首頁  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> lpddr5x dram

評論:DRAM產(chǎn)業(yè)再造 應著重外部效益

  •   為解決臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)所面臨的困境,政府提出產(chǎn)業(yè)再造方案,希望能夠藉此進行產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整,擺脫以往脆弱的營運模式,提升產(chǎn)業(yè)未來的國際競爭力。惟近來半導體需求逐漸回溫,DRAM市場價格也漸有起色,遂有政府應見好就收、趕緊退場的意見浮出,究竟廠商是否可藉此價格回升的機會渡過難關(guān)?政府是否應該急流勇退?值得進一步探討。   基本上DRAM市場價格主要還是由供需的狀況來決定。根據(jù)調(diào)查,目前DRAM整體總產(chǎn)能仍然過剩,市場需求的提升,能否導致價格回穩(wěn),須視主要DRAM大廠產(chǎn)能開出的情況而定。若大廠維持目前產(chǎn)能利
  • 關(guān)鍵字: Qimonda  DRAM  

奇夢達資產(chǎn)四分五裂 德儀、爾必達、華邦分食

  •   德國DRAM廠奇夢達(Qimonda)進入破產(chǎn)程序后,由于找不到買主接手存儲器事業(yè),旗下資產(chǎn)陸續(xù)被處分出售,繼日前繪圖卡存儲器(GDDR)技術(shù)售予爾必達(Elpida)和華邦之后,奇夢達在美國Richmond的子公司也可望售予德州儀器(TI) 來生產(chǎn)類比IC產(chǎn)品,奇夢達終究躲不過分拆出售的命運,也意味奇夢達確定走入歷史。   奇夢達在2009年初申請破產(chǎn)保護,然由于旗下自己研發(fā)的46奈米制程Buried Wordline技術(shù)已開發(fā)成功,原本要再大陸找尋新的投資者進駐,然之后卻傳出破局,在找不到新買主
  • 關(guān)鍵字: 奇夢達  DRAM  存儲器  GDDR  

日韓擴產(chǎn) DDR3漲勢受阻

  •   消息指出,韓國DRAM大廠三星(Samsung)、海力士(Hynix)計劃本月底大幅提高DDR3產(chǎn)能,此動作恐削緩目前DDR3供不應求的力道,短期價格上漲恐出現(xiàn)阻力,使得上周五最新現(xiàn)貨報價已落破2美元。   此外,日本大廠爾必達(Elpida)也計劃將位于廣島的主力生產(chǎn)據(jù)點全數(shù)轉(zhuǎn)生產(chǎn)DDR3,預計9月起DDR3的月產(chǎn)量將自現(xiàn)行的2到3萬片倍增至7.5萬片。   臺灣力晶上周五亦開始全面停止無薪假,且擴大投片搶攻DDR3市場。   業(yè)界表示,DRAM廠爭相擴大DDR3產(chǎn)出,供給與需求面逐漸取得平衡
  • 關(guān)鍵字: Samsung  DRAM  DDR3  

第二季度爾必達 DRAM銷售大增

  •   據(jù) iSuppli 公司,日本爾必達是第二季度全球 DRAM 市場明星,大幅提價導致其營業(yè)收入比第一季度勁增了 50%。   在五大 DRAM 供應商中,第二季度爾必達業(yè)績最好,營業(yè)收入從第一季度時的 4.97 億美元上升到 7.45 億美元。第二季度該公司 DRAM 的平均銷售價格(ASP)比第一季度提高了 32%,推動其業(yè)績明顯提升。   爾必達通過擴大面向移動與消費應用的專用 DRAM 銷售,大幅提高了營業(yè)收入與 ASP。這些專用 DRAM 價格高于通用產(chǎn)品,幫助爾必達取得了優(yōu)于競爭對手的業(yè)
  • 關(guān)鍵字: 爾必達  DRAM  DDR3   

Q2全球DRAM內(nèi)存市場銷售收入環(huán)比增長34%

  •   據(jù)市場研究公司iSuppli稱,2009年第二季度全球DRAM內(nèi)存芯片的銷售收入達45億美元,比今年第一季度的34億美元增長了34%。今年第一季度全球DRAM內(nèi)存芯片的銷售收入比去年第四季度下降了19%。不過,與去年同期相比,第二季度的DRAM內(nèi)存芯片的銷售收入下降了33.5%。   日本內(nèi)存芯片供應商Elpida Memory第二季度的DRAM內(nèi)存銷售收入是7.45億美元,比第一季度的4.79億美元增長了50%,是所有DRAM內(nèi)存芯片廠商中增長率最高的。第二季度DRAM內(nèi)存芯片的平均銷售價格比第一
  • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  內(nèi)存芯片  DDR3  

臺灣半導體年產(chǎn)值預計將下滑13%

  •   臺灣資訊工業(yè)策進會日前預計,今年臺灣半導體產(chǎn)值可達1.14萬億元,比去年衰退13%。同時,受惠于新興市場成長,部分領(lǐng)域的產(chǎn)值可能超過全球平均水準。   臺灣媒體引述資策會的分析稱,今年第一季度是臺灣半導體產(chǎn)業(yè)的景氣底限,在上下游業(yè)者同步快速調(diào)整庫存的情況下,第二季度的產(chǎn)業(yè)供應鏈恢復正常供需水準。受惠于下游系統(tǒng)產(chǎn)業(yè)回暖,目前半導體產(chǎn)業(yè)各項指標都出現(xiàn)回升跡象。   其中,臺灣晶圓代工產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值約占全球產(chǎn)值的70%,今年第一、第二季度產(chǎn)值分別約為525億元、1000億元,第三季度將比第二季度增長15%以上
  • 關(guān)鍵字: 半導體  DRAM  

力晶復工生產(chǎn) 投片量近8萬片

  •   全球DRAM產(chǎn)業(yè)景氣回春,價格逐漸觸底反彈,促使原本減產(chǎn)的臺系DRAM廠紛復工生產(chǎn),其中,華亞科和南亞科率先增產(chǎn),力晶近期亦宣布全面取消無薪假,大家都想多生產(chǎn)一點,為2009年傳統(tǒng)旺季行情拼一拼。存儲器業(yè)者表示,力晶目前單月投片量已接近8萬片,但其中有50%是晶圓代工生意,標準型存儲器的量還不多。   力晶2008年10月在DRAM價格過低,虧損劇烈的情況下,率先宣布減產(chǎn),之后引發(fā)其它DRAM廠包括爾必達(Elpida)、南亞科、華亞科、海力士(Hynix)、茂德等陸續(xù)跟進,在供給逐漸減少的情況下,
  • 關(guān)鍵字: 力晶  DRAM  DDR3  

上網(wǎng)本LED背光是未來主流

  •   DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)、顯示和背光對于上網(wǎng)本來說是較耗電的部分?,F(xiàn)在在芯片組上Intel、VIA和AMD公司均已提出將推出大幅降低功耗的產(chǎn)品,因此后續(xù)改為采用較省電的DDR3以及LED背光方式能夠使上網(wǎng)本更節(jié)能。   由于本身相關(guān)芯片均比筆記本電腦的功率需求低,所以上網(wǎng)本相對有較高的電池使用時間。現(xiàn)在的電源方案與筆記本電腦應該是相同的設計思路,未來的電源設計可能會有一些改變,但還需要市場的認同。   我們可以提供PWMIC(電源管理集成電路)、LDO(低壓差線性穩(wěn)壓器)和MOSFET。這些
  • 關(guān)鍵字: Intel  DRAM  DDR3  LED背光  

2013年閃存需求規(guī)模將達到08年的11倍

  •   根據(jù)配備各種存儲器的電子終端等的產(chǎn)量,筆者預測了2013年之前NAND型閃存和DRAM的需求走勢。預測結(jié)果為,1990年代曾經(jīng)拉動半導體元件投資增長的DRAM即將完成其使命,NAND型閃存將取而代之,一躍成為投資主角。   按8Gbit產(chǎn)品換算,NAND需求規(guī)模將達到400億個   《日經(jīng)市場調(diào)查》的調(diào)查結(jié)果顯示,按8Gbit產(chǎn)品換算,2013年NAND型閃存的需求規(guī)模將達到約400億個。這一規(guī)模相當于2008年的11倍左右。支持需求增長的產(chǎn)品是個人電腦用SSD(固態(tài)硬盤)。不過,SSD市場要到2
  • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  NAND  

名家觀點:臺灣半導體業(yè)大有可為

  •   臺灣芯片產(chǎn)業(yè)正走在十字路口上,今天的決定可能影響業(yè)界未來多年的方向與活力。   目前臺灣的DRAM公司太多,又都債臺高筑,政府急于整合DRAM產(chǎn)業(yè),因而創(chuàng)設臺灣記憶體公司(TMC),推動整合。政府也終于處理迫切需要改變的半導體大陸投資政策。   民間半導體業(yè)者也做好改變的準備,張忠謀回任臺積電董事長,準備領(lǐng)導臺積電進軍大陸市場。聯(lián)電也把自己和大陸和艦半導體的關(guān)系正常化,準備迎接即將來臨的改變。   臺積電與聯(lián)電深知下一階段的成長機會在大陸,也深知如果要成為大陸半導體領(lǐng)導廠商,必須做好全力打進市場
  • 關(guān)鍵字: 臺積電  DRAM    

美光新加坡廠年底導入40納米 為明年大戰(zhàn)暖身

  •   三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)40納米制程開始試產(chǎn),爾必達(Elpida)也考慮在2010年直接從65納米跳至40納米制程,美光計劃年底在新加坡12寸廠率先導入40納米制程,將成為美光旗下第1個導入40納米制程的廠房,為2010年40納米大戰(zhàn)來臨作暖身!美光指出,雖然現(xiàn)在多家DRAM廠開始復工生產(chǎn),但多是采用落后制程生產(chǎn),也很難募得新資金升級機器設備,因此不認為全球DRAM產(chǎn)業(yè)供需會因此惡化。   美光表示,2009、2010年對美光而言,最大的挑戰(zhàn)是從目前
  • 關(guān)鍵字: Samsung  40納米  DRAM  

美光:TMC模式不會成功

  •   隨著TMC股東和班底逐漸浮上臺面,美光(Micron)和臺塑集團將加速送出整合計畫書,美光在臺代表暨華亞科執(zhí)行副總勒松言(Michael Sadler)表示,TMC模式不會成功,即使成功亦不會解決臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)問題,但臺系DRAM廠并不會步上奇夢達(Qimonda)后塵,因為臺灣12寸廠產(chǎn)能相當吸引人,不會像奇夢達倒了都還找不到買主,而美光在臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)布局策略,除華亞科之外,亦將尋求與其它DRAM廠合資(JV)機會。   現(xiàn)階段TMC還未有產(chǎn)能奧援,初期定位以利基型存儲器公司作出發(fā),采取爾必
  • 關(guān)鍵字: 美光  DRAM  NAND  

三星計劃升級美國內(nèi)存芯片工廠 裁員500人

  •   三星電子正計劃對美國德克薩斯州奧斯汀的一處內(nèi)存芯片工廠進行升級改造,這一過程中將裁員500人。   三星奧斯汀半導體公司將投資5億美元將對該工廠進行改造。該工廠將于10月份關(guān)閉,改造工作將于2009年末至2010年初開始。   今年早些時候,三星奧斯汀半導體公司在三星電子的大規(guī)模重組中裁員20人。該公司在當?shù)負碛袃杉夜S,分別生產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片和NAND閃存芯片。
  • 關(guān)鍵字: 三星  內(nèi)存芯片  DRAM  NAND  

飛索半導體瘦身 專攻嵌入式和IP授權(quán)兩大業(yè)務

  •   “2009年一定會有一些閃存或者DRAM廠商倒閉,產(chǎn)業(yè)鏈進一步整合是必然趨勢,而剩下的閃存或DRAM廠商要想生存,就必需盡快尋找到自己的重生之道。”8月11日,全球最大的NOR閃存廠商Spansion(飛索)公司企業(yè)營銷總監(jiān)John Nation抵京,他帶來了Spansion最新的第二季度財務狀況,以及公司為脫離破產(chǎn)保護而進行的戰(zhàn)略調(diào)整。   Spansion是全球最大的NOR型閃存制造商,也是全球最大一家專門出品閃存的企業(yè)。   今年3月1日,Spansion公司宣布,根
  • 關(guān)鍵字: Spansion  DRAM  閃存  

矽品將投資臺灣新成立DRAM公司TMC

  •   臺灣新成立DRAM公司——臺灣創(chuàng)新記憶體公司(TMC)擬于第四季投入市場的計劃正進入沖刺階段,臺灣半導體封測廠矽品周四表示,董事會通過將投資TMC普通股,金額10-20億臺幣,為首家表態(tài)將投資TMC的企業(yè)。   矽品發(fā)言人江百宏表示,“決定投資主要是看好TMC與日本爾必達的合作模式,而且這是政府支持的產(chǎn)業(yè)再造計劃。”   TMC公司人士則是不予置評。   為了整合臺灣DRAM產(chǎn)業(yè),“經(jīng)濟部”在今年3月便宣布主導成立TMC,由
  • 關(guān)鍵字: TMC  DRAM  
共1839條 101/123 |‹ « 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 » ›|

lpddr5x dram介紹

您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條lpddr5x dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對lpddr5x dram的理解,并與今后在此搜索lpddr5x dram的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473