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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 4nm 工藝

臺(tái)積電呼吁開放工藝以抗衡英特爾

  • 　　據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，針對(duì)英特爾公司在中國的芯片工廠獲得批準(zhǔn)的傳言，全球第一大芯片代工巨頭臺(tái)積電公司的董事長張忠謀日前對(duì)媒體表示，臺(tái)灣地區(qū)行政機(jī)構(gòu)應(yīng)該加速對(duì)大陸地區(qū)開放半導(dǎo)體先進(jìn)工藝，否則臺(tái)灣廠商在內(nèi)地將處于落后境地。 　　去年年底，臺(tái)灣行政機(jī)構(gòu)剛剛批準(zhǔn)了島內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)向大陸地區(qū)輸出0.18微米線寬的8英寸芯片生產(chǎn)工藝。 　　英特爾公司目前沒有對(duì)在中國的芯片工廠進(jìn)行證實(shí)，根據(jù)傳言，這座芯片廠將采用90納米工藝，位于中國北方的大連。90納米工藝已經(jīng)比臺(tái)灣廠商獲準(zhǔn)在大陸使用的180納米工藝(即0.18微
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ARM發(fā)布基于TSMC 90納米工藝的DDR1和DDR2存儲(chǔ)器接口IP

  • ARM發(fā)布首款可即量產(chǎn)的基于TSMC 90納米工藝的DDR1和DDR2存儲(chǔ)器接口IP Velocity DDR存儲(chǔ)器接口獲得TSMC IP質(zhì)量認(rèn)證 ARM公司發(fā)布了其Artisan® 物理IP系列中的ARM® VelocityTM DDR1和DDR2（1/2）存儲(chǔ)器接口，支持TSMC的90納米通用工藝。ARM Velocity DDR1/2存儲(chǔ)器接口是第一個(gè)通過TSMC IP質(zhì)量安全測試的9
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LIN及混合信號(hào)工藝的發(fā)展提升汽車傳感器與傳動(dòng)裝置性能

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4nm 工藝介紹

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