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臺(tái)塑集團(tuán)和TMC戰(zhàn)火激烈 臺(tái)DRAM產(chǎn)業(yè)發(fā)展路線再起爭(zhēng)論

  •   華亞科總經(jīng)理于9日發(fā)表對(duì)臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)整合的建言,9日更傳出臺(tái)塑集團(tuán)搶在TMC前面,向“經(jīng)濟(jì)部”和國(guó)發(fā)基金送出DRAM整合企畫書;惟對(duì)此南亞科和華亞科表示,在幾天前的確以南亞科的名義,向工業(yè)局送出研發(fā)補(bǔ)助草案,非正式送件,也與DRAM整合無(wú)關(guān),正式的整合計(jì)畫書將于近期送出;惟臺(tái)塑集團(tuán)和TMC之間的戰(zhàn)火,各方互不相讓。   “經(jīng)濟(jì)部”針對(duì)臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)整合成立TMC,選定爾必達(dá)作為臺(tái)灣技術(shù)主軸,引發(fā)不少DRAM業(yè)者的抗議聲浪,臺(tái)塑集團(tuán)首先出面拒絕加入
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臺(tái)塑將申請(qǐng)政府注資 投入DRAM技術(shù)開發(fā)

  •   臺(tái)塑集團(tuán)的DRAM晶片廠南科、華亞科近日向臺(tái)“經(jīng)濟(jì)部”提出資金援助申請(qǐng),希望政府支持臺(tái)塑集團(tuán)投入技術(shù)開發(fā)計(jì)劃。預(yù)計(jì)將向政府爭(zhēng)取國(guó)發(fā)基金的資金挹注,額度約在200億至300億臺(tái)幣。   在臺(tái)灣當(dāng)局今年年初出面主導(dǎo)成立臺(tái)灣記憶體公司(TMC),希望藉此進(jìn)行動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)產(chǎn)業(yè)整合再造後,臺(tái)塑集團(tuán)在4月初時(shí)曾表示,與海外技術(shù)夥伴美光不會(huì)加入TMC陣營(yíng),反之希望政府比照TMC,予以資金等支持。   報(bào)導(dǎo)引述華亞科總經(jīng)理高啟全稱,有鑒政府將挹注資金給新的TMC公司,現(xiàn)也
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臺(tái)灣DRAM廠 面臨內(nèi)憂外患

  •   三星破天荒公布第二季獲利預(yù)估,優(yōu)于市場(chǎng)預(yù)期,業(yè)界認(rèn)為作多意味濃厚,三星主要業(yè)務(wù)涵蓋面板、手機(jī)、半導(dǎo)體晶片等三大領(lǐng)域,以現(xiàn)況來(lái)看,面板需求暢旺無(wú)虞,但半導(dǎo)體芯片,尤其是DRAM與NAND Flash兩大存儲(chǔ)領(lǐng)域,則仍有觀察空間。   近來(lái)包括海力士(Hynix)、美光(Micron)、南科、力晶等島內(nèi)外大廠,紛紛看好下半年DRAM價(jià)格走勢(shì),為市場(chǎng)信心吞下一顆定心丸。   但業(yè)界憂心,三星第二季整體獲利超乎市場(chǎng)預(yù)期,在記憶體價(jià)格仍未見(jiàn)明顯起色下,是否會(huì)以其他部門的獲利,來(lái)彌補(bǔ)存儲(chǔ)事業(yè)虧損,進(jìn)而持續(xù)以&
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集成電路發(fā)展哲理

  •   半導(dǎo)體技術(shù)極其豐富多彩,身陷其景,會(huì)有“不識(shí)廬山真面目,只緣身在此山中”的感觸。為此,既要“近賞細(xì)微”,又要“臨空瀏覽”,以期從中領(lǐng)悟到一些哲理。   本演講根據(jù)半導(dǎo)體技術(shù)“由簡(jiǎn)入繁”、又“化繁為簡(jiǎn)”的螺旋式發(fā)展史事,探討主流半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展哲理,供大家參考討論。   發(fā)展歷程   根據(jù)IC Knowledge 的歸納[1],可以把集成電路(IC)的發(fā)展歷程劃分為四個(gè)階段:
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英特爾美光及三星開始NAND縮微大賽

  •   全球NAND閃存的尺寸縮小競(jìng)賽再次打響。無(wú)論英特爾與美光的聯(lián)合體,IMFlash,三星及東芝都欲爭(zhēng)得NAND縮小的領(lǐng)導(dǎo)地位而互相較勁。但是實(shí)際上在目前存儲(chǔ)器下降周期時(shí)尺寸縮小競(jìng)賽并無(wú)實(shí)際的意義。   按分析師報(bào)告,IMFlash正討論2x nm,而三星己悄悄地作出3xnm樣品及美光計(jì)劃利用每單元3位技術(shù)于今年第四季度開始量產(chǎn)。   在DRAM領(lǐng)域,三星一直是技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者,目前已作出46nm DRAM樣品。   究竟誰(shuí)是NAND尺寸縮小的領(lǐng)導(dǎo)者,據(jù)今年早些時(shí)候報(bào)道,東芝與新帝合資公司己走在前列,尺寸
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臺(tái)灣媒體社論:政府救DRAM產(chǎn)業(yè)救到那里去了?

  •   日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省日前依據(jù)“產(chǎn)業(yè)再生法”,決定透過(guò)該國(guó)政策投資銀行(DBJ),對(duì)DRAM大廠爾必達(dá)投資300億日?qǐng)A,DBJ并將與日本民間四大銀行連手提供超過(guò)1,000億日?qǐng)A融資,協(xié)助爾必達(dá)度過(guò)難關(guān)。日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)大臣二階俊博在記者會(huì)上表示,“爾必達(dá)的經(jīng)營(yíng)若出狀況,將對(duì)日本電子產(chǎn)業(yè)造成極大影響,因此政府決定提供金援”。   看到這則新聞,讓人不無(wú)感慨。馬英九去年12月4日曾告訴外籍記者:“臺(tái)灣DRAM廠倒了,我們的IT產(chǎn)業(yè)就糟糕了。”他
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全球DRAM及NAND零售價(jià)推動(dòng)毛利率上升

  •   市調(diào)機(jī)構(gòu)InSpectrum認(rèn)為,盡管降低報(bào)價(jià)但是仍很難促進(jìn)存儲(chǔ)器的銷售,本周6月22-26日期間,無(wú)論DRAM或者是NAND的零售價(jià)繼續(xù)因市場(chǎng)需求疲軟而下降。   原因是目前正是傳統(tǒng)的淡季,所以存儲(chǔ)器模塊的銷售仍很弱,但己看到DRAM的零售價(jià)開始利潤(rùn)有所好轉(zhuǎn)。   由于供應(yīng)商擔(dān)心是持久力問(wèn)題,加上英特爾美光聯(lián)盟推出34納米芯片,貿(mào)易中間商為了促銷給出更大的折扣,導(dǎo)致同樣在零售市場(chǎng)也看到與DRAM相似情況,近期DRAM合同價(jià)格趨勢(shì)在零售價(jià)基礎(chǔ)上有點(diǎn)小的波動(dòng)。雖然6月下半月無(wú)論DDR2及DDR3的價(jià)
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錢是英雄膽——DRAM王道

  •   戰(zhàn)國(guó)時(shí)代群雄割據(jù),秦始皇一統(tǒng)天下,成就了后來(lái)的西漢盛世。如今的臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè),也面臨群雄割據(jù)與經(jīng)營(yíng)艱辛的困境,到了需要有人出面主導(dǎo)整合再造的時(shí)機(jī),因此像臺(tái)灣內(nèi)存公司(TMC)這種角色的存在,確有其必要性。   然而,當(dāng)前DRAM業(yè)若要整合,并非光比誰(shuí)的技術(shù)強(qiáng),最重要的還是錢,尤其在價(jià)格萎靡不振,各廠都面臨資金龐大壓力時(shí),「錢是英雄膽」才是王道哲學(xué)。   就目前臺(tái)灣兩大DRAM陣營(yíng)來(lái)看,美光有臺(tái)塑集團(tuán)撐腰,爾必達(dá)也將陸續(xù)獲得日方巨額金援,各有其利基之處,兩強(qiáng)之間的爭(zhēng)霸,勢(shì)必還有一番廝殺。TMC出面
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恒憶與三星合作的生意經(jīng)

  •   2009年6月24日,恒憶(Numonyx)與三星電子(Samsung Electronics Co., Ltd)宣布將共同開發(fā)制定相變存儲(chǔ)器(Phase Change Memory,PCM)產(chǎn)品的市場(chǎng)規(guī)格,兩大存儲(chǔ)器廠商的攜手再次印證了“商場(chǎng)上沒(méi)有永遠(yuǎn)的對(duì)手”。   韓國(guó)三星電子稱霸存儲(chǔ)器行業(yè)已有多時(shí),其DRAM市場(chǎng)近30%、閃存市場(chǎng)近40%的份額長(zhǎng)期無(wú)可撼動(dòng)。而恒憶作為存儲(chǔ)器行業(yè)的新寵,其正式成立距今不過(guò)一年左右的時(shí)間。它的主要業(yè)務(wù)是整合NOR、NAND及內(nèi)置RAM,并利
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南亞科成臺(tái)灣首家獲營(yíng)運(yùn)資金DRAM廠

  •   南亞科努力進(jìn)行營(yíng)運(yùn)轉(zhuǎn)型,如期在6月底之前達(dá)成減資和增資的動(dòng)作。日前辦理10億股的私募,正式以每股私募價(jià)格新臺(tái)幣12.22元的定價(jià),取得122.2億元的資金,認(rèn)購(gòu)人包括南亞塑料、臺(tái)灣化學(xué)纖維、臺(tái)灣塑料、臺(tái)塑石化、麥寮汽電和長(zhǎng)庚醫(yī)療財(cái)團(tuán)法人,全數(shù)由母公司相關(guān)企業(yè)力挺到底,成為臺(tái)灣第1家獲得營(yíng)運(yùn)資金的DRAM廠,南亞科表示,三廠(Fab3)要盡快轉(zhuǎn)入50奈米的堆疊式技術(shù)制程,降低成本結(jié)構(gòu)。   臺(tái)塑集團(tuán)對(duì)外宣示不加入TMC以來(lái),以實(shí)際行動(dòng)力挺自家DRAM廠進(jìn)行營(yíng)運(yùn)體質(zhì)強(qiáng)化運(yùn)動(dòng),并挹注新的營(yíng)運(yùn)資金,使得旗下
  • 關(guān)鍵字: 南亞  DRAM  50納米  DDR3  

力晶稱今年資本支出將遠(yuǎn)低于50億臺(tái)幣 低于原預(yù)估

  •   臺(tái)灣DRAM芯片制造大廠——力晶半導(dǎo)體上周五表示,今年資本支出將遠(yuǎn)低于50億臺(tái)幣,較去年10月時(shí)的預(yù)估減少一半以上。   力晶副總經(jīng)理譚仲民在年度股東大會(huì)場(chǎng)邊向路透表示,由于制造已升級(jí)至65納米,基本上以現(xiàn)有制程生產(chǎn)即可,因此資本支出也就大幅下降。   力晶在去年10月的投資人說(shuō)明會(huì)中曾表示,今年資本支出目標(biāo)為100億臺(tái)幣。力晶自2007年第二季至今年第一季已連虧損八個(gè)季度。
  • 關(guān)鍵字: 力晶  DRAM  65納米  

日本半導(dǎo)體巨頭將獲得政府和民間巨額融資

  •   據(jù)《日本經(jīng)濟(jì)新聞》網(wǎng)站最新消息,為了確保日本在最先進(jìn)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力,未來(lái)3年內(nèi),日本政府和民間將總共為半導(dǎo)體巨頭爾必達(dá)(Elpida)提供2000億日元(約合21億美元)融資。   報(bào)道說(shuō),為了幫助爾必達(dá)進(jìn)行企業(yè)重建,除了日本政策投資銀行和大型商業(yè)銀行,國(guó)際協(xié)力銀行也將提供緊急融資。此外,日本官方與民間共同組建的基金——“產(chǎn)業(yè)革新機(jī)構(gòu)”也將向其提供資助。   爾必達(dá)是日本最大DRAM生產(chǎn)商。報(bào)道說(shuō),2000億日元的融資將在未來(lái)3年內(nèi)幫助
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iPhone 3GS拆解報(bào)告:博通與東芝贏得訂單

  • 第三代蘋果iPhone的拆機(jī)分析結(jié)果顯示,部分由于采用了博通和東芝的芯片,這款手機(jī)的集成度更高,而且可能成本更低...
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茂德、TMC、爾必達(dá) 金三角定調(diào)

  •   茂德與臺(tái)灣存儲(chǔ)器公司(TMC)、爾必達(dá)(Elpida)三角關(guān)系逐漸撥云見(jiàn)日,茂德將以中科12寸廠為爾必達(dá)代工標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品,從65納米制程技術(shù)開始,值得注意的是,茂德與海力士(Hynix)合作關(guān)系并未結(jié)束,為此三角關(guān)系埋下伏筆。此外,茂德中科12寸廠亦將作為TMC工程開發(fā)基地,茂德將提供12寸廠機(jī)臺(tái)和人才,作為TMC開發(fā)DRAM技術(shù)平臺(tái),這亦破除市場(chǎng)質(zhì)疑TMC沒(méi)有廠房、但要做DRAM技術(shù)開發(fā)的疑慮。   存儲(chǔ)器業(yè)者透露,茂德與海力士2008年底達(dá)成共識(shí),將技轉(zhuǎn)54納米制程DRAM技術(shù),但轉(zhuǎn)換至5
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DRAM芯片發(fā)明人登納德將獲IEEE榮譽(yù)勛章

  •   據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,美國(guó)科技巨頭IBM的研究人員、DRAM內(nèi)存芯片技術(shù)發(fā)明人羅伯特·登納德(Robert Dennard )將于下周四獲得美國(guó)電氣和電子工程師協(xié)會(huì)(IEEE)頒發(fā)的榮譽(yù)勛章。        DRAM內(nèi)存芯片技術(shù)發(fā)明人羅伯特·登納德   與“摩爾定律”(Moore's Law)提出者、英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人戈登·摩爾(Gordon Moore)相比,今年76歲的登納德并不太為全球公眾所熟悉。但在全球技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域
  • 關(guān)鍵字: IBM  DRAM  摩爾定律  
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