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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 4nm 工藝

我國大規(guī)模集成電路制造重大專項進(jìn)入實施階段

  • 　　新華網(wǎng)北京3月27日電記者 27日從科技部獲悉,我國“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”重大專項進(jìn)入全面實施階段? 　　據(jù)介紹,“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”重大專項旨在開發(fā)集成電路關(guān)鍵制造裝備,掌握具有自主知識產(chǎn)權(quán)的成套先進(jìn)工藝及相關(guān)新材料技術(shù),打破我國高端集成電路制造裝備與工藝完全依賴進(jìn)口的狀況,帶動相關(guān)產(chǎn)業(yè)的技術(shù)提升和結(jié)構(gòu)調(diào)整? 　　重大專項是實現(xiàn)我國中長期科技發(fā)展規(guī)劃的一項重要內(nèi)容,黨中央?國務(wù)院高度重視重大專項的實施工作,多次召開
  • 關(guān)鍵字： 集成電路  工藝  

怎樣可以降低RFID應(yīng)答器設(shè)計中的功耗

  • 應(yīng)答器設(shè)計的成本依賴于幾個因素，而不僅僅是硅的成本。事實上，芯片制造工藝的成本(就其復(fù)雜性和成熟程度...
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基于0.18μm RF CMOS工藝的低相噪寬帶LC VCO設(shè)計

  • 壓控振蕩器(VCO)是射頻集成電路(RF-ICs)中的關(guān)鍵模塊之一。近年來隨著無線通信技術(shù)的快速發(fā)展，射頻收發(fā)機(jī)也有了新的發(fā)展趨勢，即單個收發(fā)機(jī)要實現(xiàn)寬頻率多標(biāo)準(zhǔn)的覆蓋，例如用于移動數(shù)字電視接收的調(diào)諧器一般要實現(xiàn)T-DMB、DMB-T等多個標(biāo)準(zhǔn)，并能覆蓋VHF、UHF和LBAND等多個頻段。本文所介紹的VCO設(shè)計采用如圖1(a)所示的交叉耦合電感電容結(jié)構(gòu)，相對于其他結(jié)構(gòu)的VCO來說該結(jié)構(gòu)更加易于片上集成和實現(xiàn)低功耗設(shè)計，并且利用LC諧振回路的帶通濾波特性，能獲得更好的相位噪聲性能。

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基于CMOS工藝的數(shù)字步進(jìn)衰減器的設(shè)計

  • 本文基于Peregrine(派更)半導(dǎo)體公司的單片數(shù)字步進(jìn)衰減器(DSA，Digital Step Attenuator)產(chǎn)品系列，闡述了DSA通用設(shè)計方法、RF CMOS工藝以及這些器件的性能。
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制程工藝技術(shù)發(fā)展探討

  • IBM聯(lián)盟開發(fā)出可在32納米芯片中加速實現(xiàn)一種被稱為“high-k/metal gate(高電介質(zhì)金屬柵極)”的突破性材料。這種新方法是基于被稱為“high-k gate-first(高電介質(zhì)先加工柵極)”加工工藝的方法，為客戶轉(zhuǎn)向高電介質(zhì)金屬柵極技術(shù)提供了一種更加簡單和更省時間的途徑，由此而能夠帶來的益處包括性能的提高和功耗的降低。通過使用高電介質(zhì)金屬柵極，IBM與聯(lián)盟合作伙伴成功地開發(fā)出比上一代技術(shù)體積小50%的芯片，同時提高了眾多性能。使用這種新技術(shù)的
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評中芯國際與IBM簽訂45納米技術(shù)轉(zhuǎn)讓協(xié)議

  •     資深評論人 莫大康     按國際工藝路線圖指引,全球半導(dǎo)體07年才進(jìn)入45納米制程。其中英特爾首先采用高k及金屬柵工藝,將CMOS工藝推向一個新的里程碑。連戈登摩爾也坦誠,由此將定律可延伸又一個10年。     此次中芯國際能成功與國際最先進(jìn)的技術(shù)輸出者,IBM達(dá)成45納米的技術(shù)轉(zhuǎn)讓協(xié)議意義十分深遠(yuǎn)。     首先表征中芯國際愿意繼續(xù)追趕國際最先進(jìn)工藝水平,加入全球最先進(jìn)
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嵌入式實時系統(tǒng)開發(fā)的軟硬件考慮和關(guān)鍵工藝

  • 嵌入式實時系統(tǒng)開發(fā)的軟硬件考慮和關(guān)鍵工藝,本文將描述嵌入式系統(tǒng)和實時系統(tǒng)的關(guān)鍵特性，并探討在選擇或開發(fā)硬件和軟件組件的基礎(chǔ)上開發(fā)高效嵌入式系統(tǒng)的解決方案，同時詳細(xì)說明嵌入式系統(tǒng)和實時系統(tǒng)開發(fā)所特有的關(guān)鍵工藝技術(shù)。
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45nm用或不用都是個問題

  • 　　與其說45nm剛剛走到我們面前，不如說我們已經(jīng)可以準(zhǔn)備迎接32nm工藝時代，因為據(jù)三星存儲合作伙伴透露，今年底或明年初三星將開始試產(chǎn)30nm工藝半導(dǎo)體存儲芯片，其閃存芯片更是早于Intel邁向了50nm量產(chǎn)階段。無疑，我們只不過在Intel強(qiáng)大的宣傳攻勢下，認(rèn)為似乎CPU才是所有半導(dǎo)體的制程工藝的領(lǐng)先者，但也許再向下Intel也會感到有些力不從心。 　　當(dāng)然，我們今天討論的重點不是誰的制程工藝更先進(jìn)，而是要討論45nm究竟該不該采用，亦或準(zhǔn)確的說是要不要采用的問題。 　　從技術(shù)的角度來說，45
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二線晶圓廠先進(jìn)工藝紛向一線大廠看齊 將打破工藝分水嶺局勢

  • 　　近期全球二線晶圓廠紛搶進(jìn)0.13微米以下先進(jìn)工藝，包括馬來西亞晶圓代工廠Silterra、以色列晶圓廠寶塔半導(dǎo)體(Tower Semiconductor)分別宣布 ，計劃以募資、借貸方式來擴(kuò)充先進(jìn)工藝產(chǎn)能，未來隨著二線晶圓廠紛跳脫成熟工藝藩籬、邁入先進(jìn)工藝，不僅恐造成先進(jìn)工藝價格雪上加霜，并將讓0.13微米、90納米工藝不再是一線晶圓廠獨霸天下，甚至得重新改寫“先進(jìn)工藝”定義。 　　目前90納米、0.13微米工藝由臺灣晶圓代工廠臺積電、聯(lián)電稱霸，其中，臺積電90納米、0.13微米工藝各占營收比重達(dá)2
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利用Virtex-5 FPGA 降低功耗

  • VirtexTM-5系列產(chǎn)品的推出，使得Xilinx公司再一次成為向FPGA客戶提供新技術(shù)和能力的主導(dǎo)力量。...
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微電子工藝專有名詞（3）

  • 101 LATCH UP 栓鎖效應(yīng) 當(dāng)VLSI線路密度增加，Latch-Up之故障模式于MOS VLSI中將愈來愈嚴(yán)重，且僅發(fā)生于 CMOS電路，所有COMS電路西寄生晶體管所引起的LATCH-UP問題稱之為SCR (SILICON-CONYROLLED RECTIFIER）LATCH-UP，在S1基體內(nèi)CMOS中形成兩個雙截子晶體管P-N-P-N形式的路徑，有如一個垂直的P+-N-P與一個水平N+-P-N晶體管組合形成于CMOS反向器，如果電壓降過大或受到外界電壓、電流或光的觸發(fā)時，將造成兩個晶體管互相
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微電子工藝專有名詞（4）

  • 151 RESOLUTION 解析力 1. 定義：解析力在IC制程的對準(zhǔn)及印刷（Align & Print）過程中站著相當(dāng)重要的地位，尤其演進(jìn)到VLSI后，解析力的要求就更高了。它是對光學(xué)系統(tǒng)（如對準(zhǔn)機(jī)、顯微鏡、望遠(yuǎn)鏡等）好壞的評估標(biāo)準(zhǔn)之一，現(xiàn)今多以法國人雷萊（Rayleigh）所制定的標(biāo)準(zhǔn)遵循之。物面上兩光點經(jīng)光學(xué)系統(tǒng)頭于成像面上不會模糊到只被看成一點時，物面上兩點間之最短距離。若此距離越小，則解析力越大。（通常鏡面大者，即NA大者，其解析力也越大）解析力不佳時，例如對準(zhǔn)機(jī)對焦不清時，就會造成C
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微電子工藝專有名詞（1）

  • 1 Active Area 主動區(qū)（工作區(qū)） 主動晶體管（ACTIVE TRANSISTOR）被制造的區(qū)域即所謂的主動區(qū)（ACTIVE AREA）。在標(biāo)準(zhǔn)之MOS制造過程中ACTIVE AREA是由一層氮化硅光罩即等接氮化硅蝕刻之后的局部場區(qū)氧化所形成的，而由于利用到局部場氧化之步驟，所以ACTIVE AREA會受到鳥嘴（BIRD’S BEAK）之影響而比原先之氮化硅光罩所定義的區(qū)域來的小，以長0.6UM之場區(qū)氧化而言，大概會有0.5UM之BIRD’S BEAK存在，也就是說ACTIVE AREA比原在之
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微電子工藝專有名詞（2）

  • 51 DRAM , SRAM 動態(tài),靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存 隨機(jī)存取記憶器可分動態(tài)及靜態(tài)兩種，主要之差異在于動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM），在一段時間（一般是0.5ms～5ms）后，資料會消失，故必須在資料未消失前讀取元資料再重寫（refresh），此為其最大缺點，此外速度較慢也是其缺點，而DRAM之最大好處為，其每一記憶單元（bit）指需一個Transistor（晶體管）加一個Capacitor（電容器），故最省面積，而有最高之密度。而SRAM則有不需重寫、速度快之優(yōu)點，但是密度低，每一記憶單元（bit）有兩類
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4nm 工藝介紹

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