8 gen 1+ 文章進(jìn)入8 gen 1+技術(shù)社區(qū)

高通新中端芯片驍龍7s Gen 3曝光：采用Adreno 810 GPU，下月發(fā)布

7 月 22 日消息，高通幾年前改用了新的芯片命名方式，放棄了驍龍 600、700、800 系列，改用驍龍 6、7、8 系列。雖然簡(jiǎn)化了命名，但如今這一命名體系也開始變得讓人困惑，最近曝光的一款新芯片更是加深了這種混亂。爆料人 Yogesh Brar 透露，高通正在準(zhǔn)備發(fā)布驍龍 7s Gen 3 芯片。根據(jù)爆料，這款芯片的大核頻率為 2.5GHz，三個(gè)中核頻率為 2.4GHz，四個(gè)能效核心頻率為 1.8GHz。奇怪的是，Brar 聲稱這款芯片搭載了 Adreno 810 GPU。雖然高通不再公開披露
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實(shí)測(cè)藍(lán)牙Mesh 1.1性能更新深入理解并徹底優(yōu)化

藍(lán)牙Mesh 1.1版本中引入了遠(yuǎn)程配置和無線裝置韌體更新（OTA DFU）的功能。本文將透過廣泛部署基于Silicon Labs（芯科科技）的xG24和xG21無線SoC開發(fā)板的節(jié)點(diǎn)并組成網(wǎng)絡(luò)，來分析在多個(gè)測(cè)試節(jié)點(diǎn)上進(jìn)行的一系列實(shí)驗(yàn)結(jié)果，進(jìn)一步探索藍(lán)牙Mesh 1.1網(wǎng)絡(luò)的性能，包括網(wǎng)絡(luò)等待時(shí)間、遠(yuǎn)程配置和OTA、DFU性能的詳細(xì)測(cè)試設(shè)置和結(jié)果等實(shí)用資料。測(cè)試網(wǎng)絡(luò)及條件隨著網(wǎng)絡(luò)中節(jié)點(diǎn)數(shù)量的增加或數(shù)據(jù)報(bào)負(fù)載的增加，延遲也會(huì)相應(yīng)增加。相比于有效負(fù)載，網(wǎng)絡(luò)對(duì)延遲的影響較小，但后者可能導(dǎo)致延遲大幅增加。測(cè)試環(huán)境
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大聯(lián)大友尚集團(tuán)推出基于ST產(chǎn)品的140W USB PD3.1快充方案

致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的國(guó)際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商—大聯(lián)大控股近日宣布，其旗下友尚推出基于意法半導(dǎo)體（ST）ST-ONEHP器件的140W USB PD3.1快充方案。圖示1—大聯(lián)大友尚基于ST產(chǎn)品的140W USB PD3.1快充方案的展示板圖近年來，快充行業(yè)不斷經(jīng)歷創(chuàng)新升級(jí)，每一次技術(shù)的躍進(jìn)都為充電的效率與安全性帶來革命性變革。特別是USB PD3.1快充標(biāo)準(zhǔn)的引入，更是為該行業(yè)的發(fā)展樹立了新的里程碑。該標(biāo)準(zhǔn)不僅將最大充電功率提升至240W，同時(shí)新增多組固定和可調(diào)輸出電壓檔位，可為各種電子設(shè)備提供更加靈活
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2024Q4 對(duì)決，聯(lián)發(fā)科天璣 9400、高通驍龍 8 Gen 4 被曝已流片

7 月 9 日消息，根據(jù) UDN 報(bào)道，高通驍龍 8 Gen 4 和聯(lián)發(fā)科天璣 9400 兩款旗艦芯片將于 2024 年第 4 季度同臺(tái)競(jìng)技，均采用臺(tái)積電的 3nm 工藝，目前已經(jīng)進(jìn)入流片階段。天璣 9400 芯片此前消息稱天璣 9400 將采用 Cortex-X5、Cortex-X4 和 Cortex-A7xx 全大核設(shè)計(jì)。相關(guān)爆料并未透露具體的 CPU 架構(gòu)，但如果與天璣 9300 相似，則可能是一顆 Cortex-X5 超大核、三顆 Cortex-X4 大核和四顆 Cortex-A730 大核。聯(lián)發(fā)
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研華AIR-150掌上型Hailo-8 AI推理系統(tǒng)震撼上市

全球AIoT 平臺(tái)與服務(wù)供應(yīng)商研華 (2395, TW) 隆重推出搭載第 13 代 Intel Core 移動(dòng)處理器的緊湊型邊緣 AI 推理系統(tǒng) AIR-150。盡管體積小巧（156 x 112 x 60 mm），但它卻擁有 Hailo-8 AI 加速器提供的 26 TOPS AI 計(jì)算能力。AIR-150在連接性方面毫不遜色，提供以應(yīng)用為中心的 I/O，包括 COM、USB、LAN 和 M.2 E-Key，便于無縫擴(kuò)展和連接外圍設(shè)備。它的工作溫度范圍寬達(dá) -20 至 60°C，并符合重工業(yè) IEC 標(biāo)準(zhǔn)
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英飛凌推出全新600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列，適用于高成本效益的先進(jìn)電源應(yīng)用

英飛凌科技股份公司近日推出600 V CoolMOS??8?高壓超結(jié)（SJ）MOSFET產(chǎn)品系列。該系列器件結(jié)合了600 V CoolMOS??7 MOSFET系列的先進(jìn)特性，是P7、PFD7、C7、CFD7、G7?和?S7產(chǎn)品系列的后續(xù)產(chǎn)品。全新超結(jié)MOSFET實(shí)現(xiàn)了具有高成本效益的硅基解決方案，豐富了英飛凌的寬帶隙產(chǎn)品陣容。該系列產(chǎn)品配備集成式快速體二極管，適用于服務(wù)器和工業(yè)開關(guān)模式電源裝置（SMPS）、電動(dòng)汽車充電器、微型太陽能等廣泛應(yīng)用。這些元件采
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研華發(fā)布RK3588 SMARC 2.1核心模塊ROM-6881助力機(jī)器視覺應(yīng)用智能升級(jí)

研華發(fā)布核心模塊ROM-6881，采用SGeT協(xié)會(huì)SMARC2.1標(biāo)準(zhǔn)，集成瑞芯微全新一代AIOT旗艦處理器RK3588/RK3588J，具備強(qiáng)大的計(jì)算性能，高AI算力，滿足多媒體處理需求。憑借低功耗，豐富的IO接口設(shè)計(jì)，ROM-6881實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比、工規(guī)可靠、10年生命周期支持，助力機(jī)器人，醫(yī)療，能源行業(yè)打造更快速，更高效的智能邊緣AI方案。
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驍龍 8 Gen 4 旗艦處理器要來了！高通驍龍峰會(huì) 2024 定檔 10 月 21~23 日

IT之家 6 月 13 日消息，高通官網(wǎng)宣布，Snapdragon Summit 2024（驍龍峰會(huì) 2024）將于 10 月 21 日~10 月 23 日在夏威夷毛伊島舉行。按照高通歷年的發(fā)布節(jié)奏，驍龍 8 Gen 4 旗艦手機(jī)處理器將在驍龍峰會(huì) 2024 上推出，IT之家將跟進(jìn)后續(xù)消息。博主 @數(shù)碼閑聊站爆料曾稱，高通驍龍 8 Gen 4 芯片（SM8750）重新設(shè)定的頻率較為激進(jìn)，自研超大核來到了 4.2GHz。他還透露，手機(jī)廠商實(shí)驗(yàn)室樣機(jī)跑 GeekBenc
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三星電子重申 SF1.4 工藝有望于 2027 年量產(chǎn)，計(jì)劃進(jìn)軍共封裝光學(xué)領(lǐng)域

IT之家 6 月 13 日消息，三星電子在當(dāng)?shù)貢r(shí)間 6 月 12 日舉行的三星代工論壇 2024 北美場(chǎng)上重申，其 SF1.4 工藝有望于 2027 年量產(chǎn)，回?fù)袅舜饲暗拿襟w傳聞。三星表示其 1.4nm 級(jí)工藝準(zhǔn)備工作進(jìn)展順利，預(yù)計(jì)可于 2027 年在性能和良率兩方面達(dá)到量產(chǎn)里程碑。此外，三星電子正在通過材料和結(jié)構(gòu)方面的創(chuàng)新，積極研究后 1.4nm 時(shí)代的先進(jìn)邏輯制程技術(shù)，實(shí)現(xiàn)三星不斷超越摩爾定律的承諾。三星電子同步確認(rèn)，其仍計(jì)劃在 2024 下半年量產(chǎn)第二代 3nm 工藝 SF3。而在更傳統(tǒng)的
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Intel 14A工藝至關(guān)重要！2025年之后穩(wěn)定領(lǐng)先

這幾年，Intel以空前的力度推進(jìn)先進(jìn)制程工藝，希望以最快的速度反超臺(tái)積電，重奪領(lǐng)先地位，現(xiàn)在又重申了這一路線，尤其是意欲通過未來的14A 1.4nm級(jí)工藝，在未來鞏固自己的領(lǐng)先地位。目前，Intel正在按計(jì)劃實(shí)現(xiàn)其“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”的目標(biāo)，Intel 7工藝、采用EUV極紫外光刻技術(shù)的Intel 4和Intel 3均已實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。其中，Intel 3作為升級(jí)版，應(yīng)用于服務(wù)器端的Sierra Forest、Granite Rapids，將在今年陸續(xù)發(fā)布，其中前者首次采用純E核設(shè)計(jì)，最多288個(gè)。In
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三星 AI 推理芯片 Mach-1 即將原型試產(chǎn)，有望基于 4nm 工藝

5 月 10 日消息，韓媒 ZDNet Korea 援引業(yè)內(nèi)人士的話稱，三星電子的 AI 推理芯片 Mach-1 即將以 MPW（多項(xiàng)目晶圓）的方式進(jìn)行原型試產(chǎn)，有望基于三星自家的 4nm 工藝。這位業(yè)內(nèi)人士還表示，不排除 Mach-1 采用 5nm 工藝的可能。三星已為 Mach-1 定下了時(shí)間表：今年下半年量產(chǎn)、今年底交付芯片、明年一季度交付基于該芯片的推理服務(wù)器。同時(shí)三星也已獲得了 Naver 至高 1 萬億韓元（當(dāng)前約 52.8 億元人民幣）的預(yù)訂單。雖然三星電子目前能提供 3nm 代工，但在 M
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臺(tái)積電準(zhǔn)備迎接“Angstrom 14 時(shí)代”啟動(dòng)尖端1.4納米工藝研發(fā)

幾個(gè)月前，臺(tái)積電發(fā)布了 2023 年年報(bào)，但顯然，文件中包含的關(guān)鍵信息被遺漏了。在深入探討之前，我們先來談?wù)勁_(tái)積電的 A14，或者說被許多分析師稱為技術(shù)革命的 A14。臺(tái)積電宣布，該公司終于進(jìn)入了"Angstrom 14 時(shí)代"，開始開發(fā)其最先進(jìn)的 A14 工藝。目前，臺(tái)積電的 3 納米工藝正處于開始廣泛采用的階段。因此，1.4 納米工藝在進(jìn)入市場(chǎng)之前還有很長(zhǎng)的路要走，很可能會(huì)在 2 納米和 1.8 納米節(jié)點(diǎn)之后出現(xiàn)，這意味著你可以預(yù)期它至少會(huì)在未來五年甚至更長(zhǎng)的時(shí)間內(nèi)出現(xiàn)。著
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大聯(lián)大詮鼎集團(tuán)推出基于立锜科技產(chǎn)品的240W PD3.1快充方案

致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的國(guó)際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商—大聯(lián)大控股近日宣布，其旗下詮鼎推出基于立锜科技（Richtek）RT7333、RT7795、RT7220E以及RT7209芯片的240W PD3.1快充方案。圖示1-大聯(lián)大詮鼎基于立锜科技產(chǎn)品的240W PD3.1快充方案的展示板圖隨著PD3.1快充協(xié)議的發(fā)布，USB充電技術(shù)迎來了重大突破。該協(xié)議將電源的輸出電壓提升至48V、充電功率同步提升至240W。在此背景下，傳統(tǒng)的反激方案以及適用于20V輸出的協(xié)議芯片已無法滿足當(dāng)前的市場(chǎng)需求。設(shè)備制造商需要更新他們的
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Meta 展示新款 MTIA 芯片：5nm 工藝、90W 功耗、1.35GHz

4 月 11 日消息，Meta 公司于 2023 年 5 月推出定制芯片 MTIA v1 芯片之后，近日發(fā)布新聞稿，介紹了新款 MTIA 芯片的細(xì)節(jié)。MTIA v1 芯片采用 7nm 工藝，而新款 MTIA 芯片采用 5nm 工藝，采用更大的物理設(shè)計(jì)（擁有更多的處理核心），功耗也從 25W 提升到了 90W，時(shí)鐘頻率也從 800MHz 提高到了 1.35GHz。Meta 公司表示目前已經(jīng)在 16 個(gè)數(shù)據(jù)中心使用新款 MTIA 芯片，與 MTIA v1 相比，整體性能提高了 3 倍。但 Meta 只主動(dòng)表示
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iPhone 17 Pro將首發(fā)！曝臺(tái)積電2nm/1.4nm工藝量產(chǎn)時(shí)間敲定

4月11日消息，根據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈消息，臺(tái)積電的2納米和1.4納米工藝已經(jīng)取得了新的進(jìn)展。據(jù)了解，臺(tái)積電的2納米和1.4納米芯片的量產(chǎn)時(shí)間已經(jīng)確定。2納米工藝的試產(chǎn)將于2024年下半年開始，而小規(guī)模量產(chǎn)將在2025年第二季度進(jìn)行。值得一提的是，臺(tái)積電在亞利桑那州的工廠也將參與2納米工藝的生產(chǎn)。到了2027年，臺(tái)積電將開始推進(jìn)1.4納米工藝節(jié)點(diǎn)，這一工藝被正式命名為"A14"。按照目前的情況，臺(tái)積電最新的工藝制程很可能會(huì)由蘋果率先采用。按照臺(tái)積電的量產(chǎn)時(shí)間表，iPhone 17 Pro將成為首批
關(guān)鍵字： iPhone 17 Pro 臺(tái)積電 2nm 1.4nm 工藝