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韓國海力士在無錫成功“擴容” 規(guī)模國內(nèi)最大
- 繼韓國海力士十二英寸封裝測試項目落戶無錫,其在無錫的銷售中心日前也正式簽約。海力士無錫工廠新任董事權(quán)五哲日前透露,十二英寸后工序項目明年初將建設(shè)完畢,屆時,該集團將真正實現(xiàn)在無錫的一體化生產(chǎn),成為中國最大的半導(dǎo)體生產(chǎn)基地。 海力士半導(dǎo)體是世界第二大DRAM制造商,也在全球半導(dǎo)體公司中名列前茅。無錫工廠是其在海外唯一的生產(chǎn)基地,承擔了韓國總部百分之五十的DRAM生產(chǎn)量,占全世界DRAM市場的百分之十。 權(quán)五哲稱,金融危機下,國際內(nèi)存需求量逆勢上升,該公司目前內(nèi)存價格較年初已上漲二倍。明年實現(xiàn)
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茂德、TMC、爾必達 金三角定調(diào)
- 茂德與臺灣存儲器公司(TMC)、爾必達(Elpida)三角關(guān)系逐漸撥云見日,茂德將以中科12寸廠為爾必達代工標準型DRAM產(chǎn)品,從65納米制程技術(shù)開始,值得注意的是,茂德與海力士(Hynix)合作關(guān)系并未結(jié)束,為此三角關(guān)系埋下伏筆。此外,茂德中科12寸廠亦將作為TMC工程開發(fā)基地,茂德將提供12寸廠機臺和人才,作為TMC開發(fā)DRAM技術(shù)平臺,這亦破除市場質(zhì)疑TMC沒有廠房、但要做DRAM技術(shù)開發(fā)的疑慮。 存儲器業(yè)者透露,茂德與海力士2008年底達成共識,將技轉(zhuǎn)54納米制程DRAM技術(shù),但轉(zhuǎn)換至5
- 關(guān)鍵字: 茂德 DRAM 65納米
基于Windows Mobile的無線通信系統(tǒng)的研究與實現(xiàn)
- 基于Windows Mobile的無線通信系統(tǒng)的研究與實現(xiàn),1 引言
根據(jù)江陰蘇南港集裝箱碼頭的發(fā)展形勢、理貨業(yè)務(wù)的發(fā)展需求以及碼頭集裝箱吞吐量的不斷增長的情況,通過對蘇南港口的業(yè)務(wù)流程進行深入調(diào)查,利用GPRS無線數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)進行數(shù)據(jù)實時采集,結(jié)合碼頭的應(yīng)用現(xiàn)狀和 - 關(guān)鍵字: 研究 實現(xiàn) 系統(tǒng) 無線通信 Windows Mobile 基于 Windows Mobile J2ME 智能手機 服務(wù)器端 客戶端 操作系統(tǒng)
德國總理暗示將對本國半導(dǎo)體業(yè)提供資助
- 德國總理默克爾15日在柏林的一次演講中暗示,政府可能對本國半導(dǎo)體企業(yè)提供財政資助,以幫助這些企業(yè)更好地與美國公司競爭。 默克爾在演講中比較了德國英飛凌、奇夢達與美國英特爾的情況,并認為英特爾獲得了美國政府經(jīng)濟刺激計劃的慷慨支持。她表示,對歐洲僅剩的幾家半導(dǎo)體生產(chǎn)商,政府可能需要對其提供資助。 數(shù)據(jù)顯示,受經(jīng)濟衰退影響,DRAM價格過去一年下跌58%。德國半導(dǎo)體企業(yè)深受打擊,奇夢達已經(jīng)于今年1月23日申請破產(chǎn)保護。 據(jù)悉,由于德國9月27日將迎來全國大選,總理默克爾和其挑戰(zhàn)者副總理兼外
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三星DRAM藏伏筆 臺廠忐忑難安
- 過去一向扮演DRAM市場領(lǐng)頭羊的三星電子(Samsung Electronics),在近期這波合約價上漲過程中,卻表現(xiàn)異常的沈默,存儲器業(yè)者表示,三星不僅不愿意跟進調(diào)漲,甚至業(yè)界不斷傳出三星有意不讓1Gb容量DDR2價格上漲超過1.5美元、甚至1.3美元,似乎不想讓原本奄奄一息的臺廠,再度有喘息機會,加上DRAM產(chǎn)業(yè)前景仍不明確,終端需求回籠跡象還不明顯,但卻已傳出多家DRAM廠開始低調(diào)增加投片量,希望能趕上2009年下半PC市場傳統(tǒng)旺季,這不僅讓整體DRAM市場彌漫著相當詭異氣氛,亦讓臺DRAM廠對
- 關(guān)鍵字: 三星 DRAM 晶圓 DDR2
DRAM替代品現(xiàn)身 軟性憶阻器開啟內(nèi)存科技新大門
- 據(jù)港臺媒體報道,美國國家標準和技術(shù)研究院 (U.S. National Institute of Standards and Technology;NIST) 目前正在進行軟性憶阻器 (Flexible memristor) 的開發(fā)研究,希望能為內(nèi)存科技打開新的大門。這項技術(shù)雖然相當創(chuàng)新,但其實去年已經(jīng)先由惠普對外展示它靈活的形式,讓外界為之驚艷。 根據(jù)《CENT》報導(dǎo),NIST 表示目前憶阻器 (memristor) 是以防曬乳與牙膏的原料─二氧化鈦制造而成,是種輕薄又靈活的透明聚合物。NIS
- 關(guān)鍵字: 惠普 DRAM 內(nèi)存 軟性憶阻器
向山寨科技學(xué)習什么
- 《山寨科技創(chuàng)了什么新》一文(本刊5月5日號總第267期)發(fā)表以后,讀者的熱情反應(yīng)與分歧的意見,讓遠在大洋彼岸的我始料未及。在本文中,我試圖再次整理山寨中的創(chuàng)新因素,讓居廟堂之高者明白,創(chuàng)新不必非來自于高高在上的微軟、諾基亞或者默克,也不必像當年搞“兩彈一星”那樣舉全國之力傾斜投入,關(guān)鍵在于利用市場全球化、技術(shù)開放化的強大推手,在國際價值產(chǎn)業(yè)鏈上配置資源。 中國要走的自主知識產(chǎn)權(quán)的創(chuàng)新道路上,山寨科技的摸索已經(jīng)為我們探明了前進的路徑: 研發(fā)模式:螞蟻雄兵的模塊化開發(fā)強
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NAND Flash買氣急凍 通路庫存塞車
- NAND Flash經(jīng)歷2個月價格狂飆后,近期市場買氣一夕轉(zhuǎn)淡,記憶體模組廠紛因庫存急增,開始出現(xiàn)驚慌失措。模組廠表示,3、4月NAND Flash漲價時,通路商一度擔心會缺貨,因而囤積不少庫存,然5月NAND Flash市場卻出乎意外地很快冷卻下來,由于消費者需求不振,導(dǎo)致中間通路商手上庫存整個塞住,并造成16Gb產(chǎn)品現(xiàn)貨價跌破4美元心理關(guān)卡,合約價漲勢亦熄火,模組廠5月同時面臨NAND Flash和DRAM需求不振,恐將反應(yīng)在營收表現(xiàn)上。 模組廠表示,2009年第1季NAND Flash市場
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存儲器業(yè)或已過景氣谷底 但前景仍未見光明
- 存儲器芯片產(chǎn)業(yè)景氣在歷經(jīng)兩年來的大滑坡之後,看來似乎已經(jīng)落底,但未來恐難重拾昔日科技業(yè)金雞母的豐采。 更慘的是,部分分析師認為近期存儲器芯片價格上漲,讓迫切需要進行的產(chǎn)業(yè)重整工作受阻,使得產(chǎn)業(yè)仍呈現(xiàn)過度擁擠狀態(tài),易于受到周期性景氣榮枯的沖擊。 “除了產(chǎn)業(yè)龍頭三星電子之外,其他動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)業(yè)者都必需想出對策以保留現(xiàn)金及繼續(xù)存活。”富邦投顧研究部協(xié)理李克揚表示。 長期來看,部分業(yè)者很難獨自走出活路。 臺灣政府今年稍早成立臺灣存儲器公司(TM
- 關(guān)鍵字: 三星 DRAM 存儲器
美媒:內(nèi)存大廠美光 準備進軍LED與太陽能領(lǐng)域
- 根據(jù)《埃達荷政治家報》網(wǎng)站報導(dǎo),DRAM大廠Micron Technology正對外尋求資金以擴展 LED制造業(yè)務(wù),且同時考慮生產(chǎn)太陽能板。 美國埃達荷州政府看好Micron的未來表現(xiàn),亦積極向美國能源部申請,由該州能源資源局撥款500萬美元。 由于DRAM業(yè)務(wù)虧損連連,Micron索性裁員并關(guān)閉部份產(chǎn)線,連閃存部門也分拆出去與 Intel(英特爾) 共組合資企業(yè)IM Flash Technologies LLC。 有意改變營運重心的Micron,逐漸將眼光放在技術(shù)水準類似,獲利卻更
- 關(guān)鍵字: Micron DRAM LED
海力士、LG、三星和Silicon Image建立下一代內(nèi)存接口技術(shù)規(guī)范
- 海力士半導(dǎo)體公司(Hynix Semiconductor, Inc.,other-otc:HXSCF)、LG Electronics (KRX:066570)、三星電子株式會社(other-otc:SSNLF) 和Silicon Image公司日前宣布組成一個行業(yè)聯(lián)盟,推廣串行端口內(nèi)存技術(shù)(SPMT?)在市場的應(yīng)用,努力使之成為行業(yè)標準。作為首個針對動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的內(nèi)存規(guī)范,SPMT將首先把目光對準手機市場,推動產(chǎn)生能夠運行數(shù)據(jù)高度密集的富媒體應(yīng)用、同時電池壽命更長的新一代移動設(shè)備。
- 關(guān)鍵字: Hynix DRAM 串行端口
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