pc dram 文章進(jìn)入pc dram技術(shù)社區(qū)

三星推出512GB 內(nèi)存擴(kuò)展器CXL DRAM

2022年5月10日，作為先進(jìn)內(nèi)存技術(shù)的廠商，三星宣布開發(fā)出三星首款512 GB 內(nèi)存擴(kuò)展器（CXL，Compute Express Link） DRAM，朝CXL的商業(yè)化邁出了重要一步，CXL將在IT系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高的內(nèi)存容量且更低的延遲。三星半導(dǎo)體512GB 內(nèi)存擴(kuò)展器 CXL DRAM與以往版本相比，新開發(fā)的CXL內(nèi)存容量為其4倍，從而讓服務(wù)器擴(kuò)展至數(shù)十TB，而系統(tǒng)延遲僅為其五分之一三星還將推出其開源軟件工具包的升級版本，以推動(dòng)CXL內(nèi)存在現(xiàn)有和新興IT系統(tǒng)中的部署自2021年5月推出三星首款配備
關(guān)鍵字：三星內(nèi)存擴(kuò)展器 CXL DRAM

英特爾推動(dòng)PC行業(yè)可持續(xù)發(fā)展，攜手合作伙伴減少碳排放

英特爾最近宣布了推動(dòng)實(shí)現(xiàn)溫室氣體凈零排放的愿景，并設(shè)定了促進(jìn)科技行業(yè)減少碳足跡的新目標(biāo)。為支持這一愿景，臺(tái)式機(jī)、工作站和游戲(DWG)部門將持續(xù)改進(jìn)產(chǎn)品和平臺(tái)的性能與效率，幫助合作伙伴和客戶降低系統(tǒng)總體碳足跡。近日，英特爾臺(tái)式機(jī)和工作站可持續(xù)發(fā)展技術(shù)專家Kathleen Fiehrer撰文，闡述英特爾的可持續(xù)發(fā)展承諾及相應(yīng)舉措。DWG當(dāng)前正在努力降低臺(tái)式機(jī)、塔式工作站等固定式產(chǎn)品的碳足跡，這項(xiàng)工作頗為不易。碳足跡模型顯示，筆記本電腦系統(tǒng)的排放主要來自制造階段，服務(wù)器排放則主要來自運(yùn)營階段。然而，固定式產(chǎn)品
關(guān)鍵字：英特爾 PC 碳排放

未來PC和數(shù)據(jù)中心處理器將基于移動(dòng)設(shè)計(jì)原則

多年來，移動(dòng)處理器的生產(chǎn)商致力于優(yōu)化設(shè)計(jì)，以在有限的功耗預(yù)算、存儲(chǔ)空間和帶寬范圍內(nèi)獲得最佳性能。過去，顯然這些考量因素在數(shù)據(jù)中心或個(gè)人電腦（PC）等市場并未得到重視。如今，傳統(tǒng)數(shù)據(jù)中心和PC市場的變革正在悄然發(fā)生——改變處理器設(shè)計(jì)規(guī)則，讓開發(fā)人員重新考慮其芯片架構(gòu)以獲得更高的性能功耗比。移動(dòng)處理器設(shè)計(jì)原則運(yùn)用于PC和數(shù)據(jù)中心今天，越來越多的云游戲、數(shù)據(jù)挖掘、人工智能/數(shù)據(jù)分析和高性能計(jì)算均在云端實(shí)現(xiàn)。雖然這些應(yīng)用的要求各不相同，但在不斷提高計(jì)算量的要求方面如出一轍。數(shù)據(jù)中心無法通過不斷擴(kuò)大物理占地面積來滿
關(guān)鍵字：數(shù)據(jù)中心 PC 處理器設(shè)計(jì)

第二季度DRAM跌幅估縮小

根據(jù)市調(diào)預(yù)估，第二季整體DRAM平均價(jià)格跌幅約0～5％，跌幅相較上季已明顯縮小。由于買賣雙方庫存略偏高，再加上需求面如筆電、智能型手機(jī)等受近期俄烏戰(zhàn)事和高通膨影響，進(jìn)而削弱消費(fèi)者購買力道，目前僅服務(wù)器為主要支撐內(nèi)存需求來源，故整體第二季DRAM仍有供過于求情形。在標(biāo)準(zhǔn)型PC DRAM方面，受俄烏戰(zhàn)爭影響，引發(fā)PC OEM對第二季的訂單采保守備貨策略，且可能持續(xù)影響下半年旺季訂單情形，進(jìn)而下修今年的出貨目標(biāo)，然而整體供給位卻仍在增長，故第二季PC DRAM價(jià)格跌幅達(dá)3～8％，且可能會(huì)進(jìn)一步惡化。在服務(wù)器DR
關(guān)鍵字： DRAM 集幫咨詢

三星LPDDR5X DRAM已在高通驍龍移動(dòng)平臺(tái)上驗(yàn)證使用

今日三星宣布，高通技術(shù)公司(Qualcomm Technologies, Inc.)已經(jīng)驗(yàn)證了三星14納米(nm) 16Gb低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率5X (LPDDR5X) DRAM，并應(yīng)用于高通技術(shù)公司的驍龍(Snapdragon?)移動(dòng)平臺(tái)。自去年11月開發(fā)出三星首款基于14nm的LPDDR5X DRAM以來，三星與高通技術(shù)公司密切合作，優(yōu)化7.5千兆比特每秒(Gbps)的LPDDR5X，用于驍龍移動(dòng)平臺(tái)。LPDDR5X的速度比目前高端智能手機(jī)上的LPDDR5 (6.4Gbps)快約1.2倍，有
關(guān)鍵字：三星 LPDDR5X DRAM 高通驍龍

從實(shí)用角度聊聊 Wintel為何還是勝過蘋果一籌

大家可以試著考慮一個(gè)問題，如果從實(shí)用性角度來看，英特爾11代酷睿+Windows 11是否更勝蘋果M1+MacOS一籌呢？對于我個(gè)人以及身邊不少朋友來說確實(shí)如此。無論是在兼容性、易用性，還是在拓展性、泛用性方面，基于英特爾11代酷睿+Windows 11的電腦都更容易上手，使用起來也無需擔(dān)心兼容性問題。作為一名11代酷睿+Windows和蘋果M1+MacOS雙修的打工人，我個(gè)人對此深有感觸。而如果你正在為此事而煩惱、正在為選擇哪個(gè)陣營而糾結(jié)，那么不妨來看看這篇文章。筆者現(xiàn)在自用的筆記本電腦有兩臺(tái)，
關(guān)鍵字： Wintel 蘋果 PC

英特爾發(fā)布新PC芯片預(yù)期研發(fā)的超算速度將翻倍

　　10月28日消息，據(jù)外媒報(bào)道，美國當(dāng)?shù)貢r(shí)間周三，芯片巨頭英特爾發(fā)布了一款速度更快的新個(gè)人電腦（PC）處理器芯片系列，并稱其正在幫助美國政府開發(fā)的超級計(jì)算機(jī)速度將達(dá)到先前預(yù)期的兩倍?！　≡谳斀oAMD和蘋果等競爭對手后，英特爾正在努力奪回制造速度最快計(jì)算芯片的領(lǐng)先地位。蘋果和AMD都使用外包方式來制造芯片，而英特爾始終在內(nèi)部制造模式中苦苦掙扎?！　≡谥荚谡f服軟件開發(fā)商為其芯片編寫代碼的活動(dòng)上，英特爾展示了其用于PC的第12代英特爾酷睿芯片，代號為“奧爾德湖”(Alder Lake)。該公司表示，該產(chǎn)品線最
關(guān)鍵字：英特爾 PC 芯片

微結(jié)構(gòu)不均勻性（負(fù)載效應(yīng)）及其對器件性能的影響：對先進(jìn)DRAM工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究

隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負(fù)載效應(yīng)正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對于先進(jìn)的DRAM，晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。在DRAM結(jié)構(gòu)中，電容存儲(chǔ)單元的充放電過程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負(fù)載效應(yīng)正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對于先進(jìn)的DRAM，晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。在本研究中，我們將為大家呈現(xiàn)，如何利用SEMulator3D研究先進(jìn)DR
關(guān)鍵字： DRAM 微結(jié)構(gòu)

美光確認(rèn)EUV工藝DRAM 2024年量產(chǎn)：1γ節(jié)點(diǎn)導(dǎo)入

三星、SK海力士及美光確定未來會(huì)用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內(nèi)存在2024年量產(chǎn)。芯研所8月21日消息，CPU、GPU為代表的邏輯工藝制程進(jìn)入7nm之后，EUV光刻工藝不可或缺。目前內(nèi)存停留在10nm工藝級別。三星、SK海力士及美光也確定未來會(huì)用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內(nèi)存在2024年量產(chǎn)。美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采訪中確認(rèn)，美光已將EUV技術(shù)納入DRAM技術(shù)藍(lán)圖，將由10nm世代中的1γ（gamma）工藝節(jié)點(diǎn)開始導(dǎo)入。美光EUV工藝DRAM將會(huì)先在臺(tái)中A3廠生產(chǎn)，預(yù)
關(guān)鍵字：美光 EUV DRAM

TrendForce：第四季PC DRAM合約價(jià)將轉(zhuǎn)跌0~5%

根據(jù)TrendForce調(diào)查，第三季PC DRAM合約價(jià)格的議定大致完成，受惠于DRAM供貨商的庫存量偏低以及旺季效應(yīng)，本季合約價(jià)調(diào)漲3~8%，但相較第二季25%的漲幅已大幅收斂。然約自七月初起，DRAM現(xiàn)貨市場已提前出現(xiàn)PC DRAM需求疲弱的態(tài)勢。賣方積極調(diào)節(jié)手上庫存，持續(xù)降價(jià)求售。合約市場方面，先前PC OEMs因擔(dān)憂長短料問題而大量備料，使DRAM庫存已達(dá)高水位，庫存迭高問題成為漲價(jià)的阻力，再加上歐美逐步解封可能使筆電需求降低，進(jìn)而拉低PC DRAM的總需求量。因此，預(yù)估PC DRAM合約價(jià)于第四
關(guān)鍵字： TrendForce PC DRAM

三星將在不久后開始生產(chǎn)768GB DDR5內(nèi)存條

　　三星電子昨天公布了其2021年第二季度的收益。該公司整體表現(xiàn)良好，其內(nèi)存業(yè)務(wù)也不例外。該公司預(yù)計(jì)該部門將持續(xù)增長，尤其是針對高端服務(wù)器和高性能計(jì)算（HPC）市場的DRAM產(chǎn)品。這就是為什么三星一直在推動(dòng)其用于此類用途的高密度內(nèi)存模塊，該公司最近發(fā)布了業(yè)界首個(gè)512GB DDR5 DRAM模塊，從任何角度看都是一個(gè)真正的高容量解決方案?！　〉聦?shí)證明，這家韓國巨頭可能還不滿足，因?yàn)樗?jì)劃在不久的將來的某個(gè)時(shí)候更進(jìn)一步，生產(chǎn)768GB DDR5模塊，也就是使用24Gb DRAM芯片。這可以從該公司的財(cái)報(bào)電
關(guān)鍵字：三星內(nèi)存 DRAM DDR5

EUV技術(shù)開啟DRAM市場新賽程

SK海力士公司在7月12日表示，本月已經(jīng)開始生產(chǎn)10納米8Gb LPDDR4移動(dòng)DRAM —— 他們將在該內(nèi)存芯片生產(chǎn)中應(yīng)用極紫外（EUV）工藝，這是SK海力士首次在其DRAM生產(chǎn)中應(yīng)用EUV。根據(jù)SK海力士的說法，比起前一代規(guī)格的產(chǎn)品，第四代在一片晶圓上產(chǎn)出的DRAM數(shù)量增加了約25%，成本競爭力很高。新的芯片將在今年下半年開始供應(yīng)給智能手機(jī)制造商，并且還將在2022年初開始生產(chǎn)的DDR5芯片中應(yīng)用10納米EUV。世界第三大DRAM制造商SK海力士發(fā)布聲明，正式啟用EUV光刻機(jī)閃存內(nèi)存芯片，批量生產(chǎn)采用
關(guān)鍵字： EUV DRAM

SK海力士開始量產(chǎn)采用EUV技術(shù)的第四代10納米級DRAM

SK海力士宣布已于7月初開始量產(chǎn)適用第四代10納米（1a）級工藝的?8Gigabit（Gb）?*LPDDR4 移動(dòng)端DRAM產(chǎn)品。* LPDDR4 (Low Power Double Data Rate 4) – 專為移動(dòng)終端開發(fā)的低功耗DRAM規(guī)格?！癉DR” 為電子工程設(shè)計(jì)發(fā)展聯(lián)合協(xié)會(huì)(Joint Electron Device Engineering Council，簡稱JEDEC)規(guī)定的DRAM規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)名稱，DDR1-2-3-4為其順序進(jìn)行換代。?圖1.
關(guān)鍵字： SK海力士 10納米 DRAM

擁抱開放的英特爾讓PC行業(yè)再次越過創(chuàng)新鴻溝

2021年6月24日晚11點(diǎn)，微軟正式發(fā)布了Windows 11操作系統(tǒng)。相比全新的UI設(shè)計(jì)、各項(xiàng)新特性、新功能的加入，帶給我們更大驚喜的，是Windows 11系統(tǒng)打通了跨平臺(tái)壁壘，可以直接使用安卓應(yīng)用，這或許會(huì)改變我們使用PC和手機(jī)的方式。而Windows 11之所以能夠?qū)崿F(xiàn)對安卓應(yīng)用的支持，則要?dú)w功于背后的英特爾Bridge技術(shù)，這項(xiàng)技術(shù)支持所有安裝Windows 11操作系統(tǒng)的x86設(shè)備直接使用安卓應(yīng)用。這意味著，英特爾以開放態(tài)度，將x86生態(tài)下的所有設(shè)備囊括進(jìn)來，從而徹底突破了Windo
關(guān)鍵字：英特爾 PC Windows 11

美光力推業(yè)界首款176層NAND與 1α DRAM 技術(shù)創(chuàng)新

近日，在一年一度的COMPUTEX 2021線上主題演講中，美光總裁兼首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra代表美光發(fā)布多項(xiàng)產(chǎn)品創(chuàng)新，涵蓋基于其業(yè)界領(lǐng)先的 176 層 NAND 及 1α (1-alpha) DRAM 制程的內(nèi)存和存儲(chǔ)創(chuàng)新產(chǎn)品，并推出業(yè)界首款面向汽車應(yīng)用的通用閃存 (UFS) 3.1 解決方案。這些創(chuàng)新產(chǎn)品和創(chuàng)新技術(shù)體現(xiàn)了美光通過內(nèi)存和存儲(chǔ)創(chuàng)新加速數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)洞察的愿景，從而助力數(shù)據(jù)中心和智能邊緣的創(chuàng)新，突出了內(nèi)存和存儲(chǔ)在幫助企業(yè)充分發(fā)揮數(shù)據(jù)經(jīng)濟(jì)潛能方面的核心作用。在新的數(shù)據(jù)經(jīng)濟(jì)背后，有一
關(guān)鍵字：美光 176層NAND 1α DRAM