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nand 閃存
nand 閃存 文章 進(jìn)入nand 閃存技術(shù)社區(qū)
恒憶首次登陸北京IIC盛會(huì)
- 2009年3月5日,北京訊,第十四界國(guó)際集成電路研討會(huì)暨展覽會(huì)(IIC-China)作為中國(guó)最具影響力的電子行業(yè)盛會(huì)于3月5日在北京隆重開幕。恒憶(Numonyx)的首席技術(shù)官兼副總裁Edward Doller在大會(huì)上發(fā)表了重要主題演講,解讀存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的不斷演進(jìn)和目前所面臨的挑戰(zhàn),并分享了恒憶在閃存領(lǐng)域的最新技術(shù)突破,以及當(dāng)前在全球經(jīng)濟(jì)危機(jī)下,公司如何保持持續(xù)領(lǐng)先的應(yīng)對(duì)策略。 由于全球性金融危機(jī),2008年對(duì)于很多公司都是不平凡的一年。大浪淘沙,在這種困難時(shí)期,恒憶公司憑借其先進(jìn)的解決方案,
- 關(guān)鍵字: Numonyx 閃存 IIC-China
全球最大閃存芯片商破產(chǎn)中國(guó)區(qū)勉力自保
- ??????? 金融危機(jī)下的消費(fèi)疲軟引致芯片需求減弱、價(jià)格下跌。2009年的春天,對(duì)內(nèi)存廠商來說無疑是個(gè)嚴(yán)冬。此前,芯片巨頭德國(guó)英飛凌旗下奇夢(mèng)達(dá)公司申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù),引發(fā)內(nèi)存界動(dòng)蕩;緊接著又傳出全球排名前十的芯片廠,中國(guó)臺(tái)灣茂德科技也將倒閉,有消息稱臺(tái)灣當(dāng)局已放棄為茂德科技注資挽救。 ??????? 內(nèi)存業(yè)的悲劇還在繼續(xù)上演。前日,全球最大NOR閃存芯片商美國(guó)飛索公司(
- 關(guān)鍵字: Spansion 閃存 金融危機(jī) 破產(chǎn)
傳全球頂級(jí)內(nèi)存芯片廠茂德將倒閉
- 2009年1月底,全球第二大DRAM公司,300mm晶圓工業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者和個(gè)人電腦、服務(wù)器、DRAM市場(chǎng)最大的供應(yīng)商之一奇夢(mèng)達(dá)已經(jīng)宣布倒閉。該公司由總部位于德國(guó)的英飛凌科技在2006年5月分拆而成。 奇夢(mèng)達(dá)的業(yè)務(wù)領(lǐng)域主要集中在DRAM內(nèi)存領(lǐng)域。包括電腦主機(jī)中的DRAM內(nèi)存條,電腦顯示卡的顯存顆粒,消費(fèi)級(jí)DRAM內(nèi)存,移動(dòng)存儲(chǔ)裝置中的高速D
- 關(guān)鍵字: 奇夢(mèng)達(dá) DRAM 閃存
NOR閃存巨頭Spansion日本子公司申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)
- 北京時(shí)間2月10日消息,全球最大NOR閃存廠商Spansion的日本子公司周二表示已經(jīng)申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)。Spansion日本子公司的負(fù)債總額達(dá)到8.1億美元,該公司的破產(chǎn)是今年以來日本制造業(yè)最大的破產(chǎn)案例。 Spansion是全球最大的NOR閃存廠商,不過市場(chǎng)普及率更高的是NAND閃存。三星和東芝是NAND的領(lǐng)導(dǎo)廠商。 NOR閃存被用于手機(jī)等領(lǐng)域,這種閃存的數(shù)據(jù)讀取速度要比NAND閃存快一些,不過它的數(shù)據(jù)寫入速度要比NAND慢。 根據(jù)信貸研究機(jī)構(gòu)帝國(guó)征信公司(Teikoku Data B
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三星NAND產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)占有率40%
- 市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange指出,2008年NAND Flash品牌廠商公布去年第四季暨全年?duì)I收排名出爐,SAMSUNG以46億1千4百萬美元,市占率為40.4%,蟬聯(lián)第一寶座 觀察2007年與2008年NAND Flash品牌市場(chǎng)變化,2007年品牌廠商全年?duì)I收約為133億6千8百萬美元,2008年則為114億1千8百萬美元,年?duì)I收下跌14.6%,2008年平均銷售價(jià)格較2007年下跌63%。 Toshiba以全年?duì)I收為32億5百萬美元,市占率28.1%排名居次,比2007年的
- 關(guān)鍵字: 三星 NAND
SanDisk與索尼聯(lián)合開發(fā)TB級(jí)閃存技術(shù)
- 據(jù)存儲(chǔ)在線報(bào)道,在近期的CES展會(huì)上,SanDisk與索尼共同宣布了一項(xiàng)計(jì)劃,雙方打算聯(lián)合開發(fā)兩款新型大容量閃存,將閃存容量提升到TB級(jí)以上。 這兩款新產(chǎn)品目前被暫時(shí)定名為"Memory Stick format for Extended High Capacity"和"Memory Stick HG Micro"。其中"Extended High Capacity"格式將擴(kuò)展目前索尼所用的"Memory Stick PRO&
- 關(guān)鍵字: SanDisk 閃存 索尼
解密16G MLC NAND閃存表象下的技術(shù)細(xì)節(jié)
- 2006年初,美光科技公司與英特爾公司的合作企業(yè)IMFlashTechnologies公司(IMFT)在市場(chǎng)上閃亮登場(chǎng)。通過整合I...
- 關(guān)鍵字: NAND 閃存 技術(shù)細(xì)節(jié) 位密度 多晶硅
立足嵌入式應(yīng)用 恒憶尋求高利潤(rùn)增長(zhǎng)點(diǎn)
- 走在下行周期上的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)碰上了30年代“大蕭條”后全球最慘烈的經(jīng)濟(jì)危機(jī),猶如雪上加霜。而作為整個(gè)行業(yè)晴雨表的存儲(chǔ)器更是早在去年就表現(xiàn)出了極大的疲軟態(tài)勢(shì)。英特爾和意法半導(dǎo)體剝離閃存事業(yè)部后,聯(lián)合成立的閃存公司恒憶(Numonyx)卻在今年4月掛牌營(yíng)運(yùn),在這樣一個(gè)人人自危的時(shí)候,作為全球最大的閃存公司,恒憶是如何看待閃存市場(chǎng)前景的? 恒憶(亞洲)副總裁兼總經(jīng)理 Rolf-Peter Seibl “存儲(chǔ)器市場(chǎng)的確在一些細(xì)分市場(chǎng)除了先樂周期性衰退,但是我們相信
- 關(guān)鍵字: 恒憶 閃存 200812
受益東芝海力士減產(chǎn) NAND閃存價(jià)格回穩(wěn)
- 12月25日消息,據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,NAND Flash12月下旬合約價(jià)出爐,終止先前下跌趨勢(shì),至少都以平盤以上開出,主流規(guī)格晶片漲幅更在16%以上,隨價(jià)格回穩(wěn)走揚(yáng),將有助創(chuàng)見、威剛、群聯(lián)等模組業(yè)者降低庫(kù)存跌價(jià)損失壓力。 業(yè)者指出,這次NAND Flash價(jià)格止跌回穩(wěn),主要是反應(yīng)日本東芝與韓國(guó)海力士減產(chǎn)效益,隨晶片廠對(duì)力保價(jià)格不跌有了堅(jiān)定共識(shí),也意味NAND Flash回穩(wěn)態(tài)勢(shì)已逐步確立。 根據(jù)集邦科技昨日最新報(bào)價(jià),NAND Flash12月下旬合約價(jià)都以平盤以上開出,其中以16Gb主流規(guī)格
東芝削減NAND閃存芯片30%產(chǎn)量
- 東芝宣布,削減30%的閃存芯片產(chǎn)量,以應(yīng)對(duì)需求降低,庫(kù)存增加的考驗(yàn)。 東芝還說,位于日本四日市的四家工廠本月將停工17天,以降低內(nèi)存卡與MP3播放器的產(chǎn)量。 東芝在一份聲明中說:“全球經(jīng)濟(jì)不景氣以及消費(fèi)低迷正在對(duì)半導(dǎo)體需求產(chǎn)生嚴(yán)重沖擊。尤其是NAND閃存芯片,由于使用這種芯片的MP3播放器供應(yīng)過剩,其需求大幅下降。東芝慎重考慮了這種情形,決 定降低四日市工廠的產(chǎn)量。” 東芝在四日市有兩家300毫米晶圓工廠以及兩家200毫米晶圓工廠。300毫米晶圓廠將停工
- 關(guān)鍵字: NAND
半導(dǎo)體巨頭推動(dòng)工藝研發(fā) 三個(gè)陣營(yíng)角力
- 國(guó)務(wù)院發(fā)展研究中心國(guó)際技術(shù)經(jīng)濟(jì)所研究員吳康迪 遵循“摩爾定律”的指引,全球半導(dǎo)體巨頭正邁向32納米工藝;不過,其研發(fā)策略卻各不相同。 全球32納米芯片微細(xì)技術(shù)開發(fā)主要有3個(gè)陣營(yíng),參加單位數(shù)目最多的是IBM陣營(yíng),其次是英特爾公司,第三是日本公司,此外還有中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的臺(tái)積電、歐洲比利時(shí)微電子中心IMEC等。 英特爾技術(shù)業(yè)界領(lǐng)先 2007年9月,英特爾公司領(lǐng)先業(yè)界在“開發(fā)者論壇”首次展出了32納米工藝的測(cè)試
- 關(guān)鍵字: 32納米 英特爾 NAND
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