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格羅方德12LP+ FinFET解決方案針對AI進行優(yōu)化

  • 半導體代工廠格羅方德（GLOBALFOUNDRIES）宣布，旗下最先進的FinFET解決方案「12LP+」已通過技術(shù)驗證，目前準備投入生產(chǎn)。 格羅方德的差異化「12LP+」解決方案主要針對AI訓練以及推論應用進行優(yōu)化。本解決方案建立于驗證過的平臺上，具有強大的制造生態(tài)系統(tǒng)，可為芯片設計師帶來高效能的開發(fā)體驗，及快速的上市時間。 為達到性能、功耗和面積的組合，12LP+導入了若干新功能，包含更新后的標準組件庫、用于2.5D封裝的中介板，與一個低功耗的0.5V Vmin SRAM記憶單元，以支持AI處理器與內(nèi)
  • 關鍵字： 格羅方德  12LP+  FinFET  AI  

微縮實力驚人 臺積3納米續(xù)沿用FinFET晶體管制程

  • 由于世界前兩大的半導體廠都相繼宣布投入GAA的懷抱，因此更讓人篤定，也許3納米將會是GAA的時代了，因為至3納米制程，F(xiàn)inFET晶體管就可能面臨瓶頸，必須被迫進入下個世代。
  • 關鍵字： 微縮  臺積電  3納米  FinFET  

燧原科技推出搭載基于格芯12LP平臺的“邃思”芯片的人工智能訓練解決方案云燧T10

  • 在燧原科技（燧原）發(fā)布云燧T10之際，燧原與格芯（GLOBALFOUNDRIES）近日共同宣布推出針對數(shù)據(jù)中心培訓的高性能深度學習加速卡解決方案，其核心“邃思”（DTU）基于格芯12LP?FinFET平臺及2.5D 封裝技術(shù)，為云端人工智能訓練平臺提供高算力、高能效比的數(shù)據(jù)處理。燧原的“邃思”（DTU）利用格芯12LP ?FinFET平臺擁有141億個晶體管，采用先進的2.5D封裝技術(shù)，支持PCIe 4.0接口和燧原 Smart Link高速互聯(lián)。支持CNN/RNN等各種網(wǎng)絡模型和豐富的數(shù)據(jù)類型
  • 關鍵字： FinFET  2.5D  

新思科技和臺積合作在其5納米 FinFET 強化版N5P制程技術(shù)上開發(fā)DesignWare IP核產(chǎn)品組合

  • 臺積公司5奈米 FinFET 強化版（N5P）制程技術(shù)上開發(fā)的DesignWare PHY IP核包括USB、DisplayPort、DDR、LPDDR、HBM、PCI Express、Ethernet、MIPI和HDMI臺積公司N5P工藝上開發(fā)的DesignWare基礎IP核包括高速、面積優(yōu)化和低功耗的嵌入式存儲器、邏輯庫和一次性可編程非易失性存儲器。STAR Memory System?采用針對5nm FinFET晶體管缺陷的新算法，可有效測試、修復和診斷嵌入式存儲器新思科技（Synopsys, In
  • 關鍵字： 新思  臺積合   FinFET 強化版N5P  

格芯針對人工智慧應用推出12LP+ FinFET解決方案

  • 晶圓代工大廠格芯（GLOBALFOUNDRIES）宣布，與IC設計廠SiFive正在合作研發(fā)將高頻寬存儲器（HBM2E）運用于格芯最近宣布的12LP+FinFET解決方案，以擴展高性能DRAM。12LP+FinFET解決方案將提供2.5D封裝設計服務，可加速人工智能（AI）應用上市時間。
  • 關鍵字： 格芯  人工智慧應用  12LP+ FinFET  

Mentor 擴展解決方案以支持 TSMC 5nm FinFET 和 7nm FinFET Plus 工藝技術(shù)

  • 　　Mentor, a Siemens business 今日宣布 Mentor Calibre? nmPlatform 和 Analog FastSPICE? (AFS?) Platform 獲得 TSMC 的 7nm FinFET Plus 和最新版本的 5nm FinFET 工藝的認證。此外，Mentor 還繼續(xù)擴展 Xpedition? Package Designer 和 Xpedition Substrate Integrator 產(chǎn)品的功能，以支持 TSMC 的高級封裝產(chǎn)品。　　TSMC 設
  • 關鍵字： Mentor  FinFET   

格芯擴展FinFET產(chǎn)品新特性為全面實現(xiàn)未來智能系統(tǒng)

  • 　　格芯是全球領先的全方位服務半導體代工廠，為世界上最富有靈感的科技公司提供獨一無二的設計、開發(fā)和制造服務。2018年9月25日， 格芯在其年度全球技術(shù)大會(GTC)上，繼在300mm平臺上面向下一代移動應用推出8SW RF SOI客戶端芯片后，格芯宣布計劃在其14/12nm FinFET產(chǎn)品中引入全套新技術(shù)，這是公司加強差異化投資的全新側(cè)重點之一，功能豐富的半導體平臺為下一代計算應用提供具有競爭力的性能和可擴展性。新工藝技術(shù)旨在為快速增長市場(如超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心和自動駕駛汽車)應用提供更好的可擴展性和性
  • 關鍵字： 格芯  FinFET  

GF宣布將在既有14/12納米FinFET制程節(jié)點基礎上，向外擴展應用領域

  • 　　自從28納米制程節(jié)點向下轉(zhuǎn)進以來，就剩下四大晶圓代工廠商持續(xù)鞏固先進制程：臺積電、三星電子(SamsungElectronics)、GlobalFoundries(GF)以及英特爾(Intel)。但在這四大廠商轉(zhuǎn)進16/14納米先進制程過程中，又以GF歷經(jīng)最多波折，但最終，GF尋求向三星取得14納米制程授權(quán)，更成功將該節(jié)點制程落實在自家晶圓廠。隨后包括超微(AMD)旗下RyzenCPU與PolarisGPU系列產(chǎn)品的成功，均可說是GF旗下晶圓廠14納米制程終于達到良率開出順利，并且改善制程足以提供更明
  • 關鍵字： GF  FinFET  

格芯終止7nm FinFET工藝研發(fā)，接下來要發(fā)大招？

  • 和其他晶圓廠一樣，格芯正在迎來各種各樣的挑戰(zhàn)。
  • 關鍵字： 格芯  7nm  FinFET  

FinFET對動態(tài)功耗的影響

  • 現(xiàn)在主要的代工廠都在生產(chǎn)FinFET晶體管，這些FinFET以創(chuàng)紀錄的速度實現(xiàn)了從設計到現(xiàn)貨產(chǎn)品的轉(zhuǎn)變。FinFET的發(fā)展普及一直都比較穩(wěn)定，因為與平面器件相
  • 關鍵字： FinFET  動態(tài)功耗  

中芯國際14納米FinFET制程開始客戶導入，Q2營收同比增長18.6%

  • 　　9日中芯國際集成電路制造有限公司公布截至2018年6月30日止第二季度的綜合經(jīng)營業(yè)績。中芯國際第二季度銷售額為8.907億美元，與上一季度環(huán)比增長7.2%，與去年同比增長18.6%。欣喜的是，14納米FinFET制程開始進入到客戶導入階段，可以預見量產(chǎn)目標已不遙遠。14納米FinFET制程如果正式量產(chǎn)，對于中芯國際來說將是一個歷史性的時刻。不僅可以確保其遙遙領先于國內(nèi)的競爭對手，更是可以拉近其和國際芯片大廠之間的距離。　　根據(jù)中芯國際財報，第二季度不含技術(shù)授權(quán)收入(授權(quán)收入)確認的銷售額為8.379億
  • 關鍵字： 中芯國際  14納米  FinFET  

利用FinFET優(yōu)勢的六種方式

  • 為了能夠充分發(fā)揮好工藝制程的功耗，性能和面積(PPA)上的優(yōu)勢， 必須要求我們的設計人員將有相關工藝知識的設計戰(zhàn)略和優(yōu)化的IP相結(jié)合，其中包括了標準
  • 關鍵字： FinFET  synopsys  

FinFET布局和布線要經(jīng)受的重大考驗

  • 隨著高級工藝的演進，電路設計團隊在最先進的晶片上系統(tǒng)內(nèi)加載更多功能和性能的能力日益增強。與此同時，他們同樣面臨許多新的設計挑戰(zhàn)。多重圖案拆分
  • 關鍵字： FinFET  布線  

三星侵犯大學專利，賠償金或高達4億美元

  • 　　近日，德克薩斯州聯(lián)邦陪審團作出一項裁決：三星電子因侵犯韓國技術(shù)學院一項專利技術(shù)，需向后者支付賠償金或?qū)⒏哌_4億美元。　　據(jù)了解，韓國技術(shù)學院曾向法院提起訴訟，指控三星電子侵犯了其鰭片晶體管技術(shù)(FinFET)制程工藝相關的專利技術(shù)。然而三星向陪審團表示，它與韓國技術(shù)學院合作開發(fā)了這項技術(shù)，并否認侵犯了相關專利技術(shù)。三星還對這項專利的有效性提出了質(zhì)疑。就在三星對此不屑一顧時，其對手英特爾公司開始向這項技術(shù)的發(fā)明者取得許可授權(quán)，圍繞三星是否侵權(quán)的力量博弈發(fā)生了改變，三星才開始重視這個事件的嚴重性?！　?jù)悉
  • 關鍵字： 三星  FinFET  

掌控芯片制造的“火候”，看懂小處用心的美好

  • 小小的芯片，看似簡單，卻充滿了科技之道。只有真的懂得制造工藝與應用原理，了解每一顆芯片生產(chǎn)背后的艱辛，才能看懂制造商從小處用心的美好。
  • 關鍵字： 芯片  FinFET  
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