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NAND Flash需求急凍 模組廠瀕臨警戒線

  • 　　全球NANDFlash市場需求在5月進(jìn)入冰河期，不僅快閃記憶卡和隨身碟應(yīng)用需求大幅降溫，甚至傳出平板電腦及智慧型手機大廠亦出現(xiàn)砍單情況，記憶體零售和系統(tǒng)端需求明顯降溫，市場五窮六絕跡象顯現(xiàn)，使得記憶體模組廠營收恐再次探底，部分廠商傳出力守2月營收低點的警戒線。不過，以毛利率角度來看，由于NANDFlash價格并沒有出現(xiàn)急跌，因此，模組廠5月毛利率仍可暫時守穩(wěn)在水準(zhǔn)之上。
  • 關(guān)鍵字： NAND  DRAM  

基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設(shè)計

  • 基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設(shè)計,摘要：介紹了一種最新DDR NAND閃存技術(shù)，它突破了傳統(tǒng)NAND Flash 50 MHz的讀寫頻率限制，提供更好的讀寫速度，以適應(yīng)高清播放和高清監(jiān)控等高存儲要求的應(yīng)用。分析該新型閃存軟硬件接口的設(shè)計方法。
    關(guān)鍵詞：DDR NAN
  • 關(guān)鍵字： 嵌入式  接口  設(shè)計  高性能  閃存  DDR  NAND  基于  

基于NAND FLASH的高速大容量存儲系統(tǒng)設(shè)計

  • 摘要：為了解決目前記錄系統(tǒng)容量小、存儲速度低的問題，采用性能優(yōu)良的固態(tài)NAND型FLASH為存儲介質(zhì)，大規(guī)模集成電路FPGA為控制核心，通過使用并行處理技術(shù)和流水線技術(shù)實現(xiàn)了多片低速FLASH時高速數(shù)據(jù)的存儲，提高了整
  • 關(guān)鍵字： FLASH  NAND  大容量  存儲    

存儲器思謀發(fā)展

  • 　　存儲器是隨著計算機而發(fā)展起來的一種專用電子部件，用于保存數(shù)據(jù)和程序，傳統(tǒng)上計算機的主存儲器稱Memory，外部設(shè)備用存儲器稱Storage(常用磁盤、磁帶)。上世紀(jì)50年代中期，主存曾用磁芯存儲器，60年代中期以來，半導(dǎo)體存儲器開始取代磁芯存儲器。隨著時間的前進(jìn)，存儲器獲得了長足的發(fā)展。 　　
  • 關(guān)鍵字： 存儲器  NAND  201105  

Gartner認(rèn)為SSD將在明年成為市場主流

  • 　　數(shù)年來固態(tài)硬盤正在變得越來越便宜和可靠，但相比大容量的硬盤而言，這種產(chǎn)品在容量和價格比上依然顯得有些奢侈，例如40GB的Intel SSD相當(dāng)于1TB的西部數(shù)據(jù)硬盤的價格。盡管如此，Gartner依然對SSD市場的前景十分看好，并認(rèn)為到2012年下半年，固態(tài)硬盤將成為市場的主流，并預(yù)期到時候的價格將會下降到每1美元1GB，這意味著主流的SSD價格將下調(diào)到100美元以下，例如64GB64美元，從而開始被大眾接受。
  • 關(guān)鍵字： NAND  SSD  

NAND FLASH在儲存測試系統(tǒng)中的應(yīng)用

  • 0 引言　　計算機技術(shù)的高速發(fā)展，存儲系統(tǒng)容量從過去的幾KB存儲空間，到現(xiàn)在的T8；乃至不久的將來要達(dá)到的PB存儲空間，其數(shù)據(jù)存取的能力在飛速擴展。隨之而來產(chǎn)生的SCSI、FC、SAN、iSCSI、IPStorage和數(shù)據(jù)生命周期管
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三星量產(chǎn)新型NAND閃存芯片

  • 　　5月13日消息，據(jù)國外媒體報道，全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周四稱，它已經(jīng)開始大批量生產(chǎn)新的NAND閃存芯片。這種閃存芯片傳送速度的速度比目前市場上的任何其它NAND閃存芯片都要快。 　　
  • 關(guān)鍵字： 三星  NAND  

NAND Flash大廠積極制程轉(zhuǎn)換

  • 　　2011年全球NAND Flash中，全球三星電子(Samsung Electronics)仍是位居全球NAND Flash市場龍頭，市占率高達(dá)36.2%，緊追在后的是東芝(Toshiba)，市占率達(dá)35.1%，兩者合計掌握70%以上NAND Flash市場;根據(jù)市調(diào)機構(gòu)TrendForce最新統(tǒng)計，2011年第1季NAND Flash品牌供應(yīng)商的位元出貨量為13%，營收成長9.9%，達(dá)53.63億美元。 　　2011年第1季全球NAND Flash市場變化相當(dāng)多，最大影響當(dāng)屬日本311東北強震，對
  • 關(guān)鍵字： 三星電子  NAND  

三星與海力士提升NAND Flash芯片產(chǎn)量

  • 　　據(jù)了解，由于智能型手機(Smartphone)和平板計算機(Tablet PC)需求暴增，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產(chǎn)量。 　　
  • 關(guān)鍵字： 三星  NAND Flash  

三星、海力士擴大NAND Flash投資

  • 　　由于智能型手機(Smartphone)和平板計算機(Tablet PC)需求暴增，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產(chǎn)量。 　　
  • 關(guān)鍵字： 三星  NAND  移動設(shè)備  

美光：未來NAND Flash不求市占率但求低成本

  • 　　由于智能型手機等行動裝置應(yīng)用驅(qū)動NANDFlash需求成長，加上日本強震造成東芝(Toshiba)5、6月NAND Flash供貨銳減50%，美光(Micron)看好NANDFlash產(chǎn)業(yè)將持續(xù)供不應(yīng)求，除與英特爾(Intel)合資新加坡廠取得多數(shù)股權(quán)和產(chǎn)能，未來不排除再擴大NAND Flash產(chǎn)能，可行方案包括釋出代工權(quán)給華亞科生產(chǎn)，或是啟動新加坡二廠。美光指出，未來NAND Flash策略不追求市占第1，但要做到成本最低。 　　
  • 關(guān)鍵字： 美光  NAND  

4月上旬閃存芯片價格創(chuàng)7個月新高

  • 　　據(jù)韓國媒體報道，內(nèi)存調(diào)研公司集邦科技發(fā)布最新研究數(shù)據(jù)，今年四月上旬NAND閃存芯片價格創(chuàng)下了7個月以來的新高水平，一定程度上反映了繼上月日本地震海嘯災(zāi)害中斷相關(guān)供應(yīng)鏈后芯片價格的總體情況。 　
  • 關(guān)鍵字： 閃存  NAND  

東芝將量產(chǎn)19nm工藝64Gbit NAND

  • 　　東芝宣布其開發(fā)出了“全球首款”(該公司)采用19nm工藝的64Gbit NAND型閃存。將從2011年4月底開始樣品供貨，2011年第三季度(2011年7～9月)開始量產(chǎn)。此次開發(fā)的64Gbit NAND芯片是2bit/單元產(chǎn)品，還計劃推出3bit/單元產(chǎn)品和1bit/單元產(chǎn)品。不過，這些產(chǎn)品的上市時間目前“尚未確定”(東芝)。 　
  • 關(guān)鍵字： 東芝  NAND  

NAND Flash嵌入式存儲系統(tǒng)結(jié)構(gòu)分析

  • NAND Flash嵌入式存儲系統(tǒng)結(jié)構(gòu)分析,　本文是以Samsung的NAND Flash K9F2808U0C作為存儲芯片，設(shè)計了一種在NFTL上實現(xiàn)壞塊管理并且實現(xiàn)連續(xù)數(shù)據(jù)讀取的方法。
  • 關(guān)鍵字： 結(jié)構(gòu)  分析  系統(tǒng)  存儲  Flash  嵌入式  NAND  

東芝Sandisk搭檔組推出19nm制程NAND閃存芯片

  • 　　上周，Intel和鎂光發(fā)表聯(lián)合聲明，正式推出采用20nm制程技術(shù)制造的NAND閃存芯片產(chǎn)品，并稱這款產(chǎn)品將于年內(nèi)在IMFT屬下的工廠開始生產(chǎn)。不過兩家的頭名板凳還沒有坐熱，本周Sandisk和東芝組成的搭檔組合便重新奪回了NAND閃存制程技術(shù)的寶座，他們宣稱已經(jīng)制造出了采用19nm制程技術(shù)的NAND閃存芯片，目前這兩家公司在日本設(shè)有一家合資芯片制造公司。　
  • 關(guān)鍵字： 東芝  NAND  
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