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EEPW首頁 >> 主題列表 >> lpddr5x dram

明年2Q晶圓代工產(chǎn)能供不應(yīng)求？ 需求增加然擴(kuò)產(chǎn)無門

  • 　　晶圓代工產(chǎn)能吃緊?這句話若在6個月前說出，肯定會笑掉人家大牙，不過面對2009年第4季臺系2大晶圓代工廠產(chǎn)能利用率仍近90%，加上設(shè)備供應(yīng)商2008年底、2009年初停掉的生產(chǎn)線無法有效恢復(fù)，而臺積電又包下不少新增機(jī)臺訂單后，在全球晶圓代工產(chǎn)能2010年的開出速度及幅度肯定不若預(yù)期下，2010年第2季晶圓代工產(chǎn)能會吃緊，已是有跡可尋。 　　從 2009年第1季全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣觸底以來，我們已聽過太多生產(chǎn)線開工不及，產(chǎn)線良率拉高不順，產(chǎn)能開出不若預(yù)期的消息，如TFT面板廠、DRAM廠生產(chǎn)完全停工，臺
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華邦電退出　臺塑集團(tuán)DRAM整合計劃書難產(chǎn)

  • 　　臺塑集團(tuán)旗下DRAM廠南亞科和華亞科的DRAM整合策略再度大轉(zhuǎn)彎，從原本堅持一定要送件，以爭取與臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)同等待遇的補助款，19日改口考慮不一定會送件;業(yè)者透露，原本臺塑在計劃書中提議要整合的對象為華邦電，但華邦電卻表示無意參與這次的整合，讓臺塑內(nèi)部相當(dāng)頭痛，于是提出腹案，考慮不提計劃書，而改采訴諸媒體公論方式瓦解TIMC。 　　這次“經(jīng)濟(jì)部”提出的「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案」，目前僅有TIMC提出申請計劃，外界相當(dāng)期待臺塑集團(tuán)加入申請補助行列，隨著最后申請截
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DRAM報價高檔不墜　爾必達(dá)8季以來首次獲利

  • 　　日系DRAM大廠爾必達(dá)(Elpida) 2010會計年度第2季(7~9月)出現(xiàn)連虧8季以來的首度由虧轉(zhuǎn)盈，營收960億日圓(約10.66億美元)，營業(yè)利益5億日圓，加上日前1Gb容量 DDR2價格沖上2.5美元價位， DRAM廠營運狀況大幅轉(zhuǎn)好，更開始進(jìn)入獲利狀態(tài)。業(yè)界預(yù)估，如果DRAM價格2美元以上的水平可以再維持1季，爾必達(dá)即不需要獲得日本政府基金的補助款，屆時美光向美國WTO告狀一事，也不會成為困擾。2009年爾必達(dá)打算跳過50奈米制程，直接投資40奈米制程生產(chǎn)線，成本大幅降低，可正式與三星電子
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內(nèi)存瘋閃存噴 存儲業(yè)界漲勢深度分析

  • 　　9月DRAM價格猛增13% Flash亦漲4% 　　最近幾個月來，DRAM價格連連上漲，同時也拉升了NAND Flash顆粒的價格。各大晶圓廠和模組廠也都連連傳出利好消息。雖然各大內(nèi)存廠商的產(chǎn)品訂單和資金流相較2009年年初的金融海嘯時期已經(jīng)有較大起色，但是這內(nèi)存的價格上漲也波及到了電子賣場中的零售價格。那么究竟現(xiàn)在的內(nèi)存產(chǎn)品是怎樣的一個局面呢，下面小編就給大家來個深度分析，給你講講這里面的道道。 　　9 月的1Gbit DDR2 DRAM的平均報價約為 1.70 美元，較上個月多出了近 13%。
  • 關(guān)鍵字： 內(nèi)存  DRAM  40納米  

DRAM價格再攻新高點！ 力晶想為瑞晶贖身

  • 　　日系DRAM制造大廠爾必達(dá)(Elpida Memory)取得瑞晶70%以上主導(dǎo)權(quán)，讓瑞晶成為名符其實的日系公司，惟存儲器業(yè)者透露，當(dāng)初力晶因為債務(wù)問題，將瑞晶持股賣給爾必達(dá)時，設(shè)下「買回期限」，在期限內(nèi)有權(quán)再將瑞晶持股買回，因此近期力晶計劃向爾必達(dá)提出買回瑞晶的持股，惟一切問題都卡在錢關(guān)，力晶營運開始有現(xiàn)金流入后，將手上資金大力放在增加產(chǎn)能用途，加上2010年初到期的ECB要償還，力晶是否可在「買回期限」籌到錢為瑞晶贖身，市場相當(dāng)關(guān)切。 　　隨著DDR2價格大漲，力晶營運度過最艱難的時期，每月開始有
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爾必達(dá)將提高瑞晶電子持股比率超過7成

  • 　　根據(jù)日經(jīng)新聞(Nikkei)報導(dǎo)，日本半導(dǎo)體大廠爾必達(dá) (Elpida Memory)為強化在臺灣的生產(chǎn)體系，除了2009年將提高合資企業(yè)瑞晶電子的持股比率超過7成之外，也正研議是否于臺灣設(shè)立第1個海外研究開發(fā)據(jù)點。爾必達(dá)計劃與臺灣DRAM廠合作，重建事業(yè)版圖，并考量加強對瑞晶電子的影響力以獲取日臺合資的主導(dǎo)權(quán)。 　　瑞晶電子是爾必達(dá)與臺灣力晶半導(dǎo)體于2007年合資成立，當(dāng)時爾必達(dá)出資52%，擁有12寸晶圓廠的制造設(shè)備，每月產(chǎn)能可達(dá)7.5萬片，主要生產(chǎn)一般PC所使用的DRAM。
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分析師看好全球生產(chǎn)線的擴(kuò)張版圖

  • 　　按SEMI的資深分析師Christian Dieseldorff報道，SEMI的全球Fab預(yù)測于2010年時全球Fab投資再增加64%，達(dá)240億美元。 　　ICInsight的McClean認(rèn)為，今年第三季度的全球產(chǎn)能利用率可達(dá)88%，接近去年金融危機(jī)之前的水平。它還認(rèn)為2007年的產(chǎn)能利用率達(dá)90%，一直維持到去年的前三個季度。之后2008 Q4下降到68%，2009 Q1為最低水平是57%，到09 Q2由于OEM為補充庫存而使產(chǎn)能利用率又回復(fù)到78%。     　
  • 關(guān)鍵字： Inotera  70納米  溝槽式  DRAM  

ASML：客戶下單增溫　微顯影設(shè)備2010年成長30%

  • 　　半導(dǎo)體市場回溫，ASML市場智庫總監(jiān)Antonio Mesquida Küsters表示，客戶對設(shè)備下單需求增溫，他引用研究機(jī)構(gòu)預(yù)測，2010年半導(dǎo)體微顯影設(shè)備可望成長30%至少達(dá)到40億歐元。尤其晶圓代工領(lǐng)域，經(jīng)過18個月的壓低資本支出，現(xiàn)在業(yè)者更積極投資擴(kuò)充產(chǎn)能，他個人亦樂見臺積電積極擴(kuò)充產(chǎn)能，滿足客戶投單需求的做法。 　　Küsters表示，2008 年是變動相當(dāng)劇烈的一年，回顧2007年時研究機(jī)構(gòu)還對2008年奧運所帶來的商機(jī)相當(dāng)樂觀，孰料DRAM價格快速崩落約65%，緊
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爭議不斷的TMC政策是該檢討了

  • 　　在金融海嘯、全球經(jīng)濟(jì)不景氣期間，由劉內(nèi)閣所推出的半導(dǎo)體業(yè)整并計劃，最近又出現(xiàn)了新的變化。由于當(dāng)局規(guī)劃整合的TMC公司選擇與日商爾必達(dá)合作，引起美商美光公司不悅，狀告美國參議員，聲言這是不公平競爭，將要求美國政府貿(mào)易干預(yù)。如果此事成真，則政府投資的經(jīng)費將如泥牛入海，全無投資報酬可言。消息傳出后，不但爾必達(dá)在日本股價大跌，我們的半導(dǎo)體整并案也陷入極大的不確定性，使?jié)撛谕顿Y者與政府都忐忑不安，前景堪慮。 　　對于美光公司的指控，“經(jīng)濟(jì)部”官員雖然提出答辯，但內(nèi)容顯然不夠完整。工業(yè)局
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宣明智：TIMC營運計畫不變　朝利基型市場挺進(jìn)

  • 　　TIMC成立至今尚未正式獲得政府的資金挹注，然美光(Micron)透過美國政府和WTO施壓，引發(fā)外界認(rèn)為TIMC投資爾必達(dá) (Elpida)的計畫是否會生變?宣明智5日認(rèn)為，此事與TIMC成立規(guī)畫和投資爾必達(dá)的計畫之間沒有關(guān)連性，不明白外界為何會如此聯(lián)想，同時TIMC營運的概況并不會受到影響。而工業(yè)局在上周也公開力挺表示，TIMC投資爾必達(dá)將有助深化雙方合作，對于政府推動DRAM技術(shù)扎根的策略，相當(dāng)有助益，即使未來TIMC投資爾必達(dá)，并無違反 WTO公平競爭的原則。 　　由宣明智領(lǐng)軍的TIMC雖然已
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DRAM：全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的推動力

  • 　　歷史發(fā)展 　　自從1971年Intel公司研發(fā)出lKB的DRAM，距今已近40年，從此開創(chuàng)了DRAM的歷史。DRAM不僅推進(jìn)了電子技術(shù)的前進(jìn)，而且對各國半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展也發(fā)揮了舉足輕重、無可取代的巨大作用。 　　眾所周知，進(jìn)入上世紀(jì)80年代，隨著大型計算機(jī)市場擴(kuò)大，DRAM需求巨增。由于當(dāng)時DRAM技術(shù)要求較低，其特點是量大面廣，勝負(fù)在于大規(guī)模生產(chǎn)技術(shù)，而這正是日本公司的強項。因而盡管日本在LSI(大規(guī)模集成電路)DRAM時代還落后于美國兩年，但在“官產(chǎn)學(xué)”舉國一致的努力下，
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美政府承諾就半導(dǎo)體補貼政策向日本和中國施壓

  • 　　據(jù)國外媒體今日報道，在美國閃存芯片廠商美光科技提出投訴后，美國政府承諾就日本最大電腦閃存廠商必爾達(dá)的補貼問題向日本和中國臺灣施加壓力。 　　美國貿(mào)易代表榮·基克(Ron Kirk)向愛達(dá)荷州共和黨參議員邁克·卡拉普(Mike Crapo)致函，承諾會通過世界貿(mào)易組織以及單獨會晤擁有半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的國家，要求日本和中國臺灣就補貼問題提供更多信息。愛達(dá)荷州是美光科技的總部所在地。 　　基克在這封9月24日的信件中表示：“我們理解這個問題對你和對美國DRAM芯片制造商
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溫度自適應(yīng)性DRAM刷新時鐘電路

  • 動態(tài)存儲器(DRAM)需要通過刷新來保持內(nèi)部的數(shù)據(jù)。為降低存儲器刷新過程的電路功耗，設(shè)計一種具有溫度自適應(yīng)特性的刷新控制電路。根據(jù)二極管的電流在閾值電壓附近的溫度特性，利用電容充放電的結(jié)構(gòu)，提出一種具有溫度自適應(yīng)特性的刷新時鐘電路，使存儲器刷新頻率隨電路溫度變化而變化，其趨勢符合動態(tài)存儲器的刷新要求。仿真實驗結(jié)果表明，新的電路在保證DRAM信息得到及時刷新的前提下，有效地降低了其刷新過程中的功耗。
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茂德努力與爾必達(dá)、臺灣創(chuàng)新內(nèi)存合作

  • 　　美林證券最新出爐的報告，茂德股價慘跌，技術(shù)遲遲沒有更新，目前正致力于重整，管理高層表示，內(nèi)部將研發(fā)72納米的技術(shù)來制作 1GB，采用日本內(nèi)存芯片大廠爾必達(dá)(Elpida) 65納米的技術(shù)，但是這項協(xié)議還在洽談之中，目前正在看臺灣創(chuàng)新內(nèi)存公司(TIMC)合作行動內(nèi)存(Mobile DRAM) ，以充足資本額。 　　美林證券預(yù)期，茂德今年第4季的營業(yè)利益率為負(fù)141%，關(guān)鍵是技術(shù)缺乏競爭力，而且晶圓的產(chǎn)能利用率低于 40%，給予“表現(xiàn)低于大盤”評等，目標(biāo)價降低19%，從 1.05
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臺DRAM廠復(fù)活賽　瑞晶、華亞科跑最快

  • 　　隨著DRAM價格自谷底翻揚，原本哀鴻遍野的DRAM廠傳出轉(zhuǎn)虧為盈好消息，具臺系色彩的瑞晶將搶下頭香，率先于9月開始小幅獲利，第3季可望損益兩平，華亞科則有機(jī)會接棒，估計營收只要站上40億元大關(guān)，便可跨越損益平衡點、順利轉(zhuǎn)虧為盈。目前除瑞晶和華亞科外，包括茂德、力晶都已現(xiàn)金凈流入，南亞科自有產(chǎn)能亦開始有現(xiàn)金流入，臺系DRAM廠逐漸走出悲情、迎向春天。 　　相較于三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)50奈米制程紛已開始量產(chǎn)，臺系DRAM廠仍停留在70奈米制程，由于臺、
  • 關(guān)鍵字： Hynix  50納米  DRAM  
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lpddr5x dram介紹

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