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張忠謀：臺(tái)灣企業(yè)五年內(nèi)成本將面臨三大挑戰(zhàn)

  • 　　12月9日消息，臺(tái)積電董事長張忠謀昨日表示，臺(tái)灣企業(yè)五年內(nèi)成本將面臨三大挑戰(zhàn)，包括美元弱勢(shì)引起的新臺(tái)幣匯率挑戰(zhàn)，石油等原物料價(jià)格上漲引發(fā)的通膨，還有減碳增加的環(huán)保稅負(fù)成本。 　　張忠謀只提到美元弱勢(shì)，并沒有說新臺(tái)幣有升值壓力，張忠謀認(rèn)為，全球經(jīng)濟(jì)都在復(fù)蘇中，復(fù)蘇力道緩慢，盡管景氣慢慢復(fù)蘇，但張忠謀認(rèn)為，企業(yè)近中程的三大挑戰(zhàn)相當(dāng)嚴(yán)峻，所謂近中程大概是五年內(nèi)，所以嚴(yán)峻因?yàn)槭沁^去兩年、甚至十年沒遇見過。 　　第一個(gè)挑戰(zhàn)是匯率。張忠謀說，臺(tái)灣過去20年沒有遭遇很大的匯率挑戰(zhàn)，但美元愈來愈弱，這會(huì)是一個(gè)趨勢(shì)
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爾必達(dá)與臺(tái)灣茂德簽DRAM代工 預(yù)計(jì)明年量產(chǎn)

  • 　　據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，日本記憶體晶片大廠爾必達(dá)與臺(tái)灣茂德、華邦結(jié)盟，市場揣測(cè)會(huì)趁勢(shì)入股茂德與華邦。爾必達(dá)社長坂本幸雄昨日首度對(duì)入股茂德與華邦猜測(cè)松口表示：“目前沒有，但以后的事很難說。”強(qiáng)調(diào)爾必達(dá)會(huì)積極與臺(tái)灣DRAM廠“共同抗韓”的立場。 　　茂德董事長陳民良透露，將引進(jìn)新的投資對(duì)象，目前潛在合作對(duì)象有四個(gè)集團(tuán)，但堅(jiān)決不透露是誰中選。 　　業(yè)內(nèi)揣測(cè)，有意入股或金援茂德者，可能是結(jié)盟的爾必達(dá)，或已是茂德大股東的聯(lián)電。另外，外傳旺宏有意買下茂德竹科8吋與1
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TIMC案觸礁　施顏祥提出3大處理原則

  • 　　在臺(tái)灣“立法院”受到空前阻力的「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案」幾乎確定無法過關(guān)之后，國發(fā)基金投資臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司(TIMC)也面臨停擺。“經(jīng)濟(jì)部”長施顏祥對(duì)此表示，“立法院”和社會(huì)各界對(duì)于國發(fā)基金投資TIMC有意見，“經(jīng)濟(jì)部”都聽到了。目前經(jīng)濟(jì)部對(duì)DRAM產(chǎn)業(yè)再造的僵局有3大處理原則，分別是調(diào)整 DRAM產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)、持續(xù)與立法委員溝通、思考新的替代方案。 　　施顏祥表示，臺(tái)灣每年支付DRAM技術(shù)母廠新臺(tái)幣200億
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爾必達(dá)蠶食臺(tái)12寸廠DRAM產(chǎn)能

  • 　　日系DRAM大廠爾必達(dá)(Elpida)社長坂本幸雄再度訪臺(tái)，8日將與新策略聯(lián)盟伙伴茂德董事長陳民良聯(lián)合召開記者會(huì)，說明雙方合作代工細(xì)節(jié)。由于坂本幸雄過去慣常與力晶合作亮相，這次換成茂德，變化過程頗耐人尋味，爾必達(dá)2009年以來除拉攏茂德合作DDR3代工，亦與華邦電展開繪圖存儲(chǔ)器(GDDR)代工合作，日廠在臺(tái)灣存儲(chǔ)器領(lǐng)域勢(shì)力越來越龐大，不論臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司(TIMC)未來怎么走，爾必達(dá)可說是這場臺(tái)美日DRAM廠整并下的大贏家。 　　爾必達(dá)經(jīng)過2008年DRAM產(chǎn)業(yè)崩盤襲擊，2009年元?dú)庵饾u恢復(fù)后，
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中國臺(tái)灣芯片公司改變策略應(yīng)對(duì)市場下滑危機(jī)

  • 　　臺(tái)灣半導(dǎo)體生產(chǎn)商期望通過轉(zhuǎn)變策略來應(yīng)對(duì)電腦存儲(chǔ)芯片市場占有率下降帶來的挑戰(zhàn)，但此舉可能導(dǎo)致它們?nèi)P退出核心業(yè)務(wù)。 　　由于芯片行業(yè)從2007年起陷入有史以來最嚴(yán)重的滑坡，南亞科技及臺(tái)灣力晶半導(dǎo)體股份有限公司(簡稱：力晶)等臺(tái)灣芯片行業(yè)的支柱公司已在虧損中掙扎了兩年多。盡管今年芯片價(jià)格出現(xiàn)反彈，但力晶和茂德科技(ProMOS Technologies Inc.)等公司仍處于貸款違約的邊緣。 　　與此同時(shí)，韓國和日本的競爭對(duì)手憑藉更先進(jìn)、成本更低的生產(chǎn)技術(shù)持續(xù)發(fā)展壯大。 　　為應(yīng)對(duì)上述局面，臺(tái)資公司
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三星每年提高一倍代工芯片產(chǎn)能 目標(biāo)直指臺(tái)積電

  • 　　據(jù)報(bào)道，為了更加快速的追趕臺(tái)積電，三星計(jì)劃將以后每年的代工芯片產(chǎn)能提高一倍直至達(dá)到臺(tái)積電的規(guī)模。 　　根據(jù)iSuppli的統(tǒng)計(jì)，去年全球芯片代工市場的產(chǎn)值為190億美元，而臺(tái)積電獨(dú)自占據(jù)了其中的100億美元。 　　三星是全球第二大芯片制造商，在DRAM內(nèi)存和NAND閃存市場處于領(lǐng)先地位，但是他們?cè)诖な袌龅氖杖雲(yún)s只有可憐的幾億美元。三星發(fā)言人近日表示，三星已經(jīng)決定擴(kuò)大其代工產(chǎn)能，目標(biāo)直指臺(tái)積電。 　　三星目前在韓國器興(Giheung)有一座占地350英畝的晶圓廠，專門用于代工業(yè)務(wù)。三星一直強(qiáng)調(diào)
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DRAM廠資本支出競賽　三星更勝臺(tái)廠一籌

  • 　　臺(tái)系DRAM廠開始規(guī)劃2010年資本支出，估計(jì)包括南亞科、華亞科、力晶和茂德4家DRAM廠2010年資本支出逾新臺(tái)幣700億元，且主要支出集中在臺(tái)塑集團(tuán)身上，臺(tái)DRAM廠似乎又生龍活虎起來，開始擴(kuò)大投資規(guī)模，然相較于三星電子(Samsung Electronics)2010年在存儲(chǔ)器領(lǐng)域資本支出至少30億美元來看，臺(tái)系4家DRAM廠合計(jì)資本支出仍遠(yuǎn)落后三星，未來三星不僅將穩(wěn)坐龍頭，且恐將再度侵蝕臺(tái)DRAM廠既有市占率。 　　三星是這一波DRAM產(chǎn)業(yè)海嘯大贏家，這波巨浪吹倒臺(tái)DRAM產(chǎn)業(yè)，亦讓美、日系
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臺(tái)“經(jīng)濟(jì)部”無力扭轉(zhuǎn)情勢(shì)　DRAM再造方案全面停擺

  • 　　根據(jù)政府官員表示，日前“立法院”經(jīng)濟(jì)委員會(huì)通過決議，要求行政院國發(fā)基金不得用于「DRAM產(chǎn)業(yè)再造計(jì)畫」一事，經(jīng)過“經(jīng)濟(jì)部”一再向立委溝通，確定未獲得立委同意，目前「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案」已面臨全面停擺的情況。 　　官員透露，在和爾必達(dá)(Elpida)談判的過程中，爾必達(dá)始終未承諾提出符合行政院所要求的相關(guān)承諾，恐怕讓“經(jīng)濟(jì)部”失去為臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司(TIMC)繼續(xù)向“立法院”爭取國發(fā)基金挹注的重要立足點(diǎn)
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海力士CEO稱Win 7系統(tǒng)有助于DRAM行業(yè)

  • 　　據(jù)國外媒體報(bào)道，全球第二大內(nèi)存制造商海力士半導(dǎo)體CEO周三表示，公司預(yù)計(jì)明年1至3月DRAM收入下滑將小于以往季度。 　　“過去在第一季度，DRAM收入會(huì)下滑20%，但我認(rèn)為在2010年首季不會(huì)出現(xiàn)這種幅度的下滑。”首席執(zhí)行官Kim Jong-Kap表示。 　　Kim稱，微軟新操作系統(tǒng)Windows 7推漲了個(gè)人電腦的需求。同時(shí)有利的因素還包括新興市場的需求增長，以及趨緊的供貨。
  • 關(guān)鍵字： 海力士  DRAM  內(nèi)存制造  

三星擬明年投資60億美元擴(kuò)大芯片業(yè)務(wù)

  • 　　北京時(shí)間12月2日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，《韓國先驅(qū)報(bào)》援引匿名消息人士的話報(bào)道稱，三星2010年計(jì)劃投資約7萬億韓元(約合60億美元)擴(kuò)大芯片業(yè)務(wù)。 　　消息稱，其中約5萬億韓元(約合43億美元)將用于擴(kuò)大DRAM芯片業(yè)務(wù)，2萬億(約合17億美元)韓元將用于擴(kuò)大NAND閃存和邏輯芯片業(yè)務(wù)。 　　三星2010年芯片投資將比2009年的4萬億韓元(約合34億美元)高75%。10月份發(fā)布第三季度財(cái)報(bào)時(shí)，三星曾表示明年芯片投資將超過5.5萬億韓元(約合47億美元)。
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臺(tái)“經(jīng)濟(jì)部”主導(dǎo)的TIMC成立計(jì)劃走向窮途末路

  • 　　臺(tái)“立法院經(jīng)濟(jì)委員會(huì)”本月26日一致投票通過反對(duì)臺(tái)經(jīng)濟(jì)部一項(xiàng)要求政府向臺(tái)灣創(chuàng)新記憶體公司(TIMC)注資的提案，這意味著臺(tái)灣當(dāng)局主導(dǎo)的力圖重建本土內(nèi)存工業(yè)的改革計(jì)劃第四次遭到政府其它部門的反對(duì)。 　　與此形成鮮明對(duì)比的是，韓國聯(lián)合通訊社本月26日援引韓國知識(shí)經(jīng)濟(jì)部的說法，稱南韓政府計(jì)劃支持三星以及海力士公司開發(fā)自旋極化磁隨機(jī)存取內(nèi)存技術(shù)(STT-MRAM)的項(xiàng)目.政府將于2014年前向該項(xiàng)目注資240億韓元(合2050萬美元)，占項(xiàng)目總預(yù)算的一半。 　　此前三星與海力士公司
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臺(tái)DRAM廠拼增產(chǎn)搶回市占率　惟制程進(jìn)度仍落后

  • 　　經(jīng)歷上一波DRAM產(chǎn)業(yè)不景氣，臺(tái)系DRAM廠傷得很重，好不容易等到價(jià)格反彈到現(xiàn)金成本之上，開始全力擴(kuò)產(chǎn)找回過去失落的市占率，惟即使目前臺(tái)系DRAM廠再努力，也只能用落后的制程來追趕，傳出三星電子 (Samsung Electronics)采用40奈米制程的DDR3芯片已開始大量投產(chǎn)，領(lǐng)先臺(tái)廠2個(gè)世代之多，臺(tái)系DRAM廠在追趕的進(jìn)度上，再度顯得相當(dāng)吃力。 　　就像過去每次的景氣循環(huán)一樣，當(dāng)走出谷底的初期，國際大廠總是早一步獲利，臺(tái)廠緩步跟隨在后，這次也不例外，臺(tái)廠再度過年初的財(cái)務(wù)危機(jī)之后，隨著DRAM
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力晶第4季DRAM產(chǎn)出大躍進(jìn)　季增率挑戰(zhàn)30~40%

  • 　　臺(tái)系DRAM廠為抓準(zhǔn)DRAM價(jià)格復(fù)蘇的時(shí)間點(diǎn)，開始大量增加投片量，其中力晶增產(chǎn)的幅度將居冠，傳出第4季位元成長率將較第3季明顯大增 30~40%，力晶11月出貨量大幅成長，也將反映在11月營收上，出現(xiàn)大幅度成長;再者，除了DDR2芯片外，力晶也開始增加DDR3芯片產(chǎn)出，臺(tái)廠正緩慢步入DDR2和DDR3交接期。 　　臺(tái)廠2008年底開始進(jìn)入長達(dá)3季的減產(chǎn)，隨著DRAM價(jià)格在奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda)退出市場后，由供過于求逐漸走向供給平衡，因此緩步開始增產(chǎn)，尤其在營運(yùn)開始產(chǎn)生現(xiàn)金流入后，增產(chǎn)的速度加快，現(xiàn)
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臺(tái)“立法院”展現(xiàn)驚人毅力 四度封殺國發(fā)基金投資TIMC案

  • 　　臺(tái)“立法院”經(jīng)濟(jì)委員會(huì)26日再度審查國發(fā)基金預(yù)算，“經(jīng)濟(jì)部”次長林圣忠也為了漢翔公司的年度預(yù)算赴立法院備詢。藍(lán)綠立委唯恐“經(jīng)濟(jì)部”不了解臺(tái)灣最高民意代表的立場，針對(duì)「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案」第4度提出決議案全面封殺。 　　根據(jù)2010年國發(fā)基金的預(yù)計(jì)投資計(jì)畫，總規(guī)模為新臺(tái)幣330億元，包括各項(xiàng)產(chǎn)業(yè)及策略性投資270億元、創(chuàng)業(yè)投資60億元。在國發(fā)基金的預(yù)算書中并沒有提出要投資TIMC的計(jì)畫。不過令人好奇的是，「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案」
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iSuppli：DDR3將成DRAM市場主流，市占一半以上

  • 　　根據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)iSuppli的最新預(yù)測(cè)，DDR3(Double Data Rate 3)標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存將在2010年第2季成為產(chǎn)業(yè)主流，全球DRAM市場出貨占比可望突破50%。 　　據(jù)國外媒體報(bào)道，以單位出貨量計(jì)算，DDR3明年第2季的市占率將達(dá)50.9%，較今年第2季的14.2%大幅竄升。 　　iSuppli另預(yù)估，至2010年底，DDR3出貨市占率將達(dá)到71%。 　　iSuppli分析師Mike Howard于報(bào)告中寫道，DDR3的速度比DDR2快50%，耗電量則低30%。他強(qiáng)調(diào)：&ldquo
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