jù)了解，臺積電內(nèi)部會針對第四季客戶需求再次確認(rèn)，并先了解明年上半訂單狀況
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TSMC 2010年第二季每股盈余新臺幣1.55元 第三季增長勢頭繼續(xù)

  • 　　TSMC 29日公布2010年第二季財務(wù)報告，合并營收為新臺幣1,049.6億元，稅后純益為新臺幣402.8億元，每股盈余為新臺幣1.55元(換算成美國存托憑證每單位為0.24美元)。 　　與2009年同期相較，2010年第二季營收增加41.4%，稅后純益增加64.8%，每股盈余則增加了65%。與前一季相較，2010年第二季營收增加了13.9%，稅后純益及每股盈余皆增加了19.7%。這些財務(wù)數(shù)字皆為合并財務(wù)報表數(shù)字，并依照中國臺灣一般公認(rèn)會計準(zhǔn)則所編制。 　　2010年第二季毛利率為49.5%，營
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TSMC2010年第二季每股盈余新臺幣1.55元

  • 　　TSMC昨日公布2010年第二季財務(wù)報告，合并營收為新臺幣1,049.6億元，稅后純益為新臺幣402.8億元，每股盈余為新臺幣1.55元(換算成美國存托憑證每單位為0.24美元)。 　　與2009年同期相較，2010年第二季營收增加41.4%，稅后純益增加64.8%，每股盈余則增加了65%。與前一季相較，2010年第二季營收增加了13.9%，稅后純益及每股盈余皆增加了19.7%。這些財務(wù)數(shù)字皆為合并財務(wù)報表數(shù)字，并依照中國臺灣一般公認(rèn)會計準(zhǔn)則所編制。 　　2010年第二季毛利率為49.5%，營業(yè)利
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中芯國際和Virage Logic拓展伙伴關(guān)系至40納米低漏電工藝

  • 　　備受半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)信賴的IP供應(yīng)商Virage Logic公司 和中國最先進(jìn)的半導(dǎo)體制造商中芯國際集成電路有限公司(中芯國際，紐約證券交易所交易代碼：SMI，香港聯(lián)交所交易代碼：0981.HK)日前宣布其長期合作伙伴關(guān)系擴展到40納米(nanometer)的低漏電(low-leakage)工藝技術(shù)。Virage Logic 公司和中芯國際從最初的130納米工藝合作起便為雙方共同的客戶提供具高度差異的 IP，涵蓋的工藝廣泛還包含90納米以及65納米。根據(jù)協(xié)議條款，系統(tǒng)級芯片(SoC)設(shè)計人員將能夠使用 Vi
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第三季度DRAM價格或下滑

  • 　　據(jù)韓國ET NEWS報導(dǎo)，過去1年2個月期間呈現(xiàn)上升趨勢的DRAM價格，可能將再度下滑。預(yù)期第3季DRAM價格將小幅下滑后止跌，但第4季將會有大幅的下滑趨勢。雖韓國企業(yè)的凈利也將減少，但對臺灣企業(yè)打擊可能更大。 　　據(jù)相關(guān)業(yè)者及證券師指出，自2009年4月持續(xù)上升的DRAM價格進(jìn)入第3季后可能會有 5%的價格下滑。業(yè)界相關(guān)人員表示，第3季DRAM價格依據(jù)PC業(yè)者的調(diào)降要求，可能會有5%的下滑，但DRAM供貨貨量有限制，因此下滑幅度應(yīng)不大。 　　摩根大通(JP Morgan Chase &
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TSMC宣布三項能加速系統(tǒng)規(guī)格至芯片設(shè)計完成時程的創(chuàng)新技術(shù)

  • 　　TSMC 7日宣布擴展開放創(chuàng)新平臺服務(wù)，增加著重于提供系統(tǒng)級設(shè)計、類比/混合訊號/射頻設(shè)計(analog/mixed-signal (AMS)/RF)，以及二維/三維集成電路(2-D/3-D IC)的設(shè)計服務(wù)。TSMC亦同時針對上述新增的服務(wù)，宣布開放創(chuàng)新平臺的三項創(chuàng)新技術(shù)。 　　TSMC自2008年推出促進(jìn)產(chǎn)業(yè)芯片設(shè)計的開放創(chuàng)新平臺后，幫助縮短產(chǎn)品上市時程，改善設(shè)計投資的報酬，并減少重復(fù)建構(gòu)設(shè)計工具的成本。此開放創(chuàng)新平臺包含一系列可相互操作支援的各種設(shè)計平臺介面、及合作元件與設(shè)計流程，能促進(jìn)供應(yīng)鏈
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Global Foundries加碼投資 明年40納米戰(zhàn)場更火熱

  • 　　全球晶圓(Global Foundries)加入晶圓代工戰(zhàn)局后動作頻頻，不僅合并特許半導(dǎo)體，并大幅擴產(chǎn)，更積極布局先進(jìn)制程，挑戰(zhàn)臺積電與聯(lián)電，市場預(yù)期，Global Foundries此次擴充德國廠45/40納米產(chǎn)能后，加上聯(lián)電40納米制程良率提升，以及領(lǐng)先在前頭的臺積電，將使得2011年40納米戰(zhàn)場更為火熱。 　　目前40納米市場仍由臺積電獨大，不過此次Global Foundries的擴產(chǎn)計劃中，德國德勒斯登Fab1將于2011年開始量產(chǎn)，并且計劃擴充45/40納米制程，同時聯(lián)電40納米逐漸跟上
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Global Foundries宣布擴充德國與紐約12寸廠產(chǎn)能

  • 　　全球晶圓(Global Foundries)在臺北計算機展(COMPUTEX)首日在臺舉行記者會，宣布一系列擴產(chǎn)計畫，執(zhí)行長Douglas Grose指出，Global Foundries將擴充12寸晶圓廠產(chǎn)能，位于德國的Fab1將成為歐洲首座Giga Fab，另外也將目前正在興建的紐約Fab8，將每月產(chǎn)能增加到6萬片。 　　Douglas Grose表示，德國Fab1將成為歐洲首座Giga Fab與最大的12寸廠，產(chǎn)能增加33%，由每月6萬片提升到8萬片，用以增加45奈米、40奈米與28奈米制程產(chǎn)
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SpringSoft LAKER系統(tǒng)支持TSMC 40納米技術(shù)iPDK

  • 　　全球?qū)I(yè)IC設(shè)計軟件供貨商SpringSoft今天宣布，支持臺積電(TSMC)的40納米可相互操作制程設(shè)計套件(iPDK)。這是以SpringSoft所支持TSMC 65納米RF制程iPDK為基礎(chǔ)，預(yù)計在2010年第二季結(jié)束，40納米與65納米TSMC iPDKs都將可搭配Laker™ Custom Layout Automation System量產(chǎn)使用。 　　兩家公司之間的合作起因于彼此對于可相互操作PDKs的支持，為全定制芯片設(shè)計人員提供制造彈性、技術(shù)選擇與設(shè)計生產(chǎn)力。Spring
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光刻設(shè)備交貨延期推遲DRAM 40納米戰(zhàn)局

  • 　　全球DRAM產(chǎn)業(yè)40納米大戰(zhàn)出現(xiàn)變量，由于浸潤式機臺(Immersion Scanner)遞延交貨之故，瑞晶已松口表示，原本計劃年底前旗下8萬片12寸晶圓產(chǎn)能要全轉(zhuǎn)進(jìn)45納米制程的目標(biāo)，將正式遞延至2011年第1季，其第1臺浸潤式機臺本周才會正式到貨，比原訂時程晚了2~3個月，內(nèi)部已決定將8萬片產(chǎn)能全數(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)63納米制程作為應(yīng)變。DRAM業(yè)者皆認(rèn)為，全球DRAM 產(chǎn)業(yè)的40納米正式對決時間點，會是在2011年! 　　瑞晶總經(jīng)理陳正坤表示，瑞晶第1臺浸潤式機臺將于本周正式到貨，預(yù)計在9月之前會有5~6臺
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臺灣聯(lián)電第一季凈利潤1.1億美元 實現(xiàn)同比扭虧

  • 　　據(jù)國外媒體報道，臺聯(lián)電(UMC)日前發(fā)布了2010年第一季度業(yè)績報告。 　　在今年第一季度中，臺聯(lián)電實現(xiàn)凈利潤34.8億元新臺幣，約合1.1億美元。去年同期聯(lián)電虧損81.6億新臺幣，而在09年第四季度，公司凈利潤為44億新臺幣。 　　湯森路透調(diào)查的分析師此前普遍認(rèn)為，臺聯(lián)電第一季度有望實現(xiàn)凈利潤35.8億元新臺幣。 　　公司第一季運營利潤率為12.7%。這一水平低于競爭對手臺積電同期的37%。臺積電大力推行其更為先進(jìn)的40與65納米工藝技術(shù)，這部分產(chǎn)品帶來的銷售收入約占公司總收入的41%。 　
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追隨三星之路　爾必達(dá)推出32GB容量模塊

  • 　　日韓DRAM大廠制程競賽延伸至產(chǎn)品規(guī)格之戰(zhàn)，在三星電子(Samsung Electronics)于3月底，宣布推出由32GB大容量服務(wù)器內(nèi)存模塊后，日系內(nèi)存大廠爾必達(dá)(Elpida)也宣布4Gb DDR3芯片正式問世，不但采40奈米制程生產(chǎn)，未來也將用此芯片生產(chǎn)32GB內(nèi)存模塊，應(yīng)用于服務(wù)器、大型數(shù)據(jù)中心或其他大型系統(tǒng)等，DRAM大廠在產(chǎn)品規(guī)格之戰(zhàn)，逐漸由主流規(guī)格2Gb，延伸至4Gb容量。 　　爾必達(dá)22日指出，將正式推出4Gb DDR3芯片，主要是采用40納米制程生產(chǎn)，且響應(yīng)近期科技產(chǎn)業(yè)吹起的環(huán)保
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DRAM供不應(yīng)求因素 供給和需求分析

  • 　　2010年DRAM產(chǎn)業(yè)自谷底回春，不淡擺脫過去虧損連連的情況，或是各廠要求政府要紓困，幾乎每家DRAM業(yè)者都開始賺錢，且DRAM供不應(yīng)求情況越來越嚴(yán)重，價格也不斷上漲，現(xiàn)在DDR3和DDR2價格1顆3美元的情況發(fā)生在傳統(tǒng)淡季，實在少見，且缺貨的情況短期內(nèi)無法紓解。 　　市場分析主要原因可分為供給和需求兩方配合。在供給端方面，除了三星電子(SamsungElectronics)實力和財力雄厚外，廠的資本支出頂多只能應(yīng)付制程微縮的需求，沒有多余的資金可蓋新廠房。 　　再者，2010年各廠轉(zhuǎn)進(jìn)50或是4
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臺積電與芯片生產(chǎn)商進(jìn)行談判 訂單規(guī)模將增加

  • 　　巴黎銀行在本周二公布的投資報告中表示，臺積電公司正在與歐洲及日本的芯片生產(chǎn)商就設(shè)備采購問題進(jìn)行談判，這也意味著臺積電公司的訂單有可能增加。 　　對于巴黎銀行的報告，臺積電新聞發(fā)言人J.H. Tzeng表示，他目前無法對此事發(fā)表評論。截至臺北時間本周五上午9點17分，臺積電股價上漲了0.3%，報每股62.8新臺幣。目前，臺積電是全球最大的代工芯片生產(chǎn)商。 　　巴黎銀行分析師在其報告中表示：“臺積電計劃提高其市場份額并擴大市場規(guī)模，同時還將進(jìn)一步豐富其IP組合。通過這些資產(chǎn)收購，臺積電及其
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40納米介紹

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