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從頭到尾構(gòu)建混合信號(hào)高集成度系統(tǒng)(SOC)的步驟(5)：電路仿真

全片內(nèi)LDO頻率特性的簡(jiǎn)化電路分析方法

  • 摘要：對(duì)于無(wú)片外大電容的低壓差線性穩(wěn)壓器來(lái)說(shuō)，用建立小信號(hào)模型來(lái)分析系統(tǒng)傳輸函數(shù)從而推出零極點(diǎn)分布的方法過(guò)于復(fù)雜繁瑣，本文提出一種簡(jiǎn)化電路分析方法，可以不用復(fù)雜的化簡(jiǎn)和計(jì)算就可以得出LDO的零極點(diǎn)位置分布，并通過(guò)幾種LDO頻率補(bǔ)償方式為例介紹該方法的應(yīng)用，最后通過(guò)仿真驗(yàn)證了此方法的準(zhǔn)確性。
  • 關(guān)鍵字： LDO  穩(wěn)壓器  調(diào)整管  201301  

聯(lián)發(fā)科技與OmniVision攜手推出手機(jī)參考設(shè)計(jì)

  • 全球無(wú)線通訊及數(shù)字多媒體IC設(shè)計(jì)領(lǐng)導(dǎo)廠商聯(lián)發(fā)科技股份有限公司 (MediaTek, Inc.) ，日前宣布與CMOS影像傳感器領(lǐng)先品牌美國(guó)豪威科技股份有限公司(OmniVision Technologies, Inc.)合作，于其最新雙核及四核智能手機(jī)解決方案打造帶有畫中畫、影中影 (Video-in-Video ; ViV?) 相機(jī)功能的手機(jī)參考設(shè)計(jì)。
  • 關(guān)鍵字： 聯(lián)發(fā)  豪威  智能手機(jī)  CMOS  

最新一代CMOS和CCD圖像傳感器

  • 　最新一代CMOS和CCD圖像傳感器具有更大的頻譜寬度、更高的靈敏度、更低的工作噪聲和更小的外形尺寸。更先進(jìn)的制造工藝還實(shí)現(xiàn)了更低的成本。此外，創(chuàng)新架構(gòu)也正在給電路設(shè)計(jì)帶來(lái)更大的靈活性和通用性。　　其結(jié)果是，
  • 關(guān)鍵字： 圖像  傳感器  CCD  CMOS  新一  最新  

正確使用MOS集成電路的注意事項(xiàng)

  • 所有MOS集成電路（包括P溝道MOS，N溝道MOS，互補(bǔ)MOS—CMOS集成電路）都有一層絕緣柵，以防止電壓...
  • 關(guān)鍵字： MOS集成電路  CMOS  NMOS  

超低靜態(tài)電流LDO穩(wěn)壓器最佳選型詳解

  • 靜態(tài)電流差異及其對(duì)電池使用時(shí)間的影響　　下面將更密切地審視數(shù)據(jù)表中的靜態(tài)電流規(guī)格與實(shí)際測(cè)量結(jié)果的比 ...
  • 關(guān)鍵字： 超低  靜態(tài)電流  LDO  穩(wěn)壓器  

超低靜態(tài)電流LDO穩(wěn)壓器最佳選型詳解（一）

  • 電子應(yīng)用設(shè)計(jì)人員現(xiàn)今面臨的一項(xiàng)極重要挑戰(zhàn)是將電子系統(tǒng)能耗降至最低。為了達(dá)到此目的，大多數(shù)系統(tǒng)利用不同的 ...
  • 關(guān)鍵字： 超低  靜態(tài)電流  LDO  穩(wěn)壓器  

圣邦推出IQ低至1.7μA的高壓LDO-SGM2200/SGM2300

  • 圣邦微電子(SG MICRO)于2012年推出極限耐壓高達(dá)32V的高壓LDO SGM2200系列。該系列產(chǎn)品可正常工作在26.4V輸入電壓范圍內(nèi)，靜態(tài)功耗低至1.7μA，額定輸出電流為50mA，可廣泛用于各種電池供電或需要極低待機(jī)電流的電子產(chǎn)品中。
  • 關(guān)鍵字： 圣邦  封裝  SGM2200  LDO  

基于CPLD的服務(wù)機(jī)器人視覺(jué)系統(tǒng)軟硬件設(shè)計(jì)

  • 　　隨著計(jì)算機(jī)科學(xué)和自動(dòng)控制技術(shù)的發(fā)展，越來(lái)越多的不同種類的智能機(jī)器人出現(xiàn)在工廠、生活當(dāng)中，機(jī)器人視覺(jué)系 ...
  • 關(guān)鍵字： CMOS  智能機(jī)器人  視覺(jué)系統(tǒng)  

羅姆高頻元器件和模塊技術(shù)系列一

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： 羅姆  RF-CMOS  HEMS  特定小功率無(wú)線模塊  

低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）的噪音問(wèn)題解析（二）

  • 典型電路中參考噪聲的控制　　放大參考噪聲　　TI TPS74401 LDO 用于測(cè)試和測(cè)量。表 1 列出了常見(jiàn)配置參 ...
  • 關(guān)鍵字： 低壓差  線性穩(wěn)壓器  LDO  

低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）的噪音問(wèn)題解析（一）

  • 引言　　隨著通信信道的復(fù)雜度和可靠性不斷增加，人們對(duì)于電信系統(tǒng)的要求和期望也不斷提高。這些通信系統(tǒng)高 ...
  • 關(guān)鍵字： 低壓  差線性  穩(wěn)壓器  LDO  

中芯國(guó)際背照式成像傳感技術(shù)取得突破

  • 　　中芯國(guó)際宣布在背照式CMOS成像傳感技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展，首款背照式CMOS成像傳感測(cè)試芯片一次流片即獲得成功，在低照度下同樣獲得高質(zhì)量的清晰圖像。這標(biāo)志著中芯國(guó)際自主開發(fā)的背照式CMOS成像傳感芯片全套晶圓工藝核心技術(shù)接近成熟，步入產(chǎn)業(yè)化階段，更好地滿足高端智能移動(dòng)終端的需要。該技術(shù)將于2013年與客戶伙伴進(jìn)行試產(chǎn)。 　　背照式CMOS成像傳感芯片工藝技術(shù)開發(fā)的成功，有助于中芯國(guó)際進(jìn)一步拓展晶圓代工業(yè)務(wù)，支持國(guó)內(nèi)外客戶500萬(wàn)像素以上高分辨率智能手機(jī)用圖像傳感芯片、以及高性能視頻影像傳感芯片
  • 關(guān)鍵字： 中芯國(guó)際  傳感芯片  CMOS  

LDO 噪聲詳解

  • LDO 噪聲詳解,引言隨著通信信道的復(fù)雜度和可靠性不斷增加，人們對(duì)于電信系統(tǒng)的要求和期望也不斷提高。這些通信系統(tǒng)高度依賴于高性能、高時(shí)鐘頻率和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器器件，而這些器件的性能又非
  • 關(guān)鍵字： ldo  噪聲  線性穩(wěn)壓器  

LDO噪聲詳解

  • 引言隨著通信信道的復(fù)雜度和可靠性不斷增加，人們對(duì)于電信系統(tǒng)的要求和期望也不斷提高。這些通信系統(tǒng)高度依賴于高性能、高時(shí)鐘頻率和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器器件，而這些器件的性能又非常依賴于系統(tǒng)電源軌的質(zhì)量。當(dāng)使用一個(gè)高噪
  • 關(guān)鍵字： LDO  詳解    
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