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lpddr5x dram 文章 進(jìn)入lpddr5x dram技術(shù)社區(qū)
為什么存儲(chǔ)器是產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo)
- 存儲(chǔ)器通常包括DRAM,NAND,NOR及SRAM。在半導(dǎo)體業(yè)中經(jīng)常分成兩類,DRAM及閃存類。由于其兩大特征,能大量生產(chǎn)以及應(yīng)用市場(chǎng)面寬,使其半導(dǎo)體業(yè)中有獨(dú)特的地位。業(yè)界有人稱它為半導(dǎo)體業(yè)的風(fēng)向標(biāo)。 縱觀DRAM發(fā)展的歷史,幾乎每8至10年一次大循環(huán),最終一定有大型的存儲(chǔ)器廠退出,表示循環(huán)的結(jié)束。如1980年代的TI及IBM等退出;1990年代的東芝,日立及NEC退出,如今2000年代的奇夢(mèng)達(dá)最先退出。奇夢(mèng)達(dá)的退出使市場(chǎng)少了10萬片的月產(chǎn)能。 在全球硅片尺寸轉(zhuǎn)移中,存儲(chǔ)器也是走在前列,如
- 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器 DRAM NAND NOR SRAM
365天:DRAM產(chǎn)業(yè)從地獄到天堂
- 2009年DRAM產(chǎn)業(yè)在地獄和天堂里各走一遭,年初1顆DRAM均價(jià)還在0.5美元,當(dāng)時(shí)生產(chǎn)成本還在2美元,可見虧損有多嚴(yán)重,各廠只好宣布停工、減產(chǎn),巨額虧損的問題延伸至臺(tái)、美、日DRAM廠大整合階段,也演變成國(guó)與國(guó)之間的戰(zhàn)爭(zhēng)。但到了年底,DRAM廠又開始生龍活虎起來,中間歷程看似短短 365天,但個(gè)中辛酸DRAM廠冷暖自知,未來各界看好DRAM產(chǎn)業(yè)有2年的好光景,終于擺脫地獄魔咒,前進(jìn)在通往天堂的路上。 365天之間可以發(fā)生多少事?它可以讓平均每天虧損新臺(tái)幣1億元、每1季虧損超過百億元的DRAM
- 關(guān)鍵字: Microsoft DRAM DDR
DDR2乏人問津 DRAM廠搶轉(zhuǎn)產(chǎn)能
- DDR2和DDR3 1月上旬合約價(jià)走勢(shì)迥異,DDR2合約價(jià)大跌,DDR3卻大漲,凸顯世代交替已提前來臨,將加速DDR2需求急速降溫,快速轉(zhuǎn)移到DDR3身上,近期臺(tái)系 DRAM廠紛搶著將產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到DDR3,尤其是原本投入DDR3腳步落后的力晶和瑞晶,預(yù)計(jì)第1季底DDR3比重將達(dá)70%,速度超乎預(yù)期。不過,亦有業(yè)者認(rèn)為,若大家都搶著把DDR2產(chǎn)能轉(zhuǎn)走,說不定會(huì)意外讓DDR2跌勢(shì)止穩(wěn),反而有利于DDR2價(jià)格走勢(shì)。 臺(tái) DRAM廠表示,原本業(yè)者認(rèn)為在農(nóng)歷春節(jié)前DDR2買氣還有最后一搏機(jī)會(huì),因?yàn)镈DR2若
- 關(guān)鍵字: DRAM DDR2 DDR3 存儲(chǔ)器
金士頓砸1億美元 綁樁海力士產(chǎn)能
- 2010年存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)熱度急速升溫,許多熬過景氣低潮期但口袋空空的存儲(chǔ)器大廠,紛積極募資搶錢,而最直接方式便是向下游存儲(chǔ)器模塊廠借錢,未來再以貨源抵債,近期海力士(Hynix)便獲得金士頓(Kingston)達(dá)1億美元金援,未來將以DRAM和NAND Flash貨源償還,形成魚幫水、水幫魚的上下游緊密合作關(guān)系。海力士可望以此筆金援將NAND Flash制程大量轉(zhuǎn)進(jìn)32奈米,全力從美光(Micron)手上搶回全球NAND Flash三哥寶座,并防止三星電子(Samsung Electronics)和東芝(
- 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器 DRAM NAND
海力士股東靈活掌握售股規(guī)模 欲在第二季選出買家
- 韓國(guó)海力士半導(dǎo)體的債轉(zhuǎn)股股東,將對(duì)出售的股份規(guī)模持靈活態(tài)度,這部分股票市值最高達(dá)35億美元。這些股東計(jì)劃在今年上半年挑選出一買家。 這些股東包括韓國(guó)外換銀行和國(guó)有的韓國(guó)金融公司(Korea Finance Corp),共同持有海力士半導(dǎo)體28%的股權(quán),將在1月29日前收到初步購(gòu)買要約。海力士半導(dǎo)體是全球第二大存儲(chǔ)芯片制造商。 韓國(guó)金融公司首席執(zhí)行官Ryu Jae-han稱,“談到股票規(guī)模,可能僅會(huì)出售15%,不過這取決于股東委員會(huì)的決議。”該公司是去年末從韓國(guó)產(chǎn)業(yè)銀
- 關(guān)鍵字: 海力士 DRAM
硅晶圓需求旺 1Q報(bào)價(jià)將調(diào)漲5~10%
- 晶圓代工12寸高階產(chǎn)能吃緊,加上8寸晶圓廠營(yíng)運(yùn)也維持高檔,已傳出上游硅晶圓廠交貨不及,產(chǎn)能無法應(yīng)付晶圓代工業(yè)者所需,確定2010年第 1季硅晶圓報(bào)價(jià)將調(diào)漲5~10%;加上目前晶圓代工第2季訂單恐不俗,DRAM存儲(chǔ)器晶圓廠也都陸續(xù)恢復(fù)產(chǎn)能,第2季可能再接力調(diào)漲約10%。 繼大陸太陽(yáng)能電池生產(chǎn)用硅晶圓傳出調(diào)漲之后,晶圓代工廠用硅晶圓也確定漲價(jià),目前2010年第1季漲價(jià)幅度介于5~10%之間。由于晶圓代工廠包括臺(tái)積電在內(nèi)高階制程產(chǎn)能滿載,更有吃緊之虞,包括硅晶圓大廠Shin-Etsu與代理商崇越、Su
- 關(guān)鍵字: DRAM 晶圓代工
DDR3將成為2010年主流 廠商以先進(jìn)制程跟進(jìn)
- DRAM業(yè)在走出低谷后,2010年前景看好,DRAM廠商積極擴(kuò)產(chǎn)應(yīng)對(duì)。其中臺(tái)塑集團(tuán)的南科、華亞科最為積極,華亞科全年資本支出更比2009年呈倍數(shù)成長(zhǎng)。 南科、華亞科已邁入50納米制程技術(shù)階段,南科暫定2010年資本支出約為5.9億美元,比2009年增長(zhǎng)逾45%。南科預(yù)計(jì),在第二季度時(shí),旗下月產(chǎn)能3萬片的12英寸廠將全部以50納米制程投片,第三季度所有產(chǎn)品都采用50納米制程投片。 看好DDR3將成為2010年主流,南科計(jì)劃逐步提升DDR3產(chǎn)品的比重,目標(biāo)由2009年第四季度的30%-40%提
- 關(guān)鍵字: Elpida 50納米 DRAM 晶圓
重塑產(chǎn)業(yè)前景 迎接2010年IC業(yè)的大發(fā)展
- 編者點(diǎn)評(píng)(莫大康 SEMI China顧問):國(guó)際上有許多市場(chǎng)分析公司與機(jī)構(gòu),如 Gartner,iSuppli,IC Insight,Semico,VLSI及SEMI,SIA,WSTS等。為什么它們的預(yù)測(cè)值不同,有時(shí)差異還不小。據(jù)編者的看法任何預(yù)測(cè)都有三類,即樂觀、中等和悲觀。另外,由于每個(gè)市場(chǎng)分析公司其數(shù)據(jù)來源及分析的范圍各不同,所以數(shù)據(jù)不一樣是正常的。那該如何來觀察與判斷呢?通常要找品牌,即有些公司的數(shù)據(jù)相對(duì)可靠(經(jīng)驗(yàn)值),如半導(dǎo)體數(shù)據(jù)是WSTS,SIA,Gartner,iSuppli,而設(shè)備材
- 關(guān)鍵字: IC NAND DRAM
爾必達(dá)40納米制程正式對(duì)戰(zhàn)美光
- 一度缺席全球DRAM產(chǎn)業(yè)50納米制程大戰(zhàn)的爾必達(dá)(Elpida),隨著美光(Micron)2010年加入50納米制程,爾必達(dá)狀況更顯得困窘,在經(jīng)過近1年臥薪嘗膽后,爾必達(dá)2010年開春終于宣布,40納米6F2制程技術(shù)已于廣島廠順利完成試產(chǎn),良率水平優(yōu)于預(yù)期,確定2010年可一舉進(jìn)入40納米世代,子公司瑞晶更宣示只要花新臺(tái)幣120億元,就可將旗下8萬片12寸晶圓廠全數(shù)轉(zhuǎn)到40納米制程,與美光及南亞科、華亞科陣營(yíng)對(duì)戰(zhàn)煙硝味濃厚。 DRAM產(chǎn)業(yè)在50納米制程是重要分水嶺,除技術(shù)難度外,1臺(tái)動(dòng)輒逾新臺(tái)幣
- 關(guān)鍵字: Elpida DRAM 50納米
韓結(jié)束3年反壟斷調(diào)查 未發(fā)現(xiàn)芯片廠操縱價(jià)格
- 韓國(guó)公平交易委員會(huì)(FTC)周三宣布,并未發(fā)現(xiàn)NAND快閃記憶芯片制造商在韓國(guó)或其它地區(qū)有操縱市場(chǎng)價(jià)格的行為,也宣告終止近3年來對(duì)該產(chǎn)業(yè)的反壟斷調(diào)查。 反壟斷監(jiān)管單位聲明,針對(duì)計(jì)算機(jī)記憶芯片產(chǎn)業(yè) (包括DRAM芯片、DRAM芯片等) 相關(guān)的價(jià)格操縱調(diào)查已經(jīng)全部結(jié)束。 2007年1月,F(xiàn)TC宣布將針對(duì)NAND快閃記憶芯片制造商進(jìn)行反壟斷調(diào)查,偵查是否有操縱價(jià)格的事實(shí),之后已針對(duì)全球4家企業(yè)進(jìn)行調(diào)查,其中2家位于韓國(guó),另外2家分別在美國(guó)和日本,但FTC并未公布詳細(xì)的企業(yè)名單。 韓國(guó)快閃記
- 關(guān)鍵字: Hynix DRAM DRAM
美光爭(zhēng)取華亞科主導(dǎo)權(quán) 臺(tái)塑拒絕成瑞晶翻版
- 華亞科辦理6.4億股的現(xiàn)金增資,南亞科和美光(Micron)等大股東按原持股比例認(rèn)購(gòu)現(xiàn)增額度,但近期傳出美光向臺(tái)塑集團(tuán)攤牌,希望能增加認(rèn)購(gòu)比例,爭(zhēng)取華亞科更多股權(quán),惟臺(tái)塑集團(tuán)回決此提議,認(rèn)為目前「等權(quán)共治」策略較佳。內(nèi)存業(yè)者表示,在瑞晶股權(quán)落入爾必達(dá)(Elpida)手中后,華亞科主導(dǎo)權(quán)亦成為臺(tái)、美雙方角力戰(zhàn)場(chǎng),背后意義在于DRAM產(chǎn)能分配和潛在市占率。不過,針對(duì)美光要求提高華亞科持股一事,華亞科與南亞科均不予置評(píng)。 2009年臺(tái)DRAM產(chǎn)業(yè)整合計(jì)劃白忙1年,而茂德與海力士(Hynix)分手,亦使
- 關(guān)鍵字: 華亞科 DRAM DDR3
2010年全球DRAM市場(chǎng)展望
- 全球DRAM廠商自2006年紛紛投入“擴(kuò)廠競(jìng)賽”以來,DRAM市場(chǎng)嚴(yán)重供過于求的陰霾就揮之不去,在這樣心理預(yù)期下,DRAM價(jià)格持續(xù)性下跌也就顯得理所當(dāng)然。 所幸,金融海嘯的發(fā)生,迫使除三星電子(Samsung Electronics)外的全球DRAM廠商都必須削減資本支出,停止原先擴(kuò)廠計(jì)劃,單就臺(tái)灣各家DRAM業(yè)者為例,2008年第4季以來就有5座12吋廠、合計(jì)31萬片12吋晶圓月產(chǎn)能的建廠計(jì)劃遭到凍結(jié)或延后,茂德更為確?,F(xiàn)金,暫時(shí)退出標(biāo)準(zhǔn)型DRAM生產(chǎn)行列,轉(zhuǎn)而投入晶圓
- 關(guān)鍵字: Samsung DRAM
臺(tái)12寸DRAM廠廢墟變黃金 美日都覬覦
- 臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)成也12吋晶圓廠、敗也12吋晶圓廠!在金融風(fēng)暴期間,臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)身背2,000億元的負(fù)債,每天搖旗吶喊希望政府金援,否則整個(gè)產(chǎn)業(yè)面臨垮臺(tái)的命運(yùn),根本原因就是過去幾年間,業(yè)者太容易拿到資本市場(chǎng)的資金,因此盲目蓋了太多的12吋廠,隨著微軟(Microsoft)的Vista換機(jī)潮成夢(mèng)一場(chǎng),DRAM供需失衡的問題浮出,全球金融風(fēng)暴成為壓垮駱駝的最后1根稻草,DRAM產(chǎn)業(yè)從此陷入惡夢(mèng)。 熬過2009年,第1個(gè)出局的,反而不是始終為人詬病沒有技術(shù)扎根的臺(tái)灣DRAM廠,而是奇夢(mèng)達(dá)(Qimo
- 關(guān)鍵字: 奇夢(mèng)達(dá) DRAM 晶圓
2010年內(nèi)存市場(chǎng)預(yù)測(cè):價(jià)格走高 產(chǎn)能不足
- 隨著2010年寒假及春節(jié)的臨近,電子賣場(chǎng)即將迎來新一輪的銷售高潮。記者在走訪中關(guān)村電子賣場(chǎng)時(shí)了解到,步入2010年,多數(shù)型號(hào)內(nèi)存價(jià)格已有小幅上漲,或已計(jì)劃漲價(jià)。銷售人員向記者介紹道,從2009年中旬至今,內(nèi)存價(jià)格一路上揚(yáng),其主要原因在于金融危機(jī)對(duì)中國(guó)市場(chǎng)的影響逐漸消逝,而各廠家的出貨量沒有迅速提高,導(dǎo)致部分廠家、型號(hào)的內(nèi)存出現(xiàn)短時(shí)間缺貨。 據(jù)商家預(yù)計(jì),2010年內(nèi)存價(jià)格仍會(huì)緩慢上漲,寒假銷售情況被普遍看好。 據(jù)國(guó)外專業(yè)分析機(jī)構(gòu)DRAMeXchange報(bào)道,受2010年P(guān)C銷量看漲以及OEM
- 關(guān)鍵字: 奇夢(mèng)達(dá) DRAM DDR3 內(nèi)存
韓結(jié)束3年反壟斷調(diào)查 未發(fā)現(xiàn)芯片廠操縱價(jià)格
- 韓國(guó)公平交易委員會(huì)(FTC)周三宣布,并未發(fā)現(xiàn)NAND快閃記憶芯片制造商在韓國(guó)或其它地區(qū)有操縱市場(chǎng)價(jià)格的行為,也宣告終止近3年來對(duì)該產(chǎn)業(yè)的反壟斷調(diào)查。 反壟斷監(jiān)管單位聲明,針對(duì)計(jì)算機(jī)記憶芯片產(chǎn)業(yè) (包括DRAM芯片、NAND芯片等) 相關(guān)的價(jià)格操縱調(diào)查已經(jīng)全部結(jié)束。 2007年1月,F(xiàn)TC宣布將針對(duì)NAND快閃記憶芯片制造商進(jìn)行反壟斷調(diào)查,偵查是否有操縱價(jià)格的事實(shí),之后已針對(duì)全球4家企業(yè)進(jìn)行調(diào)查,其中2家位于韓國(guó),另外2家分別在美國(guó)和日本,但FTC并未公布詳細(xì)的企業(yè)名單。 韓國(guó)快閃記
- 關(guān)鍵字: 海力士 NAND DRAM
lpddr5x dram介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條lpddr5x dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)lpddr5x dram的理解,并與今后在此搜索lpddr5x dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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