首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 4nm 工藝

高通驍龍 8 至尊版 2 芯片曝料：單核破 4000 分，多核提升超 20%

  • 11 月 12 日消息，消息源 Jukanlosreve 昨日（11 月 11 日）在 X 平臺發(fā)布推文，曝料稱高通第二代驍龍 8 至尊版芯片在 GeekBench 6 單核成績突破 4000 分，多核性能比初代驍龍 8 至尊版提升 20%。援引消息源信息，高通第二代驍龍 8 至尊版芯片（高通驍龍 8Gen 5）將混合使用三星的 SF2 代工和臺積電的 N3P 工藝。消息源還透露高通第二代驍龍 8 至尊版芯片和聯(lián)發(fā)科天璣 9500 芯片均支持可擴展矩陣擴展（Scalable Matrix Extensio
  • 關(guān)鍵字： 高通  驍龍  單核  多核  三星  SF2 代工  臺積電的  N3P 工藝  

半導體行業(yè)最高性能！Eliyan 推出芯粒互連 PHY：3nm 工藝、64Gbps / bump

  • IT之家 10 月 12 日消息，Eliyan 公司于 10 月 9 日發(fā)布博文，宣布在美國加州成功交付首批 NuLink?-2.0 芯粒互連 PHY，該芯片采用 3nm 工藝制造。這項技術(shù)不僅實現(xiàn)了 64Gbps / bump 的行業(yè)最高性能，還在多芯粒架構(gòu)中提供了卓越的帶寬和低功耗解決方案，標志著半導體互連領(lǐng)域的一次重大突破。IT之家注：芯粒互連 PHY 是一種用于連接多個芯片小塊（chiplet）的物理層接口，旨在實現(xiàn)高帶寬、低延遲和低功耗的數(shù)據(jù)傳輸。Eliyan 的芯片互連 P
  • 關(guān)鍵字： 芯片  芯片設(shè)計  工藝  

臺積電美國晶圓廠4nm試產(chǎn)良率已與在臺工廠相近

  • 據(jù)彭博社援引消息稱，臺積電美國亞利桑那州晶圓廠項目首座工廠4nm產(chǎn)線的試產(chǎn)良率已與臺積電位于臺灣地區(qū)的南科廠良率相近。臺積電在回應彭博社報道的電子郵件中表示，其亞利桑那州項目“正在按計劃進行，進展良好”。根據(jù)此前的信息顯示，臺積電美國亞利桑那州的第一座晶圓廠在今年4月中旬完成了第一條生產(chǎn)線的架設(shè)，并開始接電并投入基于4nm制程進行工程測試晶圓的生產(chǎn)，而根據(jù)彭博社最新的報道來看，基于該生產(chǎn)線的第一批試產(chǎn)的4nm晶圓良率如果與南科廠良率相當，那么表明其后續(xù)如果量產(chǎn)，良率將不是問題。根據(jù)規(guī)劃，臺積電將在美國亞利
  • 關(guān)鍵字： 臺積電  晶圓  4nm  

不再執(zhí)著制造工藝 華為：以系統(tǒng)設(shè)計工程建設(shè)消除芯片代差

  • 多年來持續(xù)試跨越芯片制造工藝代差的華為公司29日表示，通過系統(tǒng)的設(shè)計和工程建設(shè)能解決算力與分析能力的問題，從而消除在芯片上的代差。未來芯片創(chuàng)新不應只在單點的芯片工藝上，而是應該在系統(tǒng)架構(gòu)上，要用空間、帶寬、能源來換取芯片工藝上的缺陷。據(jù)《快科技》報導，在今天的數(shù)據(jù)大會上，華為常務董事張平安就芯片技術(shù)發(fā)展發(fā)言指出，「通過系統(tǒng)的設(shè)計和工程建設(shè)可以解決我們整體數(shù)字中心的能力、算力和分析能力問題，可以消除我們在芯片上的代差。」張平安說，「在華為看來，AI數(shù)據(jù)中心耗能非常大，人工智能耗能更多，需要數(shù)能結(jié)合?！乖谶@之
  • 關(guān)鍵字： 工藝  華為  系統(tǒng)設(shè)計  芯片代差  

高通入門級驍龍4s Gen2發(fā)布：三星4nm、主頻2.0GHz

  • 7月29日消息，高通正式發(fā)布了新款移動平臺驍龍4s Gen 2，這款芯片定位于入門級市場，采用三星4nm工藝技術(shù)。CPU為八核心設(shè)計，包括2個最高可達2.0GHz的A78內(nèi)核和6個A55內(nèi)核，最高頻率為1.8GHz。這款芯片支持Wi-Fi 5、藍牙5.1、5G NR，以及最高8400萬像素的照片拍攝和1080P 60P視頻錄制，同時兼容FHD+ 90Hz屏幕和最高2133MHz的LPDDR4X運行內(nèi)存。與前代產(chǎn)品高通驍龍4 Gen 2相比，驍龍4s Gen 2的多項性能參數(shù)有所降低，例如CPU大核主頻從2
  • 關(guān)鍵字： 高通  驍龍  4s Gen2  三星  4nm  主頻2.0GHz  

臺積電高管張曉強：不在乎摩爾定律是死是活

  • 近日，臺積電業(yè)務發(fā)展高級副總裁張曉強博士在接受采訪時被問到，如何看待“摩爾定律已死”的說法，而他的回答非常直接：“很簡單，不在乎。只要我們能繼續(xù)推動工藝進步，我就不在乎摩爾定律是活著，還是死了。”在張曉強看來，臺積電的優(yōu)勢在于，每年都能投產(chǎn)一種新的制程工藝，為客戶改進性能、功耗和面積 （PPA）指標進。比如說最近十年來，蘋果一直是臺積電的頭號客戶，而蘋果A/M系列處理器的演進，正好反映了臺積電工藝的變化。此外，AMD Instinct MI300X / MI300A、NVIDIA H100/B200/GB
  • 關(guān)鍵字： 臺積電  摩爾定律  工藝  

Intel 3 “3nm 級”工藝技術(shù)正在大批量生產(chǎn)

  • 英特爾周三表示，其名為Intel 3的3nm級工藝技術(shù)已在兩個工廠進入大批量生產(chǎn)，并提供了有關(guān)新生產(chǎn)節(jié)點的一些額外細節(jié)。新工藝帶來了更高的性能和更高的晶體管密度，并支持1.2V的電壓，適用于超高性能應用。該節(jié)點針對的是英特爾自己的產(chǎn)品以及代工客戶。它還將在未來幾年內(nèi)發(fā)展。英特爾代工技術(shù)開發(fā)副總裁Walid Hafez表示：“我們的英特爾3正在俄勒岡州和愛爾蘭的工廠進行大批量生產(chǎn)，包括最近推出的Xeon 6'Sierra Forest'和'Granite Rapids'處理器
  • 關(guān)鍵字： Intel 3  3nm   工藝  

谷歌已經(jīng)與臺積電達成合作：首款芯片為Tensor G5，選擇3nm工藝制造

  • 此前有報道稱，明年谷歌可能會改變策略，在用于Pixel 10系列的Tensor G5上更換代工廠，改用臺積電代工，至少在制造工藝上能與高通和聯(lián)發(fā)科的SoC處于同一水平線。為了更好地進行過渡，谷歌將擴大在中國臺灣地區(qū)的研發(fā)中心。隨后泄露的數(shù)據(jù)庫信息表明，谷歌已經(jīng)開始與臺積電展開合作，將Tensor G5的樣品發(fā)送出去做驗證。據(jù)Wccftech報道，谷歌與臺積電已達成了一項協(xié)議，后者將為Pixel系列產(chǎn)品線生產(chǎn)完全定制的Tensor G系列芯片。谷歌希望新款SoC不再受到良品率的困擾，而Tenso
  • 關(guān)鍵字： 谷歌  臺積電  Tensor G5  3nm  工藝  

4nm→2nm，三星或升級美國德州泰勒晶圓廠制程節(jié)點

  • 根據(jù)韓國媒體Etnews的報導，晶圓代工大廠三星正在考慮將其設(shè)在美國德州泰勒市的晶圓廠制程技術(shù)，從原計劃的4納米改為2納米，以加強與臺積電美國廠和英特爾的競爭。消息人士稱，三星電子最快將于第三季做出最終決定。報導指出，三星的美國德州泰勒市晶圓廠投資于2021年，2022年開始興建，計劃于2024年底開始分階段運營。以三星電子DS部門前負責人Lee Bong-hyun之前的說法表示，到2024年底，我們將開始從這里出貨4納米節(jié)點制程的產(chǎn)品。不過，相較于三星泰勒市晶圓廠，英特爾計劃2024年在亞利桑那州和俄亥
  • 關(guān)鍵字： 4nm  2nm  三星  晶圓廠  制程節(jié)點  

全新芯片技術(shù)亮相：不增加功耗 / 熱量提高 CPU 性能最高 100 倍

  • IT之家 6 月 19 日消息，名為 Flow Computing 的芬蘭公司宣布新的研究成果，成功研發(fā)出全新的芯片，可以讓 CPU 性能翻倍，而且可以通過軟件優(yōu)化性能提高最多 100 倍。Flow Computing 演示了全新的并行處理單元（PPU），該公司聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官 Timo Valtonen 認為這項技術(shù)有著廣泛的應用前景：“CPU 是計算中最薄弱的環(huán)節(jié)。它無法勝任自己的任務，這一點需要改變?！痹撔酒夹g(shù)涉及一個配套芯片，不產(chǎn)生額外功耗或者更多熱量的情況下，能實時優(yōu)化處理任務
  • 關(guān)鍵字： CPU  工藝  荷蘭  

三星電子重申 SF1.4 工藝有望于 2027 年量產(chǎn)，計劃進軍共封裝光學領(lǐng)域

  • IT之家 6 月 13 日消息，三星電子在當?shù)貢r間 6 月 12 日舉行的三星代工論壇 2024 北美場上重申，其 SF1.4 工藝有望于 2027 年量產(chǎn)，回擊了此前的媒體傳聞。三星表示其 1.4nm 級工藝準備工作進展順利，預計可于 2027 年在性能和良率兩方面達到量產(chǎn)里程碑。此外，三星電子正在通過材料和結(jié)構(gòu)方面的創(chuàng)新，積極研究后 1.4nm 時代的先進邏輯制程技術(shù)，實現(xiàn)三星不斷超越摩爾定律的承諾。三星電子同步確認，其仍計劃在 2024 下半年量產(chǎn)第二代 3nm 工藝 SF3。而在更傳統(tǒng)的
  • 關(guān)鍵字： 三星  1.4nm  晶圓代工  

新型存儲技術(shù)迎制程突破

  • 近日，三星電子對外表示，8nm版本的eMRAM開發(fā)已基本完成，正按計劃逐步推進制程升級。資料顯示，eMRAM是一種基于磁性原理的、非易失性的新型存儲技術(shù)，屬于面向嵌入式領(lǐng)域的MRAM（磁阻存儲器）。與傳統(tǒng)DRAM相比，eMRAM具備更快存取速度與更高耐用性，不需要像DRAM一樣刷新數(shù)據(jù)，同時寫入速度是NAND的1000倍數(shù)?；谏鲜鎏匦?，業(yè)界看好eMRAM未來前景，尤其是在對性能、能效以及耐用性較高的場景中，eMRAM被寄予厚望。三星電子是eMRAM主要生產(chǎn)商之一，致力于推動eMRAM在汽車領(lǐng)域的應用。三
  • 關(guān)鍵字： 存儲  工藝  三星  

臺積電準備推出基于12和5nm工藝節(jié)點的下一代HBM4基礎(chǔ)芯片

  • 在 HBM4 內(nèi)存帶來的幾大變化中，最直接的變化之一就是內(nèi)存接口的寬度。隨著第四代內(nèi)存標準從已經(jīng)很寬的 1024 位接口升級到超寬的 2048 位接口，HBM4 內(nèi)存堆棧將不會像以前一樣正常工作；芯片制造商需要采用比現(xiàn)在更先進的封裝方法，以適應更寬的內(nèi)存。作為 2024 年歐洲技術(shù)研討會演講的一部分，臺積電提供了一些有關(guān)其將為 HBM4 制造的基礎(chǔ)模具的新細節(jié)，這些模具將使用邏輯工藝制造。由于臺積電計劃采用其 N12 和 N5 工藝的變體來完成這項任務，該公司有望在 HBM4 制造工藝中占據(jù)有
  • 關(guān)鍵字： 臺積電  12nm  5nm  工藝  HBM4  基礎(chǔ)芯片  

Intel 14A工藝至關(guān)重要！2025年之后穩(wěn)定領(lǐng)先

  • 這幾年，Intel以空前的力度推進先進制程工藝，希望以最快的速度反超臺積電，重奪領(lǐng)先地位，現(xiàn)在又重申了這一路線，尤其是意欲通過未來的14A 1.4nm級工藝，在未來鞏固自己的領(lǐng)先地位。目前，Intel正在按計劃實現(xiàn)其“四年五個制程節(jié)點”的目標，Intel 7工藝、采用EUV極紫外光刻技術(shù)的Intel 4和Intel 3均已實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。其中，Intel 3作為升級版，應用于服務器端的Sierra Forest、Granite Rapids，將在今年陸續(xù)發(fā)布，其中前者首次采用純E核設(shè)計，最多288個。In
  • 關(guān)鍵字： 英特爾  晶圓  芯片  先進制程  1.4nm  

三星 AI 推理芯片 Mach-1 即將原型試產(chǎn)，有望基于 4nm 工藝

  • 5 月 10 日消息，韓媒 ZDNet Korea 援引業(yè)內(nèi)人士的話稱，三星電子的 AI 推理芯片 Mach-1 即將以 MPW（多項目晶圓）的方式進行原型試產(chǎn)，有望基于三星自家的 4nm 工藝。這位業(yè)內(nèi)人士還表示，不排除 Mach-1 采用 5nm 工藝的可能。三星已為 Mach-1 定下了時間表：今年下半年量產(chǎn)、今年底交付芯片、明年一季度交付基于該芯片的推理服務器。同時三星也已獲得了 Naver 至高 1 萬億韓元（當前約 52.8 億元人民幣）的預訂單。雖然三星電子目前能提供 3nm 代工，但在 M
  • 關(guān)鍵字： 三星  AI  Mach-1  原型試產(chǎn)  4nm 工藝  
共228條 1/16 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

4nm 工藝介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條4nm 工藝!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對4nm 工藝的理解，并與今后在此搜索4nm 工藝的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473