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基于MOS開關(guān)的高頻高壓脈沖源中電磁兼容問題研究

  • 摘要:本文研究了基于MOS固態(tài)開關(guān)的高頻高壓脈沖源中的電磁兼容問題,通過分析其干擾信號(hào)頻譜分布及傳播路徑,制定了以屏蔽和濾波為主的電磁兼容方案,最終實(shí)現(xiàn)了重復(fù)頻率80kHz,4kV脈沖源,實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了電磁兼容措施的
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MOS-FET與電子管OTL功放的制作

MOS—FET末級(jí)無負(fù)反饋蓄電池供電甲類6瓦功率放大器

  • MOS—FET末級(jí)無負(fù)反饋蓄電池供電甲類6瓦功率放大器
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MOS—FET甲乙類功率放大器

MOS管驅(qū)動(dòng)電路綜述連載(三)

  • 相對(duì)通用的電路電路圖如下:圖1用于NMOS的驅(qū)動(dòng)電路圖2用于PMOS的驅(qū)動(dòng)電路這里只針對(duì)NMOS...
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MOS管驅(qū)動(dòng)電路綜述連載(二)

  • 現(xiàn)在的MOS驅(qū)動(dòng),有幾個(gè)特別的應(yīng)用1、低壓應(yīng)用當(dāng)使用5V電源,這時(shí)候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結(jié)構(gòu),由于...
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MOS管驅(qū)動(dòng)電路綜述連載(一)

  • 在使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻,最大電壓等,最大電流等,也有很...
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MOSFET分析:選擇一款節(jié)能、高效的MOSFET

  • 前不久,能源之星發(fā)布了2.0版外部電源能效規(guī)范。新規(guī)范大幅提高了工作頻率要求,同時(shí)進(jìn)一步降低待機(jī)功耗要求。...
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MOSEFT分析:理解功率MOSFET的開關(guān)損耗

  • 本文詳細(xì)分析計(jì)算開關(guān)損耗,并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程,從而使電子工程師知...
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整改 MINI USB DAC

  • MINI USB DAC正式試聽已經(jīng)數(shù)天了。這段時(shí)間仔細(xì)地留意著它的聲音特點(diǎn)。為什么去“摩”?我不支持動(dòng)不動(dòng)就去 ...
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MINI USB DAC電源改造

  • 購回MINI USB DAC后,感覺音質(zhì)確有所提升,但從看到這款機(jī)器時(shí)就對(duì)其電源有看法,一個(gè)用發(fā)燒運(yùn)放、阻容件的hifi作 ...
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液晶驅(qū)動(dòng)器掀起高速化浪潮

  •   “知名液晶面板廠商已經(jīng)決定采用,最快將配備于2011年上市的電視機(jī)產(chǎn)品上”。   THine Electronics開發(fā)出了在平板電視和個(gè)人電腦上用于連接液晶驅(qū)動(dòng)器IC和時(shí)序控制器(Timingcontroller)IC的高速數(shù)據(jù)傳輸技術(shù)“CalDriCon”。每1對(duì)(1個(gè)信號(hào)通道)信號(hào)線的最大數(shù)據(jù)傳輸速度為2Gbit/秒。
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開關(guān)電源設(shè)計(jì)之MOS管反峰及RCD吸收回路

  • 對(duì)于一位開關(guān)電源工程師來說,在一對(duì)或多對(duì)相互對(duì)立的條件面前做出選擇,那是常有的事。而我們今天討論的這個(gè)話題就是一對(duì)相互對(duì)立的條件。(即要限制主MOS管最大反峰,又要RCD吸收回路功耗最?。? 在討論前我們先做
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華北工控MINI PC電腦在汽車信息系統(tǒng)中的應(yīng)用

  • 系統(tǒng)概述:隨著科技高速發(fā)展,有權(quán)威人士對(duì)未來人類所做的猜想很有趣,人的腦部會(huì)變得相當(dāng)發(fā)達(dá),身體奇胖,四肢會(huì)逐漸萎縮,粗短無力...好在衣食住行可由各種智能化設(shè)備代勞?,F(xiàn)如今機(jī)器人代勞完成人類所有的工作和日
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MOS-FET開關(guān)電路

  • MOS-FET雖然與JFET結(jié)構(gòu)不同,但特性極為相似,N溝道和P溝道各分增強(qiáng)型和耗盡型,可在許多電路中代替J-FET,如圖5.4-97所示,電路用MOS-FET代替J-FET更簡(jiǎn)單,如釁5.4-100所示短路開關(guān)對(duì)應(yīng)圖5.4-96中的A、C、D三個(gè)電路
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