- 繼網羅到蔣尚義這位臺灣半導體大將后，大陸半導體產業(yè)又有新動作。據(jù)報道，傳大陸行業(yè)領頭羊中芯國際要將梁孟松收入麾下，梁孟松或于 5 月出任中芯國際 CTO 或 COO。和蔣尚義一樣，梁孟松同樣來自臺積電技術研發(fā)高層，他曾任臺積電資深研發(fā)處長。
之前蔣尚義加入中芯時，已經是半導體行業(yè)的一枚重磅炸彈了，畢竟無論是從他 40 多年的行業(yè)經驗還是在臺積電的任職時間來看，他都堪稱元老。在臺積電，蔣尚義參與主導了從0.25微米、0.18微米直至16納米制程技術的研發(fā)，張忠謀曾感激他為“臺積電16年
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中芯國際 FinFET
- 潘文淵文教基金會日前舉行“潘文淵獎”頒獎典禮，2016年的得獎人是加州大學柏克萊分校講座教授胡正明，他曾回臺擔任臺積電首任技術長，也是工研院院士，他所研發(fā)的3D鰭式晶體管(FinFET)突破物理極限，堪稱半導體工業(yè)40多年來的最大變革。
胡正明目前仍深耕學術教育，為產學研界培育眾多優(yōu)秀人才。 在頒獎典禮中，胡正明與清華大學前校長劉炯朗以“創(chuàng)新人才培育─邁向科技新世代”為題進行高峰論壇，兩人提出許多深具啟發(fā)性的見解。
肯定自己 解決問題就是創(chuàng)新
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FinFET
- 近日格羅方德12英寸晶圓廠落戶中國成都引起業(yè)界關注，為何?因為FD-SOI技術。
眾所周知，當柵極長度逼近20nm大關時，對電流控制能力急劇下降，漏電率相應提高。FinFET與FD-SOI恰是半導體微縮時代續(xù)命的高招。
盡管FinFET與FD-SOI師出同門，但是，兩者卻被“陣營化”，F(xiàn)inFET陣營占據(jù)絕對優(yōu)勢。格羅方德是為數(shù)不多的FD-SOI技術堅守與推動者了。FD-SOI能是否叫板FinFET?希望格羅方德12英寸晶圓廠能給出答案。
今天我們就來談談Fi
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FinFET FD-SOI
- 中國半導體業(yè)發(fā)展可能關鍵不在于方向在那里?而是確定方向之后，如何踏實去干，去解決一個一個難題。任何進步沒有捷徑，其中骨干企業(yè)的責任尤為重要。
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SOI finFET
- 2016年12月7日，高通宣布在服務器領域的最新進展：其首款10nm服務器芯片Qualcomm Centriq 2400開始商用送樣，預計在2017年下半年實現(xiàn)商用。作為Qualcomm Centriq系列的首款產品，Centriq 2400采用最先進的10nm FinFET制程技術，這也是全球首款10nm處理器芯片，最高可配置48個核心。
高通官方介紹，Qualcomm Centriq 2400系列主打QDT的ARMv8可兼容定制內核——Qualcomm? Fa
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高通 FinFET
- 最近，中國微電子所集成電路先導工藝研發(fā)中心在下一代新型FinFET邏輯器件工藝研究上取得重要進展。微電子所殷華湘研究員的課題組，利用低溫低阻NiPt硅化物在新型FOI FinFET上實現(xiàn)了全金屬化源漏(MSD)，能顯著降低源漏寄生電阻，從而將N/PMOS器件性能提高大約30倍，使得驅動性能達到了國際先進水平。
基于本研究成果的論文被2016年IEEE國際電子器件大會(IEDM)接收，并在IEDM的關鍵分會場之一——硅基先導CMOS 工藝和制造技術(PMT)上，由張青竹
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FinFET 摩爾定律
- 由于技術和商業(yè)上的原因，摩爾定律也失去了效力，而且受制于光刻技術、硅材料的極限等因素，芯片制程提升很可能會遭遇瓶頸，這種情況下胡正明教授的FinFET研究就尤為重要。
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半導體 FinFET
- 格羅方德公司今天宣布，已證實運用14納米FinFET工藝在硅芯片上實現(xiàn)真正長距離56Gbps SerDes性能。作為格羅方德高性能ASIC產品系列的一部分，F(xiàn)X-14? 具有56Gbps SerDes，致力于為提高功率和性能的客戶需求而生，亦為應對最嚴苛的長距離高性能應用需求而準備?！ 「窳_方德56Gbps SerDes 內核同時支持 PAM4 和 NRZ 信號傳導，可補償超過35dB的插入損耗，因而無須在目前極
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格羅方德 FinFET
- 盡管距離國際標準化組織確定的2020年5G商用仍有3年時間之久，現(xiàn)在的4G網絡還有潛力挖掘和價值提升的空間，然而全球“大T”們(運營商)的發(fā)展焦點已經向5G轉移，紛紛從技術研發(fā)、標準制定、產業(yè)儲備等方面入手，對5G進行全面布局。
“預計2022年全球將有5.5億5G用戶，其中北美和亞太將成為發(fā)展最快的兩大地區(qū)?！辫b于全球運營商的積極行動，業(yè)界紛紛調高了對5G發(fā)展速度的預期，愛立信在近期發(fā)布的《移動市場報告》中就給出了2020年5.5億用戶的預期。
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三星 FinFET
- 半導體領域FinFET技術發(fā)明人胡正明說，由于半導體技術的突破，網際網路的速度和普及度還有千百倍的成長空間。
在中國大陸烏鎮(zhèn)舉行的第3屆世界互聯(lián)網大會，今年首次舉辦“世界互聯(lián)網領先科技成果發(fā)布活動”，由海內外網路專家組成的專家征集并評選出15項最尖端的技術成果和最具創(chuàng)新性的商業(yè)模式。胡正明及其率領的研究團隊，在半導體微型化的突破成就是其中之一。
胡正明率領的美國加州大學柏克萊分校團隊，將平面二維晶體管創(chuàng)新制作成垂直三維的“鰭式電晶體”，讓半導
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FinFET
- 大家都在談論FinFET——可以說，這是MOSFET自1960年商用化以來晶體管最大的變革。幾乎每個人——除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜(FDSOI)的人，都認為20 nm節(jié)點以后，F(xiàn)inFET將成為SoC的未來。但
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SoC FinFET MOSFET
- 所有大型晶圓代工廠都已宣布 FinFET 技術為其最先進的工藝。Intel 在 22 nm 節(jié)點上采用該晶體管，TSMC 在其 16 nm 工藝上使用，而 Samsung 和 GlobalFoundries 則將其用于 14 nm 工藝中。
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FinFET 電路設計
- 要判定FinFET、FD-SOI與平面半導體制程各自的市場版圖還為時過早…
盡管產量仍然非常少，全空乏絕緣上覆矽(fully depleted silicon-on-insulator，F(xiàn)D-SOI)制程有可能繼Globalfoundries宣布12奈米計畫(參考閱讀)之后快速成長;而市 場研究機構International Business Strategies (IBS)資深分析師Handel Jones表示，三星(Samsung)或將在中國上海成立的一座新晶圓廠是否會采用FD
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制程 FinFET
- 新思科技(Synopsys)近日宣布其 Galaxy Design Platform 已支援全球九成的 FinFET 晶片設計量產投片(production tapeout)，目前已有超過20家業(yè)界領導廠商運用這個平臺
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Synopsys FinFET
- 隨著半導體工藝技術的進步與智能手機對極致效能的需求加劇，移動處理器的工藝制程正在邁向新的高度。目前，全球領先的晶圓代工廠商已經將工藝制程邁向10納米FinFET工藝，16/14納米節(jié)點的SoC也已實現(xiàn)量產，那么半導體技術節(jié)點以摩爾定律的速度高速發(fā)展至今，移動處理器的工藝制程向前演進又存在哪些挑戰(zhàn)?同時，進入20納米技術節(jié)點之后傳統(tǒng)的CMOS工藝式微，這將給FinFET與FD-SOI工藝在技術與應用上帶來怎樣的發(fā)展變革?
5納米節(jié)點是目前技術極限 摩爾定律被修正意義仍在
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處理器 FinFET
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