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移動處理器工藝制程挑戰(zhàn)技術極限 FinFET成主流
- 隨著半導體工藝技術的進步與智能手機對極致效能的需求加劇,移動處理器的工藝制程正在邁向新的高度。目前,全球領先的晶圓代工廠商已經(jīng)將工藝制程邁向10納米FinFET工藝,16/14納米節(jié)點的SoC也已實現(xiàn)量產(chǎn),那么半導體技術節(jié)點以摩爾定律的速度高速發(fā)展至今,移動處理器的工藝制程向前演進又存在哪些挑戰(zhàn)?同時,進入20納米技術節(jié)點之后傳統(tǒng)的CMOS工藝式微,這將給FinFET與FD-SOI工藝在技術與應用上帶來怎樣的發(fā)展變革? 5納米節(jié)點是目前技術極限 摩爾定律被修正意義仍在
- 關鍵字: 處理器 FinFET
沖刺10nm處理器 聯(lián)發(fā)科或能打一場漂亮的“翻身戰(zhàn)”
- 2017年,智能手機芯片廠商將正式展開10納米制程的爭奪。據(jù)了解,高通、聯(lián)發(fā)科以及蘋果的10納米產(chǎn)品都將在明年進入量產(chǎn)階段。 按照此前曝光的消息來看,聯(lián)發(fā)科Helio X30和高通驍龍830量產(chǎn)的時間比較接近,均在明年年初,而蘋果10納米處理器量產(chǎn)時間則相對較晚,預計在2017年第三季度。 這意味著聯(lián)發(fā)科不僅在進度上首次領先蘋果,更有可能超越高通,在手機處理器市場打一場漂亮的“翻身戰(zhàn)”。 初入高端市場受阻 近年來,智能手機市場增速放緩,手機芯片市場競爭變
- 關鍵字: 聯(lián)發(fā)科 處理器
傳三星下一代Exynos 8895處理器采用10nm工藝
- 根據(jù)國內(nèi)消息來源表示,三星電子正在測試其下一代手機處理器Exynos8995,采用10納米FinFET工藝,最高速度可達到4GHz,其功耗和傳聞當中的高通驍龍830相同,據(jù)稱高通驍龍830處理器最高工作頻率只有3.6GHz。換句話說,三星接下來的Exynos芯片或提供了極大的電源效率。 預計三星明年GalaxyS8智能手機有可能是第一個采用Exynos8995處理器的產(chǎn)品。不過,目前來看,遷移到10nm制造工藝,仍然非常棘手。英特爾本來準備今年作出這樣的轉(zhuǎn)變,然而計劃已經(jīng)延期,并推出了權宜產(chǎn)品,
- 關鍵字: 三星 處理器
大陸芯片行業(yè)雄心勃勃 擺脫海外“依賴癥”
- 英國《經(jīng)濟學人》雜志撰文稱,為了擺脫對海外企業(yè)的依賴,中國政府斥巨資扶持本土半導體行業(yè)的發(fā)展,并且從之前的光伏面板和LED照明行業(yè)中吸取了充分的教訓。不過,由于時機問題和技術壁壘,這一計劃仍將面臨許多挑戰(zhàn)。 以下為文章主要內(nèi)容: 雄心勃勃 自從1970年代以來,中國政府一直在斷斷續(xù)續(xù)地促進本土半導體行業(yè)的發(fā)展。但他們的雄心從未像現(xiàn)在這么高,投入的預算也從未像現(xiàn)在這么多。據(jù)摩根士丹 利估計,在早期的發(fā)展計劃中,中國政府1990年代后半期投入的資金不足10億美元。但這一次,根據(jù)2014年
- 關鍵字: 芯片 處理器
多核心處理器發(fā)展走向瓶頸 聯(lián)發(fā)科腹背受敵
- 隨著近來消費者開始討論手機硬件性能逐漸出現(xiàn)過剩的現(xiàn)象,海外媒體即提出報導指出,這象征著手機處理器多核的時代逐漸將走入死巷子內(nèi)。
- 關鍵字: 聯(lián)發(fā)科 處理器
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