三星電子率先量產40納米DDR3 DRAM

　　7月21日三星電子宣布已經開始量產40納米2Gb DDR3 Dram。這是該級別產品全世界首次進入量產。同時該產品比去年九月量產的50納米產品擁有更高的量產性。

　　據悉，繼2008年9月三星電子在業(yè)內首次量產50納米DDR3 Dram之后，該公司又于2009年1月首次開發(fā)出40納米2Gb DDR3 Dram并于本月首次投入量產。三星電子通過不斷簡化生產工藝縮短生產時間，極大地提高了生產效率和成本競爭力。

　　三星電子表示，新一代量產的40納米產品擁有更高的科技水平和環(huán)保型解決方案從而將獲得比50納米產品更高的市場評價。同時為了進一步擴展DDR3內存的市場，三星電子今后將針對區(qū)域服務器(16G或8G內存)、小型服務器及個人臺式機(4G內存)、筆記本電腦(4G內存)等提供更高效的內存產品。

　　半導體市場調查機構I supply提供的數據表明DDR3產品將從目前占整體Dram市場的20%增長到2012年的82%。2G DDR3產品將從目前占整體DDR3市場的5%發(fā)展到2012年82%。而作為以生產Dram產品著稱的全球第二大半導體廠商，三星電子正是依靠在業(yè)內不斷率先開發(fā)新一代更高容量和性能的Dram產品，確保了其在內存市場的主導地位。