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從晉華DRAM事件出發(fā)，了解我國存儲芯片產(chǎn)業(yè)瓶頸在哪里

  • 存儲芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展道阻且長，無論對于晉華、長江存儲還是長鑫，技術(shù)來源都是首先要解決的問題，無論技術(shù)授權(quán)、合作開發(fā)，還是自主研發(fā)，只有從技術(shù)源頭掌握關(guān)鍵技術(shù)，才能避免被卡脖子。
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好景不再，DRAM價格2019年或下滑20%

  • 　　半導體產(chǎn)業(yè)都是以美元計價，所以國內(nèi)半導體廠都會設立境外公司來降低匯率變動帶來的壓力。以晶圓代工龍頭臺積電來說，已在上次董事會核準在額度不超過20億美元范圍內(nèi)，對臺積電在英屬維京群島設立的百分之百持股子公司TSMCGlobalLtd.增資，以降低外匯避險成本?！　∧蟻喛贫聲?12)日亦決議在10億美元額度內(nèi)，成立100%持股的境外子公司以降低外匯避險成本。特別是DRAM價格都以美元計價，而且匯率變動會直接影響DRAM廠財報表現(xiàn)，降低匯率波動影響自然有助于營運不致于出現(xiàn)過多業(yè)外變數(shù)?！　τ贒RAM市
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被“禁”的晉華將何去何從？下個目標會是誰？

  • 晉華被禁這也只是一個“導火索”，其根源還是美國希望扼制中國存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
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技術(shù)變革關(guān)鍵期，中國如何突圍存儲器產(chǎn)業(yè)？

  • 　　存儲器是信息系統(tǒng)的核心芯片，對于保障國家安全和信息安全具有重要意義。當前以云計算、大數(shù)據(jù)、人工智能為代表的新一代信息技術(shù)革命迅猛發(fā)展，引發(fā)了海量數(shù)據(jù)的增長，對存儲器的需求也在不斷增加。2017年，我國僅存儲器進口規(guī)模就達到870億美元。　　近日，第二屆中國高端芯片高峰論壇召開。以“存儲器產(chǎn)業(yè)：在開放與競爭中成長”為主題，與會專家對我國存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展策略進行了探討：當前，存儲器正處于技術(shù)變革的關(guān)鍵時期。既要推動現(xiàn)有主流存儲器技術(shù)，產(chǎn)品的應用發(fā)展，也要在新興存儲器方面有超前考慮，力爭為我國企業(yè)在存儲器領(lǐng)域
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濫用出口管制條例，美商務部禁售晉華傷了誰？

  • 　　當?shù)貢r間周一下午，美國商務部突然發(fā)難，以威脅國家安全為由，將中國存儲芯片制造商福建晉華集成電路實施緊急禁售令，禁止美國企業(yè)向后者出售零部件、軟件和技術(shù)產(chǎn)品。美國商務部稱，福建晉華涉及違反美國國家安全利益的行為，給美國帶來了嚴重風險(Significant risk)，并表示晉華即將完成大幅增產(chǎn)計劃，其動態(tài)隨機存取存儲芯片(DRAM)產(chǎn)量顯著上升，此舉長遠威脅到美國DRAM芯片對軍方的供應穩(wěn)定性。這是今年繼中興以來，美國政府對中國半導體企業(yè)實施的第二例禁售，相比中興，對晉華的指控和制裁顯得尤為無理?！　?/li>
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再遭重擊！聯(lián)電單方面宣布暫停與晉華合作

  • 　　周一下午，美國商務部突然發(fā)難，以威脅國家安全為由，將中國存儲芯片制造商福建晉華集成電路實施緊急禁售令，禁止美國企業(yè)向后者出售零部件、軟件和技術(shù)產(chǎn)品。分析師認為，基于本次美國商務部聲明中稱，“福建晉華將威脅到為軍方提供此類芯片的美國供應商的生存能力，同時認為這家中國制造商生產(chǎn)能力的擴大很可能得益于‘源自美國的科技’”，本次禁令可視為此前美光-聯(lián)電-晉華三者間專利糾紛的延續(xù)與深化?！　「鶕?jù)聲明，美國企業(yè)必須持有特定許可證，才能向晉華出口零件、軟件、技術(shù)產(chǎn)品和服務，美國商務部希望通過出口禁令，限制晉華威脅美
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美國商務部禁售福建晉華公司：DRAM生產(chǎn)能力威脅美國國家安全

  • 　　10月29日，美國商務部在官網(wǎng)發(fā)布公告稱，將對福建省晉華集成電路有限公司實施禁售，自10月30日起正式實施?！　【唧w來說，自30日起，美國商務部限制了美國公司對福建晉華的出口，并將其加入到了禁售清單?！　∶绹虅詹糠Q晉華公司構(gòu)成了參與違反美國國家安全利益的活動，有重大風險。　　商務部認為晉華公司即將獲得大規(guī)模生產(chǎn)DRAM的能力，而這可能源于美國技術(shù)，而且量產(chǎn)也會威脅到美國軍用系統(tǒng)的供應商的長期經(jīng)營能力。　　商務部長羅斯表示：“當外國公司從事違反國家安全利益的活動時，我們將采取有力措施保護我們的國家安全
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國內(nèi)廠商在存儲行業(yè)緊鑼密鼓，有望實現(xiàn)“彎道超車”

  • 中國存儲器產(chǎn)業(yè)起步較晚，我國作為全球最重要的存儲器市場，在國家產(chǎn)業(yè)政策扶持以及大量資本投入的背景下，通過自主研發(fā)關(guān)鍵技術(shù)與引入半導體巨頭，有望實現(xiàn)存儲器產(chǎn)業(yè)的“彎道超車”，在全球競爭中占有一席之地。
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DRAM終迎降價潮 會是國產(chǎn)廠商的利好嗎？

  • DRAM在過去九個季度中價格持續(xù)上漲，但隨著技術(shù)漸入瓶頸，加之2018年智能手機增長勢頭放緩、PC出貨量不斷下滑、云服務盛行下服務器需求大減等影響，市場中DRAM漸趨供過于求，進而使得DRAM價格持續(xù)下跌。這種情況，對于國產(chǎn)廠商而言究竟意味著什么呢?
  • 關(guān)鍵字： DRAM  存儲器  

聚焦安全芯片，紫光國微將DRAM業(yè)務2.2億轉(zhuǎn)讓給紫光存儲

  • 　　10月11日晚間，紫光國芯微電子股份有限公司發(fā)布公告，將轉(zhuǎn)讓公司旗下專注于DRAM存儲器芯片設計研發(fā)的西安紫光國芯半導體有限公司(以下簡稱“西安紫光國芯”)給紫光集團下屬全資子公司北京紫光存儲科技有限公司(以下簡稱“紫光存儲”)?！　“凑展娴恼f法，過去幾年里，西安紫光國芯為保持和跟進 DRAM 存儲器芯片設計領(lǐng)域的先進技術(shù)，持續(xù)加大產(chǎn)品開發(fā)投入，但受下游制造代工產(chǎn)能等方面的限制，短期內(nèi)無法達到規(guī)模經(jīng)濟，經(jīng)營壓力加大，資產(chǎn)負債率不斷提高，已影響到其正常持續(xù)經(jīng)營，給上市公司帶來了一定的資金和業(yè)績壓力，其
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“三足鼎立”的DRAM芯片市場是如何形成的？

  • DRAM芯片漲價不斷，三家壟斷企業(yè)賺翻了天，凈利潤高達50%以上，對于很多中小企業(yè)而言，它們也想改變DRAM市場的格局，很多國家想過通過“反壟斷”改變行業(yè)現(xiàn)狀，但仍舊無濟于事。
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DRAM內(nèi)存市場已經(jīng)為寡頭壟斷，時代變了，別再等漲跌循環(huán)了

  • 內(nèi)存漲價今年底也要到頭了，投行機構(gòu)也看衰內(nèi)存行業(yè)前景，認為明年內(nèi)存價格會跌，不過在內(nèi)存業(yè)內(nèi)廠商來看，內(nèi)存市場已經(jīng)變天了，已經(jīng)變成寡頭壟斷，不能再用以前的漲跌周期來看待了。
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紫光國微：公司DRAM芯片與三星有很大差距，DDR4仍是主流產(chǎn)品

  • 今年7月，三星宣布了8Gb LPDDR5內(nèi)存顆粒的正式量產(chǎn)。對此，有投資者在互動平臺上提問，這是否會對紫光國微的DDR4前景造成影響?
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晶圓廠、DRAM和3D NAND投資驅(qū)動，中國晶圓代工產(chǎn)能將于2020年達到全球20%份額

  • 　　近日國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會SEMI公布了最新的中國集成電路產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)報告，報告顯示，中國前端晶圓廠產(chǎn)能今年將增長至全球半導體晶圓廠產(chǎn)能的16%，到2020年，這一份額將增加到20%。受跨國公司和國內(nèi)公司存儲和代工項目的推動，中國將在2020年的晶圓廠投資將以超過200億美元的支出，超越世界其他地區(qū)，占據(jù)首位。　　2014年中國成立大基金以來，促進了中國集成電路供應鏈的迅速增長，目前已成為全球半導體進口最大的國家市場。SEMI指出，目前中國正在進行或計劃開展25個新的晶圓廠建設項目，代工廠、DRAM和3D
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今年全球半導體支出將首次突破1000億美元，內(nèi)存投資繼續(xù)瘋狂

  • 　　IC Insights預測，今年半導體資本支出總額將增至1020億美元，這是該行業(yè)年均支出總額首次超過1000億美元。今年1020億美元的支出水平比2017年的933億美元增長了9%，比2016年增長了38%。預計存儲器IC占2018年半導體支出的53%，其中，閃存占資本支出的份額最大，而DRAM資本支出今年將以最高的速度繼續(xù)增長?！　∪鐖D所示，超過一半的行業(yè)資本支出預計用于內(nèi)存尤其是DRAM和閃存生產(chǎn)，包括對現(xiàn)有晶圓廠產(chǎn)線和全新制作設施的升級?？偟膩碚f，預計今年內(nèi)存將占到半導體資本支出的53%，達到
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dram介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。 動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]
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