首頁  資訊  商機(jī)   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會(huì)展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動(dòng)中心  E周刊閱讀   樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> lpddr5x dram

南亞科擬再募資上百億元

  •   DRAM大廠南亞科再度宣布籌資計(jì)畫,預(yù)計(jì)辦理8億股的現(xiàn)金增資,籌措資金新臺幣百億元,用途在于買3廠的機(jī)器設(shè)備和償還到期公司債,目前南亞科積極轉(zhuǎn)換制程到美光(Micron)68奈米制程,約有20~25%產(chǎn)能比重已轉(zhuǎn)換過去,10月目標(biāo)是80%產(chǎn)能都轉(zhuǎn)到68奈米,為未來主力制程50 奈米做暖身,南亞科將挾持臺塑集團(tuán)的銀彈和美光的技術(shù),成為臺系DRAM廠聚焦之處。   南亞科在6月發(fā)行10億股的私募,當(dāng)時(shí)由臺塑集團(tuán)相關(guān)企業(yè)出面認(rèn)購,募得資金約新臺幣122.2億元資金,南亞科24日再度宣布將辦理8億股的現(xiàn)金增
  • 關(guān)鍵字: 南亞科  DRAM  晶圓  

三星對半導(dǎo)體銷售前景仍謹(jǐn)慎 拒談收購Hynix

  •   全球最大內(nèi)存芯片制造商三星電子(Samsung Electronics)近日表示,盡管半導(dǎo)體業(yè)已由2年的低迷谷底重振,公司對前景仍抱持謹(jǐn)慎態(tài)度。   三星電子半導(dǎo)體部門總裁權(quán)五鉉(Kwon Oh-hyun)在中國臺灣臺北舉辦的移動(dòng)解決方案年度論壇上表示,由于政府鼎力相助,此行業(yè)現(xiàn)發(fā)展情況優(yōu)于公司當(dāng)初預(yù)期。然而他指出:“盡管如此,我們抱持的觀點(diǎn)仍偏向謹(jǐn)慎,預(yù)估歐美感恩節(jié)假期時(shí),將是銷售情況的轉(zhuǎn)折點(diǎn)。”   感恩節(jié)假期在美國落在11月,加拿大則為10月。   權(quán)五鉉另表示,目
  • 關(guān)鍵字: Samsung  內(nèi)存芯片  DRAM  

年內(nèi)必有存儲廠商倒閉 Spansion進(jìn)行戰(zhàn)略調(diào)整

  •   “2009年一定會(huì)有一些閃存或者DRAM廠商倒閉,產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)一步整合是必然趨勢,而剩下的閃存或DRAM廠商要想生存,就必需盡快尋找到自己的重生之道。”8月11日,全球最大的NOR閃存廠商Spansion(飛索)公司企業(yè)營銷總監(jiān)John Nation抵京,他帶來了Spansion最新的第二季度財(cái)務(wù)狀況,以及公司為脫離破產(chǎn)保護(hù)而進(jìn)行的戰(zhàn)略調(diào)整。   Spansion是全球最大的NOR型閃存制造商,也是全球最大一家專門出品閃存的企業(yè)。   今年3月1日,Spansion公司宣布,根
  • 關(guān)鍵字: Spansion  DRAM  NOR  

IC資本支出依然謹(jǐn)慎 供應(yīng)收緊價(jià)格上漲

  •   分析師指出,資本支出創(chuàng)下歷史新低使IC市場供應(yīng)收緊,價(jià)格可能隨之上漲,但可能會(huì)發(fā)生其他不可預(yù)料的結(jié)果。   IC Insights總裁Bill McClean稱,今年半導(dǎo)體資本支出在銷售額中所占的比例降至12%,創(chuàng)歷史新低。芯片商在經(jīng)歷了嚴(yán)重衰退后,對資本投入依然比較謹(jǐn)慎。   “我們還不知道資本支出比例12%意味著什么。”McClean說道,“我們從來沒有遇到過這種情況。”   資本支出比例在2008年為16%,2004年至2007年均在20%至
  • 關(guān)鍵字: NAND  DRAM  

海力士半導(dǎo)體擬售28%股權(quán) 曉星集團(tuán)有購買意向

  •   據(jù)外電報(bào)道,曉星集團(tuán)表示了收購海力士半導(dǎo)體的意向。   海力士股份管理協(xié)商會(huì)主管機(jī)構(gòu)的外換銀行表示,在受理海力士收購意向書(L01)截止的最后一天,只有一家企業(yè)提交了意向書。據(jù)了解,這家企業(yè)是曉星集團(tuán)。   外換銀行本月7日向43家企業(yè)發(fā)出了出售通知。該43家企業(yè)包括:公平交易委員會(huì)指定的企業(yè)集團(tuán)當(dāng)中,去年資產(chǎn)總額達(dá)到5萬億韓元以上的29家企業(yè);在2007年和2008年均受到相互出資限制的企業(yè)集團(tuán)中,資產(chǎn)總額達(dá)2萬億韓元以上的14家企業(yè)。   當(dāng)初估計(jì),國內(nèi)至少會(huì)有4、5家企業(yè)會(huì)對收購海力士有興
  • 關(guān)鍵字: 海力士  DRAM  存儲芯片  

三星加大DDR3芯片產(chǎn)量緩解市場需求壓力

  •   據(jù)報(bào)道,三星芯片部總裁Oh-Hyun Kwon近日在臺北舉行的三星年度移動(dòng)解決方案論壇上表示,三星正在提高DDR3芯片產(chǎn)量,以緩解目前市場上DDR3芯片供應(yīng)短缺現(xiàn)狀。   Oh-Hyun Kwon指出,DDR3芯片的需求增長量超過了先前的預(yù)計(jì),導(dǎo)致了DDR3供應(yīng)短缺。不過三星目前已經(jīng)加大了DDR3芯片生產(chǎn)量,以滿足市場的增長需求,40nm工藝將成為他們明年芯片生產(chǎn)的主要處理技術(shù)。   Oh-Hyun Kwon認(rèn)為,提高產(chǎn)量的方法并不只是多建幾家工廠,技術(shù)升級將是三星以后提高芯片產(chǎn)量的主要途徑。
  • 關(guān)鍵字: 三星  40nm  DRAM  DDR3  

Rambus聯(lián)合金士頓開發(fā)出“線程式內(nèi)存條技術(shù)”

  •   Rambus公司以往的新聞幾乎都與XDR DRAM的官司有關(guān),不過這次他們則和金士頓合作開發(fā)出了一種可用于增大DDR3內(nèi)存帶寬的技術(shù)“線程式內(nèi)存條技術(shù)”(Threaded memory module)。這種技術(shù)基于現(xiàn)有的DDR3技術(shù),不過將內(nèi)存條上的內(nèi)存芯片進(jìn)行了分塊處理,位于各個(gè)分塊內(nèi)部的芯片共享一個(gè)命令/地址端口,不過數(shù)據(jù)傳 輸部分則可通過各自獨(dú)立的傳輸通道進(jìn)行傳輸,傳輸?shù)奈粚捒蛇_(dá)64字節(jié)(512bit),這樣就可以將傳統(tǒng)DDR3內(nèi)存的帶寬提升50%左右,而且采用這種 技術(shù)
  • 關(guān)鍵字: Rambus  DRAM  DDR3  

三星芯片部總裁:全球芯片需求形勢好于預(yù)期

  •   據(jù)國外媒體報(bào)道,三星電子芯片部門總裁權(quán)五鉉(Oh-Hyun Kwon)周二表示,全球芯片需求形勢好于公司原來預(yù)期,因此三星電子正在提高芯片產(chǎn)量以滿足市場需求。   權(quán)五鉉將需求提升歸功于企業(yè)重建庫存以及政府的經(jīng)濟(jì)刺激政策。   在臺北的新聞發(fā)布會(huì)上,權(quán)五鉉舉例道個(gè)人電腦用的DDR3芯片的需求就非常強(qiáng)勁。三星電子正在臺北舉行一個(gè)關(guān)于手機(jī)行業(yè)的論壇。   他表示,三星正在提高DDR3芯片的產(chǎn)量,預(yù)計(jì)將有助于結(jié)束市場供給短缺的現(xiàn)象。   權(quán)五鉉表示,此前由于制造商產(chǎn)能過度擴(kuò)張,DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取
  • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  DDR3  液晶面板  記憶體芯片  

4大DRAM廠現(xiàn)金正流入 華亞科、力晶、茂德飛越現(xiàn)金成本線

  •   DRAM價(jià)格漲不停,1Gb容量DDR2價(jià)格直逼2美元,苦熬多時(shí)的臺系DRAM廠終于進(jìn)入現(xiàn)金正流入的狀態(tài),包括華亞科、力晶和茂德營運(yùn)都終止失血,南亞科在自己晶圓廠生產(chǎn)部分也開始有現(xiàn)金流入,但采購自華亞科的部分,受到母子公司拆帳仍是Margin-Sharing模式,因此部分還是現(xiàn)金流出,但以整個(gè)臺塑集團(tuán)的DRAM事業(yè)來看,已進(jìn)入現(xiàn)金正流入狀態(tài),下一步臺系DRAM業(yè)者的目標(biāo)是轉(zhuǎn)虧為盈。   4 大DRAM廠2008年虧損金額超過新臺幣1,000億元,眼看龍頭廠三星電子(Samsung Electronic
  • 關(guān)鍵字: 力晶  DRAM  DDR2  

IBM制成32nm SOI嵌入式DRAM

  •   IBM宣布已制成32nm SOI嵌入式DRAM測試芯片,并稱該芯片是半導(dǎo)體業(yè)界面積最小、密度最高、速度最快的片上動(dòng)態(tài)存儲器。   IBM表示,使用SOI技術(shù)可使芯片性能提高30%,功耗降低40%。IBM還表示,基于SOI技術(shù)的嵌入式DRAM每個(gè)存儲單元只有一個(gè)單管,和32nm、22nm的片上SRAM相比,具有更理想的密度和速度。   IBM的這款32nm SOI嵌入式DRAM周期時(shí)間可以小于2納秒,與同類SRAM相比待機(jī)功耗降低4倍,軟錯(cuò)誤率降低1000多倍,功耗也大大減少。   IBM希望將3
  • 關(guān)鍵字: IBM  32nm  DRAM  動(dòng)態(tài)存儲器  

摩根士丹利:計(jì)算機(jī)存儲芯片市場已復(fù)蘇

  •   據(jù)國外媒體報(bào)道,投資銀行摩根士丹利在周一表示,在經(jīng)歷了三年的衰退之后,計(jì)算機(jī)存儲芯片市場已開始復(fù)蘇,預(yù)計(jì)此次復(fù)蘇將會(huì)持續(xù)兩年的時(shí)間。   摩根士丹利分析師韓亙(Keon Han)在周一的報(bào)告中指出,DRAM芯片銷售在2010年將會(huì)達(dá)到224億美元,較今年的184億美元增長21%。在摩根士丹利分析師上調(diào)了三星電子、海力士和三家臺灣芯片制造商的股價(jià)預(yù)期之后,韓國和臺灣芯片股周一普遍出現(xiàn)上漲。   瑞薩科技在周一表示,該公司計(jì)劃在下月上調(diào)芯片售價(jià)。瑞薩科技此舉表示,芯片制造商正在走出去年供給過剩以及虧損
  • 關(guān)鍵字: 海力士  DRAM  存儲芯片  

茂德科技將與臺灣記憶體合作研發(fā)生產(chǎn)芯片

  •   華爾街日報(bào)報(bào)道,臺灣茂德科技(ProMOS Technologies Inc.)發(fā)言人曾邦助(Ben Tseng)周五稱,公司將與臺灣記憶體公司(Taiwan Memory Company)在芯片研發(fā)和生產(chǎn)方面進(jìn)行合作。   曾邦助告訴道瓊斯通訊社(Dow Jones Newswires)稱,茂德科技計(jì)劃于10月份取消無薪假期,部分原因是與臺灣記憶體的合作需要公司逐步恢復(fù)產(chǎn)能。此前受芯片供應(yīng)過剩影響,茂德科技已連續(xù)9個(gè)季度虧損。   受芯片行業(yè)持續(xù)低迷影響,自去年11月份以來,茂德科技的雇員每月都
  • 關(guān)鍵字: TMC  DRAM  

南亞科技9月下半月將把芯片價(jià)格上調(diào)10%

  •   9月18日消息 據(jù)華爾街日報(bào)導(dǎo)報(bào),南亞科技發(fā)言人白培霖周五稱,因個(gè)人電腦銷售旺盛,繼續(xù)帶動(dòng)DRAM芯片需求,公司將把9月下半月的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(DRAM)芯片價(jià)格較上半月上調(diào)10%。   白培霖表示,公司幾乎已經(jīng)達(dá)成了下半月的所有交易,由此可見需求之旺盛。南亞科技每月與個(gè)人電腦制造商進(jìn)行兩次DRAM芯片價(jià)格談判。   白培霖還稱,南亞科技9月上半月將DRAM芯片價(jià)格較8月末上調(diào)了15%,公司目前的芯片平均售價(jià)約為2美元,高于其現(xiàn)金成本。   但白培霖稱,南亞科技仍然不太可能在本季度扭虧為盈。該公司
  • 關(guān)鍵字: 南亞科技  DRAM  

DRAM廠和模塊廠誤判情勢 DDR2供貨吃緊

  •   2009年面臨DDR2和DDR3規(guī)格交替之際,各廠紛紛壓寶氣勢如虹的DDR3氣勢,DDR2飽受冷板凳之苦許久,然現(xiàn)在風(fēng)水輪流轉(zhuǎn),DDR2受到供給減少、PC大廠又回頭青睞之故,市場意外出現(xiàn)缺貨聲浪,DRAM廠和模塊廠雙雙感嘆誤判形勢,導(dǎo)致現(xiàn)在DDR2庫存過低,南亞科副總白培霖即指出,DDR2在10月之后,缺貨問題將更明顯浮上臺面,且由合約價(jià)蔓延至現(xiàn)貨價(jià),屆時(shí)1Gb DDR2現(xiàn)貨價(jià)格將看到2美元。   近期市場傳言,三星電子(Samsung Electronics)有意將1Gb DDR2價(jià)格壓在1.7美
  • 關(guān)鍵字: Samsung  DRAM  NAND  

全球IC市場V形反彈已啟動(dòng) 增長勢頭將延續(xù)至2011年

  •   市場研究公司IC Insights表示,今年1月到7月NAND flash銷售額和出貨量分別增長98%和67%,其他產(chǎn)品的業(yè)績數(shù)據(jù)也十分健康,這說明產(chǎn)業(yè)已調(diào)頭撞向V形反彈的上升階段。   從今年1月到7月,IC市場銷售額增長了43%,DRAM、MPU、模擬電路銷售額分別增長61%、57%和50%。   爆炸式的增長率當(dāng)然也與今年1月半導(dǎo)體市場業(yè)績達(dá)到此輪衰退的最低點(diǎn)有關(guān)。   “IC產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇并不會(huì)是緩慢的,而是V形增長,目前上升周期已經(jīng)開始。”IC Insights分析師
  • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  MPU  模擬電路  
共1839條 99/123 |‹ « 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 » ›|

lpddr5x dram介紹

您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條lpddr5x dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對lpddr5x dram的理解,并與今后在此搜索lpddr5x dram的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473