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華潤(rùn)上華于上海舉辦首場(chǎng)BCD系列工藝技術(shù)論壇

  • 華潤(rùn)微電子有限公司(“華潤(rùn)微電子”)旗下華潤(rùn)上華科技有限公司(后簡(jiǎn)稱“華潤(rùn)上華”)于上海舉辦技術(shù)論壇，主題為“BCD系列工藝技術(shù)為綠色節(jié)能IC產(chǎn)品增值”。本次論壇由上海市集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)協(xié)辦，是該協(xié)會(huì)首次與企業(yè)合作舉辦論壇，也是華潤(rùn)上華舉辦的第一場(chǎng)針對(duì)某個(gè)工藝的小型專題技術(shù)論壇。論壇吸引了共計(jì)100余位來自模擬IC設(shè)計(jì)公司的聽眾。
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傳感器制造工藝的分類和介紹

  • 傳感器的發(fā)展和傳感器制造的工藝有著密切的聯(lián)系，在近現(xiàn)代的科技發(fā)展中，制造工藝的進(jìn)步也促進(jìn)了傳感器制造業(yè)的進(jìn)步。傳感器在近現(xiàn)代主要的制造工藝有四種，分別是集成傳感器、薄膜傳感器、厚膜傳感器和陶瓷傳感器。
  • 關(guān)鍵字： 介紹  分類  工藝  制造  傳感器  

波導(dǎo)SOl刻蝕工藝特點(diǎn)

  • 刻蝕即通過物理或化學(xué)的方法去除非光刻膠或硬掩膜覆蓋區(qū)域的材料。通常有兩種方法，分別為干法刻蝕和濕法刻蝕，它們各有優(yōu)缺點(diǎn)。但對(duì)于工藝靈活性、刻蝕精確度和可重復(fù)性等方面來說，干法刻蝕居主導(dǎo)地位。對(duì)于SOl波導(dǎo)
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波導(dǎo)SOl化學(xué)氣相沉積工藝特點(diǎn)

  • 對(duì)于SOl波導(dǎo)來說，CVD技術(shù)一般用來淀積其上包層，通常為二氧化硅或氮化硅。對(duì)于調(diào)制器等有源器件來說，這一層還起著隔離金屬電極減小電極對(duì)波導(dǎo)造成損耗的作用，所以厚度一定要選擇合適，不能太薄，如果薄了就不能起
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硅襯底LED芯片制造工藝分析

  • 目前日本日亞公司壟斷了藍(lán)寶石襯底上GaN基LED專利技術(shù)，美國(guó)CREE公司壟斷了SiC襯底上 GaN基LED專利技術(shù)。因此，研發(fā)其他襯底上的GaN基LED生產(chǎn)技術(shù)成為國(guó)際上的一個(gè)熱點(diǎn)。南昌大學(xué)與廈門華聯(lián)電子有限公司合作承擔(dān)了國(guó)
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解析變壓器繞制工藝

  • 標(biāo)簽：變壓器變壓器 bian ya qi利用電磁感應(yīng)的原理來改變交流電壓的裝置，主要構(gòu)件是初級(jí)線圈、次級(jí)線圈和鐵心(磁芯)。在電器設(shè)備和無線電路中，常用作升降電壓、匹配阻抗，安全隔離等。變壓器的最基本型式，包括兩組
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40V高壓液晶顯示驅(qū)動(dòng)芯片工藝的開發(fā)

  • 隨著液晶面板的興起以及越來越大的尺寸，高壓LCD驅(qū)動(dòng)日漸受到市場(chǎng)的關(guān)注，但高電壓(40V以上)工藝在中國(guó)基本還處于空白。本文著重介紹40V高壓工藝平臺(tái)所面臨的主要問題和關(guān)鍵工藝：銻注入，外延生長(zhǎng)之后的光刻對(duì)準(zhǔn)和非
  • 關(guān)鍵字： 工藝  開發(fā)  芯片  驅(qū)動(dòng)  高壓  液晶顯示  40V  

基于1.0μm CMOS工藝的鋸齒波振蕩電路設(shè)計(jì)

  • 本文以比較器為基本電路，采用恒流源充放電技術(shù)，設(shè)計(jì)了一種基于1.0mu;m CMOS工藝的鋸齒波振蕩電路，并對(duì)其各單元組成電路的設(shè)計(jì)進(jìn)行了闡述。同時(shí)利用Cadence Hspice仿真工具對(duì)電路進(jìn)行了仿真模擬，結(jié)果表明，鋸齒波
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基于CMOS工藝的高阻抗并行A/D芯片TLC5510

  • 1　概述TLC5510是美國(guó)TI公司生產(chǎn)的新型模數(shù)轉(zhuǎn)換器件(ADC)，它是一種采用CMOS工藝制造的8位高阻抗并行A/D芯片，能提供的最小采樣率為20MSPS。由于TLC5510采用了半閃速結(jié)構(gòu)及CMOS工藝，因而大大減少了器件中比較器的數(shù)
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基于實(shí)例的智能工藝設(shè)計(jì)系統(tǒng)介紹

  • 1 引言　　作為連接設(shè)計(jì)和制造的橋梁和紐帶，CAPP不僅是制造企業(yè)準(zhǔn)備工作的首要步驟，而且是企業(yè)各部門信急交匯的重要環(huán)節(jié)。由于CAPP在CIMS中的地位和作用，工藝規(guī)劃的自動(dòng)生成(也即智能工藝設(shè)計(jì))被視為生產(chǎn)自動(dòng)化中
  • 關(guān)鍵字： 系統(tǒng)  介紹  設(shè)計(jì)  工藝  實(shí)例  智能  基于  

采用CSMC工藝的零延時(shí)緩沖器的PLL設(shè)計(jì)

  • 1 引言　　本文在傳統(tǒng)鎖相環(huán)結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上進(jìn)行改進(jìn)，設(shè)計(jì)了一款用于多路輸出時(shí)鐘緩沖器中的鎖相環(huán)，其主 要結(jié)構(gòu)包括分頻器、鑒頻鑒相器(PFD)、電荷泵、環(huán)路濾波器和壓控振蕩器(VCO)。在鑒相器前采用預(yù) 分頻結(jié)構(gòu)減小時(shí)
  • 關(guān)鍵字： CSMC  PLL  工藝  零延時(shí)    

硅襯底LED芯片簡(jiǎn)介及主要制造工藝分析

  • 目前日本日亞公司壟斷了藍(lán)寶石襯底上GaN基LED專利技術(shù)，美國(guó)CREE公司壟斷了SiC襯底上 GaN基LED專利技術(shù)。因此，研發(fā)其他襯底上的GaN基LED生產(chǎn)技術(shù)成為國(guó)際上的一個(gè)熱點(diǎn)。南昌大學(xué)與廈門華聯(lián)電子有限公司合作承擔(dān)了國(guó)
  • 關(guān)鍵字： 工藝  分析  制造  主要  芯片  簡(jiǎn)介  LED  

安森美推出High-Q IPD工藝設(shè)計(jì)套件

  • 應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)宣布提供針對(duì)公司High-Q?集成無源器件(IPD)工藝的完整從前到后工序工藝設(shè)計(jì)套件(PDK)。這PDK開發(fā)是為了配合安捷倫科技的先進(jìn)設(shè)計(jì)系統(tǒng)(ADS) 2011電子設(shè)計(jì)輔助(EDA)軟件一起使用，使安森美半導(dǎo)體及安捷倫科技的客戶能夠充分利用業(yè)界最全面射頻(RF)及微波設(shè)計(jì)平臺(tái)的優(yōu)勢(shì)。
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新型霓虹燈的制作工藝

  • 每逢夜幕降臨，街市上華燈初亮，而獨(dú)樹一枝的五彩霓虹燈顯得格外亮麗醒目，它將賓館、大廈、商場(chǎng)及娛樂城裝飾得多姿多彩。然而這種傳統(tǒng)的霓虹燈制作工藝復(fù)雜，造價(jià)成本高、耗電驚人，維修難又容易遭破損等問題。新型
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CMOS工藝多功能數(shù)字芯片的輸出緩沖電路設(shè)計(jì)

  • 摘要：為了提高數(shù)字集成電路芯片的驅(qū)動(dòng)能力，采用優(yōu)化比例因子的等比緩沖器鏈方法，通過Hspice軟件仿真和版圖設(shè)計(jì)測(cè)試，提出了一種基于CSMC 2P2M 0．6mu;m CMOS工藝的輸出緩沖電路設(shè)計(jì)方案。本文完成了系統(tǒng)的電原理
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4nm 工藝介紹

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