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4大DRAM廠現(xiàn)金正流入　華亞科、力晶、茂德飛越現(xiàn)金成本線

  • 　　DRAM價(jià)格漲不停，1Gb容量DDR2價(jià)格直逼2美元，苦熬多時(shí)的臺(tái)系DRAM廠終于進(jìn)入現(xiàn)金正流入的狀態(tài)，包括華亞科、力晶和茂德營(yíng)運(yùn)都終止失血，南亞科在自己晶圓廠生產(chǎn)部分也開始有現(xiàn)金流入，但采購(gòu)自華亞科的部分，受到母子公司拆帳仍是Margin-Sharing模式，因此部分還是現(xiàn)金流出，但以整個(gè)臺(tái)塑集團(tuán)的DRAM事業(yè)來看，已進(jìn)入現(xiàn)金正流入狀態(tài)，下一步臺(tái)系DRAM業(yè)者的目標(biāo)是轉(zhuǎn)虧為盈。 　　4 大DRAM廠2008年虧損金額超過新臺(tái)幣1,000億元，眼看龍頭廠三星電子(Samsung Electronic
  • 關(guān)鍵字： 力晶  DRAM  DDR2  

IBM制成32nm SOI嵌入式DRAM

  • 　　IBM宣布已制成32nm SOI嵌入式DRAM測(cè)試芯片，并稱該芯片是半導(dǎo)體業(yè)界面積最小、密度最高、速度最快的片上動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器。 　　IBM表示，使用SOI技術(shù)可使芯片性能提高30%，功耗降低40%。IBM還表示，基于SOI技術(shù)的嵌入式DRAM每個(gè)存儲(chǔ)單元只有一個(gè)單管，和32nm、22nm的片上SRAM相比，具有更理想的密度和速度。 　　IBM的這款32nm SOI嵌入式DRAM周期時(shí)間可以小于2納秒，與同類SRAM相比待機(jī)功耗降低4倍，軟錯(cuò)誤率降低1000多倍，功耗也大大減少。 　　IBM希望將3
  • 關(guān)鍵字： IBM  32nm  DRAM  動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器  

摩根士丹利：計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)已復(fù)蘇

  • 　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，投資銀行摩根士丹利在周一表示，在經(jīng)歷了三年的衰退之后，計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)已開始復(fù)蘇，預(yù)計(jì)此次復(fù)蘇將會(huì)持續(xù)兩年的時(shí)間。 　　摩根士丹利分析師韓亙(Keon Han)在周一的報(bào)告中指出，DRAM芯片銷售在2010年將會(huì)達(dá)到224億美元，較今年的184億美元增長(zhǎng)21%。在摩根士丹利分析師上調(diào)了三星電子、海力士和三家臺(tái)灣芯片制造商的股價(jià)預(yù)期之后，韓國(guó)和臺(tái)灣芯片股周一普遍出現(xiàn)上漲。 　　瑞薩科技在周一表示，該公司計(jì)劃在下月上調(diào)芯片售價(jià)。瑞薩科技此舉表示，芯片制造商正在走出去年供給過剩以及虧損
  • 關(guān)鍵字： 海力士  DRAM  存儲(chǔ)芯片  

茂德科技將與臺(tái)灣記憶體合作研發(fā)生產(chǎn)芯片

  • 　　華爾街日?qǐng)?bào)報(bào)道，臺(tái)灣茂德科技(ProMOS Technologies Inc.)發(fā)言人曾邦助(Ben Tseng)周五稱，公司將與臺(tái)灣記憶體公司(Taiwan Memory Company)在芯片研發(fā)和生產(chǎn)方面進(jìn)行合作。 　　曾邦助告訴道瓊斯通訊社(Dow Jones Newswires)稱，茂德科技計(jì)劃于10月份取消無薪假期，部分原因是與臺(tái)灣記憶體的合作需要公司逐步恢復(fù)產(chǎn)能。此前受芯片供應(yīng)過剩影響，茂德科技已連續(xù)9個(gè)季度虧損。 　　受芯片行業(yè)持續(xù)低迷影響，自去年11月份以來，茂德科技的雇員每月都
  • 關(guān)鍵字： TMC  DRAM  

南亞科技9月下半月將把芯片價(jià)格上調(diào)10%

  • 　　9月18日消息 據(jù)華爾街日?qǐng)?bào)導(dǎo)報(bào)，南亞科技發(fā)言人白培霖周五稱，因個(gè)人電腦銷售旺盛，繼續(xù)帶動(dòng)DRAM芯片需求，公司將把9月下半月的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)(DRAM)芯片價(jià)格較上半月上調(diào)10%。 　　白培霖表示，公司幾乎已經(jīng)達(dá)成了下半月的所有交易，由此可見需求之旺盛。南亞科技每月與個(gè)人電腦制造商進(jìn)行兩次DRAM芯片價(jià)格談判。 　　白培霖還稱，南亞科技9月上半月將DRAM芯片價(jià)格較8月末上調(diào)了15%，公司目前的芯片平均售價(jià)約為2美元，高于其現(xiàn)金成本。 　　但白培霖稱，南亞科技仍然不太可能在本季度扭虧為盈。該公司
  • 關(guān)鍵字： 南亞科技  DRAM  

DRAM廠和模塊廠誤判情勢(shì)　DDR2供貨吃緊

  • 　　2009年面臨DDR2和DDR3規(guī)格交替之際，各廠紛紛壓寶氣勢(shì)如虹的DDR3氣勢(shì)，DDR2飽受冷板凳之苦許久，然現(xiàn)在風(fēng)水輪流轉(zhuǎn)，DDR2受到供給減少、PC大廠又回頭青睞之故，市場(chǎng)意外出現(xiàn)缺貨聲浪，DRAM廠和模塊廠雙雙感嘆誤判形勢(shì)，導(dǎo)致現(xiàn)在DDR2庫(kù)存過低，南亞科副總白培霖即指出，DDR2在10月之后，缺貨問題將更明顯浮上臺(tái)面，且由合約價(jià)蔓延至現(xiàn)貨價(jià)，屆時(shí)1Gb DDR2現(xiàn)貨價(jià)格將看到2美元。 　　近期市場(chǎng)傳言，三星電子(Samsung Electronics)有意將1Gb DDR2價(jià)格壓在1.7美
  • 關(guān)鍵字： Samsung  DRAM  NAND  

全球IC市場(chǎng)V形反彈已啟動(dòng) 增長(zhǎng)勢(shì)頭將延續(xù)至2011年

  • 　　市場(chǎng)研究公司IC Insights表示，今年1月到7月NAND flash銷售額和出貨量分別增長(zhǎng)98%和67%，其他產(chǎn)品的業(yè)績(jī)數(shù)據(jù)也十分健康，這說明產(chǎn)業(yè)已調(diào)頭撞向V形反彈的上升階段。 　　從今年1月到7月，IC市場(chǎng)銷售額增長(zhǎng)了43%，DRAM、MPU、模擬電路銷售額分別增長(zhǎng)61%、57%和50%。 　　爆炸式的增長(zhǎng)率當(dāng)然也與今年1月半導(dǎo)體市場(chǎng)業(yè)績(jī)達(dá)到此輪衰退的最低點(diǎn)有關(guān)。 　　“IC產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇并不會(huì)是緩慢的，而是V形增長(zhǎng)，目前上升周期已經(jīng)開始。”IC Insights分析師
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND  MPU  模擬電路  

三星電子半導(dǎo)體部門第3季營(yíng)業(yè)利益重回1兆韓元大關(guān)

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)半導(dǎo)體部門可望再創(chuàng)2年9個(gè)月來未見的1兆韓元(約8.2億美元)營(yíng)業(yè)利益。據(jù)韓國(guó)證券業(yè)與相關(guān)業(yè)者表示，三星電子2009年第3季合并營(yíng)業(yè)利益推估可落在3.7兆~3.8兆韓元間，且可能超越上述區(qū)間。 　　三星電子2004年第1季創(chuàng)下最大營(yíng)業(yè)利益4.01兆韓元，其中半導(dǎo)體部門營(yíng)業(yè)利益為1.78兆韓元，通訊部門則是1.257兆韓元，占公司整體營(yíng)業(yè)利益大半。三星半導(dǎo)體事業(yè)更在2004年第2季創(chuàng)下史上最大營(yíng)業(yè)利益2.15兆韓元，占整體單季營(yíng)業(yè)利益(3.773兆韓元
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  LCD  

海力士第3季可望轉(zhuǎn)虧為盈

  • 　　韓國(guó)半導(dǎo)體廠商海力士(Hynix)2009年第3季創(chuàng)下2,000億韓元(約1.63億美元)的營(yíng)業(yè)利益，破除2007年第3季以來連續(xù)8季虧損魔咒。海力士在全球DRAM市場(chǎng)繼三星電子(Samsung Electronics)之后第2家轉(zhuǎn)虧為盈的廠商。 　　據(jù)業(yè)界預(yù)測(cè)，2009年第2季營(yíng)業(yè)虧損2,110億韓元的海力士，2009年第3季可望轉(zhuǎn)虧為盈，落在2,000億韓元左右，接近2007年第3季營(yíng)業(yè)利益2,540億韓元規(guī)模，而在2007年第3季以后，三星已連續(xù)7季營(yíng)運(yùn)呈現(xiàn)虧損。 　　分析指出，海力士營(yíng)運(yùn)改
  • 關(guān)鍵字： Hynix  DRAM  50納米  

南科：資金陸續(xù)到位 制程轉(zhuǎn)換進(jìn)度無虞

  • 　　景氣轉(zhuǎn)好，近期科技業(yè)聯(lián)貸案陸續(xù)通過，合約DRAM大廠南科150億元(新臺(tái)幣，下同)聯(lián)貸案也可望于9月底通過，加上6月時(shí)私募120億元，以及年底可能再辦約100多億元的現(xiàn)增案，南科銀彈滿滿，轉(zhuǎn)進(jìn)50奈米制程進(jìn)度已經(jīng)無虞。 　　日前奇美電聯(lián)貸案金額不斷往上追加，原應(yīng)在8月結(jié)案，順延到9月上旬，金額也由最初預(yù)定的300億元規(guī)模，被聯(lián)貸銀行團(tuán)超額認(rèn)購(gòu)到422億元，最后以400億元結(jié)案。顯見隨景氣轉(zhuǎn)好，銀行團(tuán)原本緊縮的態(tài)度，也逐漸放松。而南科150億元聯(lián)貸案，預(yù)計(jì)將在9月底登場(chǎng)。據(jù)銀行端消息透露，最晚第四季就
  • 關(guān)鍵字： 南科  DRAM  68納米  

存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)可望出現(xiàn)DRAM、NAND Flash雙好行情

  • 　　DRAM價(jià)格趨于穩(wěn)定，1Gb容量提前在9月初站上1.7美元，臺(tái)廠面對(duì)這樣美好的光景，心中還是有些疑慮，擔(dān)心三星電子(Samsung Electronics)會(huì)從中作梗，破壞DRAM價(jià)格漲勢(shì)，然現(xiàn)在蘋果(Apple)強(qiáng)勁追加NAND Flash訂單，且隨著智能型手機(jī)價(jià)格平民化的趨勢(shì)，未來內(nèi)建高容量存儲(chǔ)器普及，都讓各界相當(dāng)看好2010年NAND Flash市場(chǎng)前景，三星在喜迎蘋果大單之余，也無暇與臺(tái)系DRAM廠廝殺，暌違多年的DRAM和NAND Flash雙好行情可望再現(xiàn)。 　　2009 年存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)觸
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  NAND  存儲(chǔ)器  

施顏祥：處理TMC 著眼技術(shù)生根

  • 　　臺(tái)灣新任“經(jīng)濟(jì)部長(zhǎng)”施顏祥11日強(qiáng)調(diào)，成立TMC的時(shí)空環(huán)境在變，當(dāng)時(shí)規(guī)劃時(shí)全球DRAM產(chǎn)業(yè)正處嚴(yán)峻狀態(tài)，現(xiàn)在已稍微舒緩;他將以技術(shù)生根臺(tái)灣理念來處理TMC的后續(xù)問題。 　　施顏祥說，現(xiàn)在很難說TMC政策到底要不要調(diào)整，他會(huì)在下周聽取工業(yè)局簡(jiǎn)報(bào)，了解TMC政策推動(dòng)進(jìn)度與細(xì)節(jié)，再?zèng)Q定未來怎么做，原則上還是會(huì)以技術(shù)生根角度處理TMC的問題。 　　施顏祥臨危受命接下“經(jīng)濟(jì)部”重?fù)?dān)，未來不僅要面對(duì)TMC政策衍生的爭(zhēng)議，還有即將來臨的兩岸洽簽ECFA(經(jīng)濟(jì)合作架
  • 關(guān)鍵字： TMC  DRAM  

全球DRAM業(yè)僅韓廠賺錢

  • 　　盡管近期DRAM價(jià)格大幅反彈，但估計(jì)2009年第3季仍僅有韓系兩大廠三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)可以賺錢，2010年再輪到美光(Micron)和爾必達(dá)(Elpida)轉(zhuǎn)虧為盈，至于臺(tái)廠方面，由于 2010年三星制程技術(shù)將晉級(jí)到40納米，以目前臺(tái)廠腳步，未來恐將會(huì)有多家大廠被迫淡出標(biāo)準(zhǔn)型DRAM市場(chǎng)。 　　DRAM價(jià)格雖已開始反彈，然復(fù)原最快廠商仍是三星，第2季已開始賺錢，預(yù)計(jì)第3季三星和海力士?jī)纱箜n廠都可望進(jìn)入獲利，隨著DRAM產(chǎn)業(yè)逐步復(fù)蘇，美光和爾必達(dá)2
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  40納米  晶圓代工  

高盛：未來半年 看好DRAM更勝TFT LCD產(chǎn)業(yè)

  • 　　Window 7將在下個(gè)月上市，觸控面板成為主打商機(jī)。不過，今天高盛出具的產(chǎn)業(yè)報(bào)告卻是指出未來3~6個(gè)月看好DRAM更勝于面板(TFT LCD)。高盛認(rèn)為，今年TFT LCD的價(jià)格在9月已經(jīng)到頂，因?yàn)?0月回補(bǔ)庫(kù)存結(jié)束。而在DRAM方面，據(jù)了解，國(guó)內(nèi)最早切入DDR3 NB的宏碁，目前搭載DDR3產(chǎn)品的出貨占五成。 　　臺(tái)灣NB大廠宏碁，在本周一推出的六款全新Aspire ULV NB，該六款NB也都搭載2G DDR3，顯示DDR3在NB的使用也逐漸擴(kuò)大。而優(yōu)群目前連接器方面已經(jīng)準(zhǔn)備因應(yīng)未來DDR3的
  • 關(guān)鍵字： 高盛  DRAM  觸控面板  

40nm工藝帶來全新競(jìng)爭(zhēng)力

  • 　　全球能源問題的集中爆發(fā)，讓半導(dǎo)體產(chǎn)品的發(fā)展不再僅僅追求性能的提升，而是要綜合考慮性能、功耗與成本的平衡點(diǎn)。與眾多先進(jìn)電源管理方案實(shí)現(xiàn)降低系統(tǒng)功耗相比，制程工藝的進(jìn)步才是提升性能和降低功耗最根本的辦法，轉(zhuǎn)向更高制程無疑是提升半導(dǎo)體產(chǎn)品性能功耗比和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力最直接有效的辦法。 　　市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Gartner Dataquest產(chǎn)業(yè)分析師Kay-Yang Tan表示，過去數(shù)十年來，集成器件制造商(IDM)在工藝技術(shù)及服務(wù)的創(chuàng)新方面扮演領(lǐng)航者的角色，未來也將繼續(xù)在新一代產(chǎn)品的開發(fā)上扮演重要的角色。同時(shí)，專業(yè)
  • 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電  DRAM  40nm  45nm  200909  
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lpddr5x dram介紹

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