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DRAM 內(nèi)存加速降價(jià)，6 月報(bào)價(jià)環(huán)比下跌 10% 創(chuàng) 1 年半新低

IT之家 7 月 18 日消息，日經(jīng)新聞表示，半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片之一的 DRAM 正在加速降價(jià)，作為上代產(chǎn)品的 DDR3 型的 4GB 內(nèi)存連續(xù) 2 個(gè)月下跌。指標(biāo)產(chǎn)品的 6 月大單優(yōu)惠價(jià)環(huán)比下跌 1 成，創(chuàng)出 1 年半以來新低。從作為指標(biāo)的 8GB DDR4 內(nèi)存來看，6 月報(bào)價(jià)約 2.7 美元每個(gè)，環(huán)比下跌 0.3 美元（10％），而容量較小的 4GB 內(nèi)存約為 2.18 美元 / 個(gè)，環(huán)比下跌 10％，同比下跌 32％，處于 2020 年 12 月以來的最低水平。分析師認(rèn)為，PC 和智能手機(jī)的
關(guān)鍵字： DRAM 市場(chǎng)

供需雙方均出現(xiàn)波動(dòng)，二季度全球PC出貨量下降15.3%

根據(jù)國(guó)際數(shù)據(jù)公司（IDC）全球季度個(gè)人計(jì)算設(shè)備跟蹤的初步結(jié)果，2022年第二季度全球傳統(tǒng)PC出貨量同比下降15.3%，共計(jì)7,130萬(wàn)臺(tái)。由于中國(guó)的疫情反復(fù)和宏觀環(huán)境持續(xù)處于經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)，導(dǎo)致進(jìn)一步影響到供應(yīng)和物流，這一下降比預(yù)期更為嚴(yán)重。這是繼兩年增長(zhǎng)后，連續(xù)第二個(gè)季度出貨量下降。IDC全球移動(dòng)設(shè)備跟蹤研究經(jīng)理Jitesh Ubrani表示：“對(duì)經(jīng)濟(jì)衰退的擔(dān)憂繼續(xù)加劇，并削弱了各細(xì)分市場(chǎng)的需求。隨著消費(fèi)者對(duì)消費(fèi)變得更加謹(jǐn)慎，并再次習(xí)慣于跨設(shè)備類型（如手機(jī)和平板電腦）進(jìn)行使用，消費(fèi)者對(duì)個(gè)人電腦的需求在短期內(nèi)有
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DRAM能否成為半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)測(cè)晴雨表？

　　在今年Gartner的半導(dǎo)體市場(chǎng)分析報(bào)告中指出，從歷史角度來看，存儲(chǔ)市場(chǎng)一直規(guī)律的處于2~3年的周期波動(dòng)中。2021年DRAM市場(chǎng)存在一個(gè)供不應(yīng)求的情況，使得價(jià)格上漲，但在2022年下半年會(huì)恢復(fù)并且進(jìn)入供過于求的周期，這個(gè)周期會(huì)導(dǎo)致存儲(chǔ)市場(chǎng)價(jià)格的整體下滑。下面我們來具體分析都存在哪些因素導(dǎo)致DRAM的周期波動(dòng)。1.地緣問題導(dǎo)致消費(fèi)市場(chǎng)向下修正　　俄烏戰(zhàn)爭(zhēng)打破歐洲和平局面，導(dǎo)致能源價(jià)格大幅提升，整體社會(huì)的消費(fèi)水平降低，企業(yè)和消費(fèi)者會(huì)減少很多不必要的開支。早在4月底，美國(guó)商務(wù)部公布的數(shù)據(jù)顯示，美國(guó)一季度G
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潛力無(wú)限的汽車存儲(chǔ)芯片

　　隨著智能化、電動(dòng)化浪潮的推進(jìn)，汽車芯片的含量成倍提升，電動(dòng)車半導(dǎo)體含量約為燃油車2倍，智能車為8-10倍。需求增量端2020年全球約需要439億顆汽車芯片，2035年增長(zhǎng)為1285億顆。價(jià)值增量端，2020年汽車芯片價(jià)值量為339億美元，2035年為893億美元。可見芯片將成為汽車新利潤(rùn)增長(zhǎng)點(diǎn)，有望成為引領(lǐng)半導(dǎo)體發(fā)展新驅(qū)動(dòng)力?！　∑囆酒瑥膽?yīng)用環(huán)節(jié)可以分為5類：主控芯片、存儲(chǔ)芯片、功率芯片、模擬芯片、傳感器芯片等，以存儲(chǔ)芯片為例，2022年全球汽車存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模約52億美元，國(guó)內(nèi)汽車存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模
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美光面向數(shù)據(jù)中心客戶推出 DDR5 服務(wù)器 DRAM，推動(dòng)下一代服務(wù)器平臺(tái)發(fā)展

關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)：● 隨著 CPU 內(nèi)核數(shù)量不斷增加，改進(jìn)后的內(nèi)存架構(gòu)相比 DDR4[1] 可將帶寬提高近一倍，進(jìn)而提高效率● JEDEC 速度提高至 4800MT/s[2]，比 DDR4 快 1.5 倍[3]● 得益于高達(dá) 64GB 的模組容量，能夠支持內(nèi)存密集型工作負(fù)載[4]● DDR5 的創(chuàng)新架構(gòu)改進(jìn)和模組內(nèi)建電源管理功能，有助于優(yōu)化系統(tǒng)整體運(yùn)行性能內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）今日宣布
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中國(guó)DRAM和NAND存儲(chǔ)技術(shù)和產(chǎn)業(yè)能趕超韓國(guó)嗎?

近日，韓國(guó)進(jìn)出口銀行海外經(jīng)濟(jì)研究所（OERI）推算，韓國(guó)和中國(guó)在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的技術(shù)差距為：DRAM的差距約為 5年，NAND 的差距約為2年。該研究院分析，中國(guó)DRAM制造企業(yè)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)2022年將推進(jìn)第二代10nm（1y或16nm至17nm）DRAM的量產(chǎn)。三星電子等韓國(guó)企業(yè)計(jì)劃在今年年末或明年批量生產(chǎn)第5代10nm(1b或12nm-13nm）DRAM?？紤]到每一代的技術(shù)差距為2年-2年半，兩國(guó)之間的技術(shù)差距超過5年。據(jù)該研究院推測(cè)，在NAND閃存領(lǐng)域，中國(guó)與韓國(guó)的技術(shù)差距約為2年。中國(guó)存儲(chǔ)芯片企業(yè)長(zhǎng)江存
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中國(guó)SSD行業(yè)企業(yè)勢(shì)力全景圖

全球范圍看，2021-2023年存儲(chǔ)芯片的市場(chǎng)規(guī)模將分別達(dá)到1552億美元、1804億美元及2196億美元，增幅分別達(dá)到22.5%、16.2%和21.7%。其中，2021年DRAM市場(chǎng)規(guī)模約占56%，NAND Flash市場(chǎng)規(guī)模約占41%（IC Insights數(shù)據(jù)）。另外，根據(jù)CFM 閃存市場(chǎng)預(yù)計(jì)，2021年全球存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)1620億美元，增長(zhǎng)29%，其中DRAM為945億美元，NAND Flash為675億美元。這兩個(gè)調(diào)研機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)相近，相差100億美元。目前，全球儲(chǔ)存芯片市場(chǎng)主要被韓國(guó)、歐美以及
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2022半導(dǎo)體儲(chǔ)存器市場(chǎng)調(diào)研半導(dǎo)體儲(chǔ)存器行業(yè)前景及現(xiàn)狀分析

　　國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體儲(chǔ)存器行業(yè)市場(chǎng)前景及現(xiàn)狀如何?半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)是全球集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模最大的分支：半導(dǎo)體行業(yè)分為集成電路、光電器件、分立器件、傳感器等子行業(yè)，根據(jù)功能的不同，集成電路又可以分為存儲(chǔ)器、邏輯電路、模擬電路、微處理器等細(xì)分領(lǐng)域。2022半導(dǎo)體儲(chǔ)存器市場(chǎng)調(diào)研半導(dǎo)體儲(chǔ)存器行業(yè)前景及現(xiàn)狀分析　　國(guó)內(nèi)開始布局存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)規(guī)模化，中國(guó)大陸的存儲(chǔ)器公司陸續(xù)成立，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)也取得明顯的進(jìn)展。在半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化的大趨勢(shì)下，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器行業(yè)有望迎來新的發(fā)展和機(jī)遇?！　“雽?dǎo)體儲(chǔ)存器行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈下游涵蓋智能手機(jī)、平板電腦、計(jì)算機(jī)、網(wǎng)
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TrendForce：DRAM原廠降價(jià)意愿提高第三季跌至近10%

根據(jù)TrendForce最新研究顯示，盡管今年上半年的整體消費(fèi)性需求快速轉(zhuǎn)弱，但先前DRAM原廠議價(jià)強(qiáng)勢(shì)，并未出現(xiàn)降價(jià)求售跡象，使得庫(kù)存壓力逐漸由買方堆棧至賣方端。在下半年旺季需求展望不明的狀態(tài)下，部分DRAM供貨商已開始有較明確的降價(jià)意圖，尤其發(fā)生在需求相對(duì)穩(wěn)健的服務(wù)器領(lǐng)域以求去化庫(kù)存壓力，此情況將使第三季DRAM價(jià)格由原先的季跌3至8%，擴(kuò)大至近10%，若后續(xù)引發(fā)原廠競(jìng)相降價(jià)求售的狀況，跌幅恐超越一成。PC OEM仍處于連續(xù)性下修出貨展望，且綜觀各家DRAM庫(kù)存水位平均超過兩個(gè)月以上，除非有極大的價(jià)格
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國(guó)產(chǎn)首個(gè)電腦系統(tǒng)正式發(fā)布 “開放麒麟”交付

今天一早國(guó)產(chǎn)首個(gè)桌面操作系統(tǒng)正式發(fā)布，最終命名為“openKylin（開放麒麟）”將進(jìn)一步推動(dòng)國(guó)產(chǎn)操作系統(tǒng)的發(fā)展，而目前該系統(tǒng)已經(jīng)陸續(xù)交付給PC、筆記本廠商，目前已經(jīng)有新產(chǎn)品即將上市。作為開發(fā)者的麒麟軟件表示，openKylin社區(qū)將充分利用其數(shù)十年的操作系統(tǒng)研發(fā)成果，中標(biāo)麒麟、銀河麒麟就是由中國(guó)麒麟軟件有限公司基于Linux開發(fā)的操作系統(tǒng)，目前國(guó)產(chǎn)系統(tǒng)基本已經(jīng)能夠適配手機(jī)、筆記本、電腦以及眾多的電子設(shè)備。
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TrendForce：第三季DRAM價(jià)格預(yù)估下跌3～8％

據(jù)TrendForce研究，盡管有旺季效應(yīng)和DDR5滲透率提升的支撐，第三季DRAM市場(chǎng)仍不敵俄烏戰(zhàn)事、高通膨?qū)е孪M(fèi)性電子需求疲弱的負(fù)面影響，進(jìn)而使得整體DRAM庫(kù)存上升，成為第三季DRAM價(jià)格下跌3～8％的主因，且不排除部分產(chǎn)品別如PC與智能型手機(jī)領(lǐng)域恐出現(xiàn)超過8％的跌幅。PC DRAM方面，在需求持續(xù)走弱情況下，引發(fā)PC OEMs下修整年出貨目標(biāo)，同時(shí)也造成DRAM庫(kù)存快速飆升，第三季PC OEMs仍將著重在調(diào)整與去化DRAM庫(kù)存，采購(gòu)力道尚難回溫。同時(shí)，由于整體DRAM產(chǎn)業(yè)仍處于供過于求，因此即便
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“618” PC換機(jī)好時(shí)機(jī)，助力混合辦公

隨著京滬等地疫情形勢(shì)得到控制，2022年電商行業(yè)年中大促——“618購(gòu)物節(jié)”伴隨著復(fù)工、復(fù)產(chǎn)的腳步正式拉開帷幕。本次618的開啟不僅極大程度地助力了疫后的消費(fèi)重啟，同時(shí)也承載著各大電商平臺(tái)以及商家的期待。進(jìn)入2020年以來，疫情的反復(fù)促使居家辦公、線上會(huì)議等混合辦公的場(chǎng)景成為當(dāng)下流行趨勢(shì)，而混合辦公所需的終端產(chǎn)品也逐漸受到大家的關(guān)注，成為當(dāng)下電商平臺(tái)的主流產(chǎn)品。近年來大火的直播電商，也慢慢發(fā)生著一些微妙的改變, “店鋪直播” 開始慢慢取代頭部流量主播成為帶貨主力?；旌限k公促進(jìn)終端產(chǎn)品碎片化進(jìn)入2022年，
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SK海力士將向英偉達(dá)供應(yīng)業(yè)界首款HBM3 DRAM

SK海力士宣布公司開始量產(chǎn) HBM3 -- 擁有當(dāng)前業(yè)界最佳性能的 DRAM。擁有當(dāng)前業(yè)界最佳性能的 HBM3 DRAM 內(nèi)存芯片，從開發(fā)成功到量產(chǎn)僅用七個(gè)月HBM3將與NVIDIA H100 Tensor Core GPU搭配，以實(shí)現(xiàn)加速計(jì)算（accelerated computing）SK海力士旨在進(jìn)一步鞏固公司在高端 DRAM 市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位* HBM (High Bandwidth Memory，高帶寬存儲(chǔ)器)：是由垂直堆疊在一起的 DRAM 芯片組合而成的高價(jià)值、高性能內(nèi)存
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3D DRAM技術(shù)是DRAM的的未來嗎？

5月25日，有消息傳出，華為將在VLSI Symposium 2022期間發(fā)表其與中科院微電子研究所合作開發(fā)的 3D DRAM 技術(shù)。隨著“摩爾定律”走向極限，DRAM芯片工藝提升將愈發(fā)困難。3D DRAM就成了各大存儲(chǔ)廠商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前，DRAM芯片最先進(jìn)的工藝是10nm。據(jù)公開資料顯示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產(chǎn)品的量產(chǎn)。那么，10nm是DRAM工藝的極限嗎？在回答這個(gè)問題之前，我
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利基型DRAM持續(xù)擴(kuò)產(chǎn) 華邦電搶攻AIoT、元宇宙

內(nèi)存大廠華邦電日前宣布擴(kuò)大利基型DDR3產(chǎn)出，爭(zhēng)取韓系DRAM廠退出后的市占率，推升營(yíng)收及獲利續(xù)創(chuàng)新高。華邦電自行開發(fā)的20奈米DRAM制程，將于明年導(dǎo)入至高雄廠量產(chǎn)，為長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展奠定良好的基礎(chǔ)與成長(zhǎng)動(dòng)能，同時(shí)滿足5G基地臺(tái)、人工智能物聯(lián)網(wǎng)（AIoT）、電動(dòng)車及車用電子、元宇宙等產(chǎn)業(yè)大趨勢(shì)強(qiáng)勁需求。華邦電第一季迎來利基型DRAM價(jià)格回升，SLC NAND及NOR Flash價(jià)格回穩(wěn)，季度營(yíng)收265.14億元為歷史次高，歸屬母公司稅后凈利年增近1.9倍達(dá)45.59億元并創(chuàng)下歷史新高，每股凈利1.15元優(yōu)于預(yù)期
關(guān)鍵字： DRAM 華邦電 AIoT 元宇宙