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英特爾CTO:14納米芯片將在1至2年內(nèi)量產(chǎn)
- 北京時間12月5消息,據(jù)臺灣《電子時報》報道,英特爾首席技術(shù)官(CTO)賈斯廷·拉特納(Justin Rattner)12月4日表示,英特爾的14納米芯片技術(shù)開發(fā)正在按計劃實施,將在1、2年內(nèi)開始批量生產(chǎn)。18英寸晶圓的開發(fā)正在通過與合作伙伴合作進行。 拉特納還指出,英特爾積極地推動技術(shù)進步將使摩爾定律再延長10年。 在2013年年底,英特爾將進入14納米處理器(14納米工藝代碼名稱為P1272)和系統(tǒng)芯片(P1273)時代。同時,英特爾將擴大在美國俄勒岡州的D1X Fab加
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臺積電臺聯(lián)電分別拋出設(shè)備大訂單
- 日本東京電子(TEL)日前收到來自聯(lián)電的一筆后繼設(shè)備訂單,價值約為三千零五十萬美元,這是TEL今年迄今為止收到的來自聯(lián)電的最大一筆設(shè)備訂單,TEL接獲來自聯(lián)電的上一筆訂單是在今年四月,價值為一千九百十萬美元。
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荷蘭阿斯麥發(fā)布第四季度財報
- 歐洲最大的半導(dǎo)體設(shè)備制造商荷蘭阿斯麥控股公司(ASMLHolding NV)發(fā)布第四季度財報,由于2010年銷量創(chuàng)歷史記錄,其第四季度利潤超過之前分析師預(yù)測。 阿斯麥報道稱,公司第四季度凈利潤為4.07億歐元(5.49億美元),而去年同期僅為5.05千萬歐元。此前彭博社對11位分析師預(yù)測統(tǒng)計,平均預(yù)測其第四季度凈利潤為3.258億歐元。此外,公司第四季度凈銷售額上升至15.2億歐元,高于此前預(yù)測的13.4億歐元。
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沉浸式光刻機供貨緊缺 臺系內(nèi)存芯片廠制程升級受阻
- 據(jù)內(nèi)存業(yè)者透露,由于著名光刻設(shè)備廠商ASML生產(chǎn)的NXT:1950i沉浸式光刻機目前供貨十分緊缺,因此臺系內(nèi)存芯片廠商收到所訂購的這種設(shè)備的時間 可能會再后延12個月之久,由于NXT:1950i沉浸式光刻機對這些廠商轉(zhuǎn)移到38nm以上級別制程至關(guān)重要,因此預(yù)計臺系內(nèi)存芯片廠商制程轉(zhuǎn)換的進度 會受到較大的影響。NXT:1950i 是荷蘭ASML公司最新開發(fā)的沉浸式光刻機,可用于制造12英寸32nm及以上級別制程的產(chǎn)品. 此前曾有報道稱 NXT:1950i的訂貨至到貨日期已經(jīng)被拉長到了將近12個月,
- 關(guān)鍵字: ASML 光刻機 內(nèi)存芯片
iSuppli警告:DRAM下半年供不應(yīng)求
- 市場研究業(yè)者iSuppli警告,由于動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM)芯片的制造產(chǎn)能有限,DRAM市場下半年可能供不應(yīng)求。 分析師霍華德(Mike Howard)預(yù)期,今年DRAM芯片出貨量可望成長49%,其中多數(shù)集中在下半年。他預(yù)測,今年第三、四季的DRAM芯片出貨量將分別比前一季成長11%左右,由于增加的需求都集中在下半年,屆時供應(yīng)DRAM芯片的產(chǎn)能恐難以負荷。 iSuppli指出,有兩個問題可能影響下半年的DRAM供應(yīng)量,甚至恐會造成供不應(yīng)求。首先,由于全球最大半導(dǎo)體微影工具供貨商艾斯摩爾
- 關(guān)鍵字: ASML DRAM
分析師稱ASML應(yīng)該對內(nèi)存芯片供不應(yīng)求負一定責(zé)任
- 對于內(nèi)存廠商來說,已經(jīng)過去的2009年就像是一場噩夢。而2010年情況則大有好轉(zhuǎn),可是今年內(nèi)存廠商卻遇上了芯片供貨緊缺,芯片產(chǎn)品投產(chǎn)準(zhǔn)備時間加長,產(chǎn)品價格居高不下的問題。在本周三舉辦的Memcon會議上,一位分析師將今年內(nèi)存廠商遇到的這些問題歸結(jié)為由內(nèi)存廠商自身的問題而引起,不過著名光刻設(shè)備制造商ASML則也在被指責(zé)之列。 ObjectiveAnalysis市調(diào)公司的分析師JimHandy認為內(nèi)存市場的上揚期恐怕不久便會結(jié)束,他并稱2011年中期或2012年間內(nèi)存芯片市場將再度陷入供過于求的局面
- 關(guān)鍵字: ASML 內(nèi)存芯片 50nm
分析師:ASML是導(dǎo)致內(nèi)存芯片供不應(yīng)求局面的罪魁之一
- 對于內(nèi)存廠商來說,已經(jīng)過去的2009年就像是一場噩夢。而2010年情況則大有好轉(zhuǎn),可是今年內(nèi)存廠商卻遇上了芯片供貨緊缺,芯片產(chǎn)品投產(chǎn)準(zhǔn)備時間加 長,產(chǎn)品價格居高不下的問題。在本周三舉辦的Memcon會議上,一位分析師將今年內(nèi)存廠商遇到的這些問題歸結(jié)為由內(nèi)存廠商自身的問題而引起,不過著名光 刻設(shè)備制造商ASML則也在被指責(zé)之列。 Objective Analysis市調(diào)公司的分析師Jim Handy認為內(nèi)存市場的上揚期恐怕不久便會結(jié)束,他并稱2011年中期或2012年間內(nèi)存芯片
- 關(guān)鍵字: ASML 內(nèi)存芯片
ASML整合微影方案獲意法采用
- 受惠于晶圓代工與DRAM廠推出先進制程,對浸潤式顯影機臺需求大增,讓半導(dǎo)體設(shè)備大廠艾斯摩爾(ASML)2010年接單暢旺,隨著半導(dǎo)體制程推進5x奈米以下先進制程,制程復(fù)雜度大增,亦需加緊提高量良率,讓ASML甫于2009年推出的整合微影技術(shù)(Holistic Lithography)系列產(chǎn)品,已獲得意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)采用于28奈米制程。 ASML指出,隨著半導(dǎo)體制程推進到50x奈米以下制程,業(yè)者投入的經(jīng)費越來越高昂,生產(chǎn)時程亦拉得更長,良率更難提升,制程容許度(p
- 關(guān)鍵字: ASML DRAM 晶圓代工
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