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TIMC驚傳B計(jì)畫　力晶爭(zhēng)取買回瑞晶股權(quán)

  • 　　盡管臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司(TIMC)瀕臨解散邊緣，但對(duì)于力晶而言，仍是揮之不去的心腹大患，尤其近期業(yè)界不斷傳出TIMC有一套「B計(jì)畫」版本，可能藉由與爾必達(dá)(Elpida)合作滲入瑞晶，再度于DRAM產(chǎn)業(yè)復(fù)活。因此，力晶對(duì)于手上瑞晶持股偏低問題，始終耿耿于懷，不斷宣示要買回合作伙伴爾必達(dá)手上瑞晶股權(quán)，不過，爾必達(dá)會(huì)不會(huì)同意釋股仍是大問題。 　　存儲(chǔ)器業(yè)者透露，力晶不只一次對(duì)外宣布要買回瑞晶持股，盡管業(yè)界多認(rèn)為并沒有這個(gè)必要，因?yàn)榱?duì)瑞晶持股不論是30%或40%，其實(shí)都不能改變主導(dǎo)權(quán)旁落爾必達(dá)的事實(shí)，
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消息稱力晶董事會(huì)批準(zhǔn)從爾必達(dá)手中購(gòu)瑞晶股份

  • 　　12月23日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，臺(tái)灣力晶半導(dǎo)體股份有限公司管理人士周三表示，公司董事會(huì)批準(zhǔn)了從日本合作伙伴爾必達(dá)手中收購(gòu)合資企業(yè)瑞晶電子股份有限公司股份的計(jì)劃。 　　這位要求匿名的管理人士向道瓊斯通訊社透露，該計(jì)劃的細(xì)節(jié)，如力晶將收購(gòu)的股份數(shù)以及收購(gòu)價(jià)格等，還沒有確定。 　　爾必達(dá)曾于10月份表示，正考慮在年底前將其在瑞晶電子的持股比例增加到70%以上。就在當(dāng)月，為了與全球最大的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)韓國(guó)三星電子展開競(jìng)爭(zhēng)，爾必達(dá)曾將其在瑞晶電子的股權(quán)比例由52%增加至64%。 　　DRAM
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PC DRAM容量提升至2.92GB　DRAM現(xiàn)貨價(jià)大漲3%　

  • 　　沈寂已久的DRAM價(jià)格再度動(dòng)起來，存儲(chǔ)器廠對(duì)于DRAM產(chǎn)業(yè)后市看法相當(dāng)樂觀，DRAM廠供貨呈現(xiàn)小幅吃緊狀態(tài)，目前個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)搭載存儲(chǔ)器 平均容量成長(zhǎng)16%至2.92GB，未來消費(fèi)性PC機(jī)種搭載DRAM容量可望升級(jí)至4GB，市場(chǎng)對(duì)于后市看法相當(dāng)樂觀，原本外界預(yù)期12月合約價(jià)格會(huì)開始下跌，反應(yīng)淡季效應(yīng)，但目前開出是持平，反映市場(chǎng)供給不多，而22日現(xiàn)貨價(jià)格又開始蠢蠢欲動(dòng)，一口氣大漲3%;此外，下游模塊廠皆看好2010年DRAM市場(chǎng)表現(xiàn)將優(yōu)于NAND Flash市場(chǎng)。 　　存儲(chǔ)器模塊廠一致看好2010
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2010年DRAM制造商資本支出將猛增80%

  • 　　據(jù)DRAMeXchange的預(yù)測(cè)，2010年DRAM制造商資本支出總額將達(dá)到78.5億美元，較2009年的43億美元增長(zhǎng)80%。雖然增長(zhǎng)迅猛，但較2007年的214億美元還是有一定差距。 　　2011年和2012年全球DRAM制造商資本支出預(yù)算將達(dá)到100億至120億美元，成長(zhǎng)速度較2010年相對(duì)溫和。
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2009芯片市場(chǎng)收入下滑一成 Intel份額上漲

  • 　　受經(jīng)濟(jì)回暖影響，市場(chǎng)調(diào)研公司Gartner近日再次提高了對(duì)2009年全球芯片市場(chǎng)預(yù)期至2260億美元，不過和去年相比，這一數(shù)字仍舊下降了11.4%。Gartner十月份曾認(rèn)為跌幅會(huì)達(dá)到17%。 　　Gartner半導(dǎo)體研究主管Stephan Ohr表示，半導(dǎo)體領(lǐng)域中最早顯示出回暖跡象的是PC市場(chǎng)，手機(jī)、汽車行業(yè)緊跟其后。不過企業(yè)在投資支出上依舊很保守，恢復(fù)很慢。 　　Gartner還預(yù)計(jì)，芯片巨頭Intel的市場(chǎng)份額將稍稍提升至14.2%;受到內(nèi)存芯片價(jià)格的影響，三星和海力士本年度的收入將會(huì)增加2
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爾必達(dá)預(yù)期明年DRAM需求大增

  • 　　日本電腦芯片大廠Elpida Memory Inc. 預(yù)期芯片將出現(xiàn)短缺潮，因而計(jì)劃在明年4月起的財(cái)年中，增加其資本支出。 　　爾必達(dá)社長(zhǎng)兼執(zhí)行長(zhǎng)坂本幸雄周二在記者會(huì)上表示，爾必達(dá)下一個(gè)財(cái)年的資本支出可能將自本財(cái)年的5億美元上升至6億美元。 　　他表示：“明年(DRAM芯片產(chǎn)業(yè)狀況將大幅好轉(zhuǎn)。” 　　爾必達(dá)預(yù)期，一些驅(qū)動(dòng)新需求的動(dòng)力，例如微軟的Window 7個(gè)人電腦操作系統(tǒng)，有可能刺激個(gè)人電腦汰換潮發(fā)生，進(jìn)而提升存儲(chǔ)芯片的銷售力道。 　　坂本幸雄預(yù)期，明年全球用于電腦
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瑞晶將成臺(tái)第6家掛牌DRAM廠 爾必達(dá)是否釋股受注目

  • 　　臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)暌違4年，2010年即將出現(xiàn)第6家上柜掛牌的DRAM新兵，爾必達(dá)(Elpida)旗下瑞晶計(jì)劃在2010年申請(qǐng)掛牌上柜，為枯木逢春的存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)再添色彩!值得注意的是，目前爾必達(dá)對(duì)瑞晶持股達(dá)70%，申請(qǐng)掛牌前勢(shì)必要先釋股，持股降至50%以下，已傳出計(jì)畫引進(jìn)策略聯(lián)盟伙伴的消息，產(chǎn)業(yè)上、下游供應(yīng)鏈都會(huì)是潛在的合作對(duì)象;存儲(chǔ)器業(yè)者分析，雖然日方希望爾必達(dá)能掌握瑞晶多數(shù)股權(quán)，但若瑞晶未來可以獨(dú)立募資，這是對(duì)母、子公司都好的作法。 　　臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)共有6家DRAM廠，其中有5家已掛牌上市柜，1
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海力士2010年半導(dǎo)體生產(chǎn)開支將增加一倍

  • 　　據(jù)《韓國(guó)時(shí)報(bào)》報(bào)道，內(nèi)存芯片廠商海力士半導(dǎo)體計(jì)劃在2010年向芯片生產(chǎn)投入大約2.3萬億韓元(約20億美元)，比2009年的資本開支增加一倍。 　　這項(xiàng)開支有1.5萬億韓元(大約13億美元)用于DRAM內(nèi)存生產(chǎn)，剩余的8000億韓元(約7億美元)用于NAND閃存和邏輯芯片的生產(chǎn)。 　　這篇報(bào)道引述消息靈通人士的話說，海力士看到了1GB DDR3內(nèi)存的需求超過了預(yù)期。這篇報(bào)道還預(yù)計(jì)海力士在2010年將在全球DRAM市場(chǎng)擴(kuò)大領(lǐng)先于日本的Elpida公司的優(yōu)勢(shì)。
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臺(tái)美日DRAM廠連手 抗韓策略發(fā)酵

  • 　　兩大韓系內(nèi)存廠三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)紛傳出將大幅調(diào)高2010年資本支出，繼三星預(yù)計(jì)投入30億美元擴(kuò)產(chǎn)及制程微縮后，海力士2010年資本支出亦將倍增至20億美元，使得爾必達(dá)(Elpida)和美光(Micron)加緊腳步與臺(tái)系DRAM廠合作，盡管過去喊出的臺(tái)美日廠連手抗韓策略，在DRAM整合戲碼停擺后沒再被提起，但DRAM廠指出，實(shí)際上全球4大DRAM陣營(yíng)板塊運(yùn)動(dòng)，仍按照臺(tái)美日廠連手抗韓局勢(shì)發(fā)展。 　　隨著三星和海力士都擴(kuò)增2010年資本支出，隱約釋出對(duì)
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DRAM廠好光景可以延續(xù)到2013年 封測(cè)業(yè)價(jià)格調(diào)升有望

  • 　　DRAM景氣逐漸觸底反彈，相關(guān)業(yè)者預(yù)估2010年第2季DRAM每顆報(bào)價(jià)有機(jī)會(huì)落在2.2~2.5美元，不僅DRAM業(yè)者在2010~2011年大幅獲利，DRAM封測(cè)廠也有機(jī)會(huì)調(diào)漲代工價(jià)格，模塊廠的獲利能力則將由過去暴利回復(fù)到合理利潤(rùn)，預(yù)期2010年DRAM產(chǎn)業(yè)將呈現(xiàn)上肥下瘦局面，DRAM好光景可望延續(xù)到2013年。 　　聯(lián)測(cè)科技總經(jīng)理徐英琳分析2010年第1季，預(yù)期存儲(chǔ)器景氣仍將延續(xù)2009年第4季榮景，預(yù)估2個(gè)季度景氣應(yīng)為持平，不像過去第1季的季節(jié)性循環(huán)會(huì)季減10%。就產(chǎn)品別而言，Nor Flash和
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爾必達(dá)內(nèi)存有望今年實(shí)現(xiàn)三年來的首次年度盈利

  • 　　12月11日訊，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，受到內(nèi)存需求大于供給的利好影響，日本最大的內(nèi)存生產(chǎn)企業(yè)爾必達(dá)內(nèi)存公司(Elpida Memory Inc)可能在2010年本財(cái)年結(jié)束時(shí)實(shí)現(xiàn)開業(yè)三年來首次出現(xiàn)年度贏利。 　　爾必達(dá)內(nèi)存公司首席執(zhí)行官坂本幸雄(Yukio Sakamoto)宣稱：“由于今年全球電腦市場(chǎng)對(duì)內(nèi)存需求大于供給，我們也將在本財(cái)年結(jié)束時(shí)首次實(shí)現(xiàn)年度盈利。” 　　日本東京Ichiyoshi投資管理公司的總裁秋野充(Mitsushige Akino)宣稱：“盡管這種
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DDR2仍未過時(shí)，但DDR3 將是2010 年的搖錢大樹

  • 　　2009 年即將結(jié)束，DDR2 作為DRAM 市場(chǎng)之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問世，iSuppli 公司認(rèn)為，它即將成為世界上最流行的內(nèi)存技術(shù)。 　　DDR2 還不算過時(shí)，而且未來一段時(shí)間之內(nèi)也不會(huì)過時(shí)，它的價(jià)格在過去數(shù)月大幅上漲。然而，DDR3 將是2010 年的搖錢大樹。 　　主要有兩個(gè)原因在推動(dòng)產(chǎn)業(yè)向DDR3 過渡：英特爾新款處理器和制造工藝的成熟。 　　新款英特爾處理器 　　促進(jìn)產(chǎn)業(yè)向DDR3 過渡的一個(gè)事實(shí)是，新款英特爾微處理器將需要DDR3 內(nèi)
  • 關(guān)鍵字： DRAM  DDR2  DDR3   

DDR2仍未過時(shí)，但DDR3 將是2010 年的搖錢大樹

  • 　　2009 年即將結(jié)束，DDR2 作為DRAM 市場(chǎng)之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問世，iSuppli 公司認(rèn)為，它即將成為世界上最流行的內(nèi)存技術(shù)。 　　DDR2 還不算過時(shí)，而且未來一段時(shí)間之內(nèi)也不會(huì)過時(shí)，它的價(jià)格在過去數(shù)月大幅上漲。然而，DDR3 將是2010 年的搖錢大樹。 　　主要有兩個(gè)原因在推動(dòng)產(chǎn)業(yè)向DDR3 過渡：英特爾新款處理器和制造工藝的成熟。 　　新款英特爾處理器 　　促進(jìn)產(chǎn)業(yè)向DDR3 過渡的一個(gè)事實(shí)是，新款英特爾微處理器將需要DDR3 內(nèi)
  • 關(guān)鍵字： DRAM  存儲(chǔ)  DDR3  DDR2  

張忠謀：臺(tái)灣企業(yè)五年內(nèi)將面臨三大挑戰(zhàn)

  • 　　臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀日前表示，臺(tái)灣企業(yè)五年內(nèi)成本將面臨三大挑戰(zhàn)，包括美元弱勢(shì)引起的新臺(tái)幣匯率挑戰(zhàn)，石油等原物料價(jià)格上漲引發(fā)的通膨，還有減碳增加的環(huán)保稅負(fù)成本。 　　張忠謀只提到美元弱勢(shì)，并沒有說新臺(tái)幣有升值壓力，張忠謀認(rèn)為，全球經(jīng)濟(jì)都在復(fù)蘇中，復(fù)蘇力道緩慢，盡管景氣慢慢復(fù)蘇，但張忠謀認(rèn)為，企業(yè)近中程的三大挑戰(zhàn)相當(dāng)嚴(yán)峻，所謂近中程大概是五年內(nèi)，所以嚴(yán)峻因?yàn)槭沁^去兩年、甚至十年沒遇見過。 　　第一個(gè)挑戰(zhàn)是匯率。張忠謀說，臺(tái)灣過去20年沒有遭遇很大的匯率挑戰(zhàn)，但美元愈來愈弱，這會(huì)是一個(gè)趨勢(shì)，相對(duì)地新臺(tái)幣波
  • 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電  芯片代工  DRAM  NAND  

12月上旬合約價(jià)DRAM持平　Flash下跌

  • 　　12月上旬的存儲(chǔ)器合約價(jià)格中，DRAM合約價(jià)意外持平開出，南亞科副總經(jīng)理白培霖表示，主要是個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)廠急單涌入之故;而 NAND Flash合約價(jià)格則反應(yīng)市場(chǎng)需求不佳，16Gb芯片價(jià)格下滑5~10%，32Gb芯片下跌2~6%，目前合約價(jià)格貼近現(xiàn)貨價(jià)格水平，下游存儲(chǔ)器業(yè)者都盡量減少庫(kù)存水位，以免營(yíng)運(yùn)被跌價(jià)的NAND Flash芯片庫(kù)存燙傷。 　　近期DRAM現(xiàn)貨價(jià)格持續(xù)反彈，1Gb容量DDR2價(jià)格從2美元反彈至2.5美元，屬于觸底反彈，然整個(gè)市場(chǎng)的交易量是相當(dāng)有限，反倒是原本各界預(yù)期12月上旬
  • 關(guān)鍵字： 南亞科  NAND  DRAM  
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