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海力士第二季凈虧4100萬美元 已連虧7個(gè)季度

  • 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，全球第二大計(jì)算機(jī)內(nèi)存芯片制造商海力士半導(dǎo)體近日表示該公司第二季度凈虧損4100萬美元。這也是海力士連續(xù)第七個(gè)季度虧損。 第二季度，海力士?jī)籼潛p為507億韓元（4100萬美元），去年同期凈虧損為7078億韓元。根據(jù)彭博社新聞對(duì)13位分析師的調(diào)查，市場(chǎng)原預(yù)期海力士第二季度能錄得490億韓元的凈利潤(rùn)。 海力士營(yíng)運(yùn)虧損同比擴(kuò)大21%至2212億韓元，高于去年同期1834億韓元的營(yíng)運(yùn)虧損水平。根據(jù)彭博社的調(diào)查，市場(chǎng)原預(yù)期海力士第二季度營(yíng)運(yùn)虧損為1900億韓元。 海力士在聲明中表示：&ldquo
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臺(tái)DRAM整并原地踏步半年 誰要負(fù)責(zé)？

  • 　　臺(tái)“經(jīng)濟(jì)部”日前宣布“DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案”，即日起以三個(gè)月為期受理申請(qǐng)政府參與投資。令人關(guān)注的是，原先受經(jīng)濟(jì)部相中、賦予產(chǎn)業(yè)重整重責(zé)大任的“真命天子”TMC公司，如今已經(jīng)貶為“庶人”，須與其它DRAM制造廠平起平坐競(jìng)逐國(guó)家資金。業(yè)者指出，此舉形同宣告原先的DRAM整并計(jì)劃破局，一切都回歸原點(diǎn)。事情發(fā)展到今天這樣的局面，容我們直言，馬政府中必須要有人負(fù)起政治責(zé)任。 　　在三周之前，媒體報(bào)導(dǎo)日本政府已經(jīng)決定
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茂德與海力士拆伙 擬與TMC合作

  • 　　據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)灣DRAM廠茂德科技董事會(huì)日前決議，與合作伙伴韓國(guó)海力士半導(dǎo)體 (Hynix)簽訂停止合作協(xié)議書。茂德表示，未來將轉(zhuǎn)與臺(tái)灣內(nèi)存公司(TMC)等合作。 　　茂德甫于去年5月與海力士簽署策略聯(lián)盟合約，不僅延續(xù)雙方既有的技術(shù)合作伙伴關(guān)系，海力士將技轉(zhuǎn)50納米世代堆疊式DRAM制程技術(shù)給茂德;海力士還斥資新臺(tái)幣34.56億元，取得5.76億股茂德私募增資股。 　　此外，海力士資深副總裁Min Goo Choi也于今年茂德股東常會(huì)董監(jiān)事改選中，順利當(dāng)選董事。 　　只是在茂德制程技術(shù)尚未推
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臺(tái)塑絕地大反攻　拉攏英特爾入股華亞科

  • 　　臺(tái)塑集團(tuán)布局DRAM產(chǎn)業(yè)更趨積極，除集團(tuán)挹注資金、爭(zhēng)取國(guó)發(fā)基金投資，近期傳出華亞科有意讓英特爾(Intel)投資入股，打算藉由辦理海外存托憑證(GDR)或私募時(shí)進(jìn)行，目前整起投資案正由外資機(jī)構(gòu)評(píng)估中。存儲(chǔ)器業(yè)者透露，華亞科擬引進(jìn)英特爾投資，主要關(guān)鍵系說服英特爾藉由這次支持DRAM產(chǎn)業(yè)動(dòng)作，阻止三星電子(Samsung Electronics)在全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)坐大，甚至威脅英特爾在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)地位。 　　存儲(chǔ)器業(yè)者透露，華亞科擬以GDR或私募方式引進(jìn)英特爾資金，除爭(zhēng)取資金挹注，另一個(gè)重要原因，就是希望藉
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PC市場(chǎng)回暖 7月DRAM內(nèi)存價(jià)格上漲10%

  • 　　隨著全球PC廠商準(zhǔn)備應(yīng)對(duì)返校季節(jié)和圣誕節(jié)的銷售，DRAM計(jì)算機(jī)內(nèi)存價(jià)格正在上漲。由于微軟Windows 7操作系統(tǒng)即將推出，內(nèi)存價(jià)格上漲將超過人們的預(yù)期。 　　Windows 7將在10月22日推出的消息令人們興奮不已。主要原因是Windows 7到目前為止的測(cè)試結(jié)果贏得了好評(píng)，引起了Windows 7最終將把Windows XP用戶吸引過來的希望。Windows XP在市場(chǎng)上占統(tǒng)治地位已經(jīng)有8年時(shí)間了。Windows 7還為PC應(yīng)用一些新功能鋪平了道路。這種情況也會(huì)推動(dòng)銷售。 　　據(jù)DRAMeX
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三星電子率先量產(chǎn)40納米DDR3 DRAM

  • 　　7月21日三星電子宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)40納米2Gb DDR3 Dram。這是該級(jí)別產(chǎn)品全世界首次進(jìn)入量產(chǎn)。同時(shí)該產(chǎn)品比去年九月量產(chǎn)的50納米產(chǎn)品擁有更高的量產(chǎn)性。 　　據(jù)悉，繼2008年9月三星電子在業(yè)內(nèi)首次量產(chǎn)50納米DDR3 Dram之后，該公司又于2009年1月首次開發(fā)出40納米2Gb DDR3 Dram并于本月首次投入量產(chǎn)。三星電子通過不斷簡(jiǎn)化生產(chǎn)工藝縮短生產(chǎn)時(shí)間，極大地提高了生產(chǎn)效率和成本競(jìng)爭(zhēng)力。 　　三星電子表示，新一代量產(chǎn)的40納米產(chǎn)品擁有更高的科技水平和環(huán)保型解決方案從而將獲得比50
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三星電子增加下半年在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)投資

  • 　　電子行業(yè)報(bào)紙ETnews周五報(bào)導(dǎo)稱，預(yù)計(jì)韓國(guó)三星電子下半年在一個(gè)半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施上投資至少1萬億韓元(合7.9億美元)。 　　該報(bào)未指明消息來源稱，三星下半年在芯片業(yè)務(wù)方面的資本支出料為8,000億韓元左右。 　　三星半導(dǎo)體事業(yè)群總裁勸五鉉周四在一次業(yè)內(nèi)活動(dòng)上稱，三星預(yù)計(jì)下半年投資“略高于”上半年。 　　該公司多次拒絕透露今年的資本投資計(jì)劃規(guī)模，或是迄今的已投資額。 　　ETnews報(bào)稱，芯片業(yè)務(wù)下半年的投資將側(cè)重于引進(jìn)更先進(jìn)的生產(chǎn)技術(shù)，比如采用40納米制程生產(chǎn)DRAM和
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三星增資 臺(tái)灣DRAM廠面臨嚴(yán)峻考驗(yàn)

  • 　　三星傳出下半年將投入大筆資金發(fā)展存儲(chǔ)器先進(jìn)制程，對(duì)于臺(tái)灣DRAM廠來說，又將面臨一次嚴(yán)峻的考驗(yàn)。 　　DRAM廠目前最欠缺的就是金援，以現(xiàn)在全球DRAM業(yè)者來看，很難靠一己之力對(duì)外籌資。也因此，包括韓國(guó)、日本等國(guó)政府都已出手金援，相形之下，臺(tái)灣DRAM廠迄無政府資金奧援，儼然落居劣勢(shì)。 　　由于資金壓力緊迫，加上政府產(chǎn)業(yè)再造計(jì)劃仍沒有進(jìn)一步具體動(dòng)作，甚至連政府挹注TMC資金都還沒到位，近期臺(tái)塑集團(tuán)旗下南科、華亞科已搶先發(fā)動(dòng)募資計(jì)畫，將有助提升臺(tái)灣DRAM 產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力與韓系業(yè)者勢(shì)力抗衡。 　　伴隨
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DRAM廠縮衣節(jié)食　資本支出大幅縮減

  • 　　2009年DRAM產(chǎn)業(yè)景氣從谷底爬出，各家DRAM廠盛行縮衣節(jié)食，日前也傳出海力士(Hynix)大砍2009年的資本支出近一半，全年支出僅約16億美元，但分析師預(yù)估，將海力士的自有廠房與意法半導(dǎo)體在大陸合資的無錫廠一并計(jì)算，2009年的總資本支出也頂多10億美元，較目前規(guī)劃的金額減少6億美元，充分反應(yīng)對(duì)存儲(chǔ)器市場(chǎng)看法的保守;此外，臺(tái)系DRAM廠只有南亞科和華亞科下半年轉(zhuǎn)進(jìn)50納米，2009年資本支出規(guī)劃超過新臺(tái)幣100億元，力晶資本支出不到50億美元，茂德更無資本支出可言。 　　DRAM業(yè)者表示，以
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臺(tái)灣DRAM廠面臨內(nèi)憂外患

  • 　　三星破天荒公布第二季獲利預(yù)估，優(yōu)于市場(chǎng)預(yù)期，業(yè)界認(rèn)為作多意味濃厚，三星主要業(yè)務(wù)涵蓋面板、手機(jī)、半導(dǎo)體晶片等三大領(lǐng)域，以現(xiàn)況來看，面板需求暢旺無虞，但半導(dǎo)體芯片，尤其是DRAM與NAND Flash兩大存儲(chǔ)領(lǐng)域，則仍有觀察空間。 　　近來包括海力士(Hynix)、美光(Micron)、南科、力晶等島內(nèi)外大廠，紛紛看好下半年DRAM價(jià)格走勢(shì)，為市場(chǎng)信心吞下一顆定心丸。 　　但業(yè)界憂心，三星第二季整體獲利超乎市場(chǎng)預(yù)期，在記憶體價(jià)格仍未見明顯起色下，是否會(huì)以其他部門的獲利，來彌補(bǔ)存儲(chǔ)事業(yè)虧損，進(jìn)而持續(xù)以&
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臺(tái)塑集團(tuán)和TMC戰(zhàn)火激烈　臺(tái)DRAM產(chǎn)業(yè)發(fā)展路線再起爭(zhēng)論

  • 　　華亞科總經(jīng)理于9日發(fā)表對(duì)臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)整合的建言，9日更傳出臺(tái)塑集團(tuán)搶在TMC前面，向“經(jīng)濟(jì)部”和國(guó)發(fā)基金送出DRAM整合企畫書;惟對(duì)此南亞科和華亞科表示，在幾天前的確以南亞科的名義，向工業(yè)局送出研發(fā)補(bǔ)助草案，非正式送件，也與DRAM整合無關(guān)，正式的整合計(jì)畫書將于近期送出;惟臺(tái)塑集團(tuán)和TMC之間的戰(zhàn)火，各方互不相讓。 　　“經(jīng)濟(jì)部”針對(duì)臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)整合成立TMC，選定爾必達(dá)作為臺(tái)灣技術(shù)主軸，引發(fā)不少DRAM業(yè)者的抗議聲浪，臺(tái)塑集團(tuán)首先出面拒絕加入
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臺(tái)塑將申請(qǐng)政府注資 投入DRAM技術(shù)開發(fā)

  • 　　臺(tái)塑集團(tuán)的DRAM晶片廠南科、華亞科近日向臺(tái)“經(jīng)濟(jì)部”提出資金援助申請(qǐng)，希望政府支持臺(tái)塑集團(tuán)投入技術(shù)開發(fā)計(jì)劃。預(yù)計(jì)將向政府爭(zhēng)取國(guó)發(fā)基金的資金挹注，額度約在200億至300億臺(tái)幣。 　　在臺(tái)灣當(dāng)局今年年初出面主導(dǎo)成立臺(tái)灣記憶體公司(TMC)，希望藉此進(jìn)行動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)產(chǎn)業(yè)整合再造後，臺(tái)塑集團(tuán)在4月初時(shí)曾表示，與海外技術(shù)夥伴美光不會(huì)加入TMC陣營(yíng)，反之希望政府比照TMC，予以資金等支持。 　　報(bào)導(dǎo)引述華亞科總經(jīng)理高啟全稱，有鑒政府將挹注資金給新的TMC公司，現(xiàn)也
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臺(tái)灣DRAM廠 面臨內(nèi)憂外患

  • 　　三星破天荒公布第二季獲利預(yù)估，優(yōu)于市場(chǎng)預(yù)期，業(yè)界認(rèn)為作多意味濃厚，三星主要業(yè)務(wù)涵蓋面板、手機(jī)、半導(dǎo)體晶片等三大領(lǐng)域，以現(xiàn)況來看，面板需求暢旺無虞，但半導(dǎo)體芯片，尤其是DRAM與NAND Flash兩大存儲(chǔ)領(lǐng)域，則仍有觀察空間。 　　近來包括海力士(Hynix)、美光(Micron)、南科、力晶等島內(nèi)外大廠，紛紛看好下半年DRAM價(jià)格走勢(shì)，為市場(chǎng)信心吞下一顆定心丸。 　　但業(yè)界憂心，三星第二季整體獲利超乎市場(chǎng)預(yù)期，在記憶體價(jià)格仍未見明顯起色下，是否會(huì)以其他部門的獲利，來彌補(bǔ)存儲(chǔ)事業(yè)虧損，進(jìn)而持續(xù)以&
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集成電路發(fā)展哲理

  • 　　半導(dǎo)體技術(shù)極其豐富多彩，身陷其景，會(huì)有“不識(shí)廬山真面目，只緣身在此山中”的感觸。為此，既要“近賞細(xì)微”，又要“臨空瀏覽”，以期從中領(lǐng)悟到一些哲理。 　　本演講根據(jù)半導(dǎo)體技術(shù)“由簡(jiǎn)入繁”、又“化繁為簡(jiǎn)”的螺旋式發(fā)展史事，探討主流半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展哲理，供大家參考討論。 　　發(fā)展歷程 　　根據(jù)IC Knowledge 的歸納[1]，可以把集成電路(IC)的發(fā)展歷程劃分為四個(gè)階段：
  • 關(guān)鍵字： 集成電路  CMOS  EPROM  DSP  DRAM  MPU  200907  

英特爾美光及三星開始NAND縮微大賽

  • 　　全球NAND閃存的尺寸縮小競(jìng)賽再次打響。無論英特爾與美光的聯(lián)合體,IMFlash,三星及東芝都欲爭(zhēng)得NAND縮小的領(lǐng)導(dǎo)地位而互相較勁。但是實(shí)際上在目前存儲(chǔ)器下降周期時(shí)尺寸縮小競(jìng)賽并無實(shí)際的意義。 　　按分析師報(bào)告,IMFlash正討論2x nm,而三星己悄悄地作出3xnm樣品及美光計(jì)劃利用每單元3位技術(shù)于今年第四季度開始量產(chǎn)。 　　在DRAM領(lǐng)域,三星一直是技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者,目前已作出46nm DRAM樣品。 　　究竟誰是NAND尺寸縮小的領(lǐng)導(dǎo)者,據(jù)今年早些時(shí)候報(bào)道,東芝與新帝合資公司己走在前列,尺寸
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