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新型存儲(chǔ)器技術(shù)未來(lái)將主導(dǎo)存儲(chǔ)器市場(chǎng)

  •   存儲(chǔ)器主導(dǎo)著許多SoC,我們很少聽(tīng)說(shuō)某個(gè)設(shè)計(jì)包含太多的存儲(chǔ)器。然而,存儲(chǔ)器消耗了大部分的系統(tǒng)功耗,雖然這對(duì)于許多系統(tǒng)可能不是關(guān)鍵問(wèn)題,但是對(duì)于物聯(lián)網(wǎng)(IoT)邊緣設(shè)備而言,總功耗是非常重要的。   幾乎所有系統(tǒng)的存儲(chǔ)需求都在變化。雖然新的存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)器架構(gòu)已經(jīng)籌劃了很長(zhǎng)時(shí)間,但仍未被廣泛采用。然而,許多業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為臨界點(diǎn)已然將近。   過(guò)去50年中,SRAM和DRAM已經(jīng)成為存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)的主力,F(xiàn)LASH最近幾年也在加入了“戰(zhàn)場(chǎng)”。所有這些存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)在往較小的幾何結(jié)構(gòu)縮放的
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并購(gòu)ISSI獲DRAM技術(shù) 兆易創(chuàng)新前路何在?

  • 兆易創(chuàng)新借助ISSI在DRAM方面的技術(shù)是有可能實(shí)現(xiàn)一定程度的進(jìn)口替代,如果進(jìn)一步出臺(tái)政策支持存儲(chǔ)芯片的生產(chǎn)與銷售,在國(guó)內(nèi)的DRAM市場(chǎng)分到一杯羹。
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從四個(gè)方面看中國(guó)存儲(chǔ)芯片崛起的艱難

  • 考慮到中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的現(xiàn)狀,如果我們不持續(xù)投入,那又怎樣才能實(shí)現(xiàn)電子產(chǎn)業(yè)的自主可控呢?
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臺(tái)媒:大陸2025年IC自主目標(biāo)恐難達(dá)成 海外技術(shù)取得成關(guān)鍵

  •   中國(guó)大陸擁有龐大IC產(chǎn)品需求市場(chǎng),但自給自足率卻明顯偏低,必須高度仰賴海外IC產(chǎn)品進(jìn)口。為此中國(guó)國(guó)務(wù)院于2015年3月發(fā)起“2025年中國(guó)制造”(MIC 2025)計(jì)劃,目標(biāo)到了2020年達(dá)到4成的IC產(chǎn)品自給自足率目標(biāo),到了2025年更要達(dá)到7成水準(zhǔn)。不過(guò)市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights分析認(rèn)為,這項(xiàng)目標(biāo)恐難達(dá)成,而技術(shù)落差也成為現(xiàn)階段大陸IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨的最主要困境。   國(guó)家層級(jí)IC產(chǎn)業(yè)供需自給自足的迷思   根據(jù)IC Insights報(bào)導(dǎo)指出,現(xiàn)實(shí)情況下在整體IC產(chǎn)業(yè)
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國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器項(xiàng)目建設(shè)火熱 亟需制定預(yù)警機(jī)制

  •   存儲(chǔ)器產(chǎn)品主要包括DRAM內(nèi)存和FLASH閃存。從歷史發(fā)展經(jīng)驗(yàn)來(lái)看,存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)是一個(gè)周期波動(dòng)的產(chǎn)業(yè),同時(shí)也是一個(gè)高度壟斷和高風(fēng)險(xiǎn)的產(chǎn)業(yè)。2016年12月底總投資240億美元的長(zhǎng)江存儲(chǔ)國(guó)家存儲(chǔ)器基地正式開(kāi)工建設(shè),同時(shí)福建晉華和合肥長(zhǎng)芯等存儲(chǔ)器項(xiàng)目也正在積極籌備和建設(shè)當(dāng)中。在我國(guó)將發(fā)展存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)作為國(guó)家戰(zhàn)略的大背景下,考慮到存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)本身的周期波動(dòng)和不確定性,以及長(zhǎng)期大投入、高風(fēng)險(xiǎn)特性,研究認(rèn)為,盡快建立并完善行業(yè)定期監(jiān)測(cè)分析和預(yù)警機(jī)制,無(wú)論從國(guó)家層面還是從產(chǎn)業(yè)層面,都是一件非常有意義的事情。   存儲(chǔ)
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DRAM內(nèi)存價(jià)格猛漲停不下來(lái),下半年才能穩(wěn)定?

  • 從去年下半年開(kāi)始DDR3和DDR4內(nèi)存的價(jià)格都在瘋漲,這個(gè)漲勢(shì)什么時(shí)候會(huì)停呢?放心吧紅市會(huì)一直持續(xù)到今年第二季度,到了第三季度可能會(huì)穩(wěn)定下來(lái),然而這不代表價(jià)格會(huì)降低。
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DRAM強(qiáng)漲 金士頓:將缺貨一整年

  •   內(nèi)存市況今年持續(xù)看好,據(jù)SEMI半導(dǎo)體協(xié)會(huì)預(yù)估,內(nèi)存產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將成長(zhǎng)17.8%,成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)恢復(fù)強(qiáng)勁成長(zhǎng)的主要推手,不少相關(guān)業(yè)者表示,缺貨情況將再延續(xù)半年,第2季有機(jī)會(huì)呈現(xiàn)小漲走勢(shì)。   DRAM報(bào)價(jià)從2016年第4季成功終止連續(xù)下跌8季的低潮,開(kāi)始展開(kāi)強(qiáng)勁的反彈,迄今至少大漲40~50%之多。 DRAM供貨商南亞科(2408)總經(jīng)理李培瑛、封測(cè)大廠力成(6239)董事長(zhǎng)蔡篤恭口徑一致指出,至少還要再缺貨半年,內(nèi)存模塊大廠金士頓更直說(shuō),DRAM將缺貨一整年。   應(yīng)用多元需求走強(qiáng)   臺(tái)灣金士頓
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DRAM市場(chǎng)所向披靡 三星穩(wěn)坐存儲(chǔ)霸主寶座

  •   雖然現(xiàn)在三星被業(yè)界貶低,但是我們不得不承認(rèn),其地位依然很強(qiáng)勢(shì)。強(qiáng)大的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)仍是三星的后盾,這些年來(lái)三星憑借該業(yè)務(wù)獲益匪淺。三星去年遭遇手機(jī)品牌危機(jī),雖然導(dǎo)致其智能手機(jī)業(yè)務(wù)遭遇滑坡,但是元件業(yè)務(wù)的完全可以彌補(bǔ),直到現(xiàn)在三星依然是DRAM和NAND和SSD市場(chǎng)的老大,依然有價(jià)格主導(dǎo)權(quán)利。   不管是PC業(yè)務(wù)還是手機(jī)業(yè)務(wù)未來(lái)日子不好過(guò)的情況下,唯獨(dú)DRAM內(nèi)存、NAND閃存活的很滋潤(rùn)。我們看到在2016年下半年DRAM內(nèi)存開(kāi)始缺貨,甚至漲價(jià),據(jù)了解,DRAM漲價(jià)的主要推手是三星公司。眾所周知,
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NOR Flash也要漲價(jià) 元器件供應(yīng)鏈為何進(jìn)入缺貨周期?

  • 從2016年下半年開(kāi)始,包括CPU、內(nèi)存、屏幕、CMOS Sensor在內(nèi)的眾多電子元器件都進(jìn)入了缺貨周期,這樣就給終端制造商帶來(lái)了成本壓力,最終這個(gè)壓力就轉(zhuǎn)移到了消費(fèi)者身上,引起蝴蝶效應(yīng)。
  • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND   

DRAM市場(chǎng)所向披靡 三星穩(wěn)坐存儲(chǔ)霸主寶座

  •   雖然現(xiàn)在三星被業(yè)界貶低,但是我們不得不承認(rèn),其地位依然很強(qiáng)勢(shì)。強(qiáng)大的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)仍是三星的后盾,這些年來(lái)三星憑借該業(yè)務(wù)獲益匪淺。三星去年遭遇手機(jī)品牌危機(jī),雖然導(dǎo)致其智能手機(jī)業(yè)務(wù)遭遇滑坡,但是元件業(yè)務(wù)的完全可以彌補(bǔ),直到現(xiàn)在三星依然是DRAM和NAND和SSD市場(chǎng)的老大,依然有價(jià)格主導(dǎo)權(quán)利。   不管是PC業(yè)務(wù)還是手機(jī)業(yè)務(wù)未來(lái)日子不好過(guò)的情況下,唯獨(dú)DRAM內(nèi)存、NAND閃存活的很滋潤(rùn)。我們看到在2016年下半年DRAM內(nèi)存開(kāi)始缺貨,甚至漲價(jià),據(jù)了解,DRAM漲價(jià)的主要推手是三星公司。眾所周知,由于
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2020年63%智能手機(jī)采用8GB RAM

  •   智能手機(jī)屏幕放大、分辨率提高,推升高效能移動(dòng)DRAM的需求,讓三星、海力士等韓國(guó)兩大存儲(chǔ)器廠錢景一片看好。   TrendForce旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange周日發(fā)布報(bào)告預(yù)測(cè),第一季DDR雙通道存儲(chǔ)器芯片報(bào)價(jià)今年第一季有望成長(zhǎng)10-15%,為前一季3-7%的兩倍多,反映市場(chǎng)供給吃緊的程度。   智能手機(jī)功能越來(lái)越多元,高分辨率的大屏幕手機(jī)更有賴于高密度DRAM模組驅(qū)動(dòng),如此才能實(shí)現(xiàn)類似PC的“多線程工作”。據(jù)傳,三星今年推出的Galaxy S8手機(jī)其中一款
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美光預(yù)投1,300億未來(lái)規(guī)劃中科擴(kuò)廠計(jì)劃

  •   中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)經(jīng)濟(jì)部工業(yè)局昨(17)日首度證實(shí),全球DRAM大廠美光預(yù)計(jì)在臺(tái)投資新臺(tái)幣1,300億元,未來(lái)將落腳中部科學(xué)園區(qū)進(jìn)行擴(kuò)廠計(jì)劃,預(yù)計(jì)將增加逾2千個(gè)就業(yè)機(jī)會(huì)。據(jù)悉,美光鎖定中科進(jìn)行新的3D封測(cè)制程,預(yù)估2-3年可量產(chǎn),要打造成為亞太區(qū)營(yíng)運(yùn)中心。   工業(yè)局表示,去年協(xié)助美光在臺(tái)擴(kuò)大投資,總投資金額高達(dá)新臺(tái)幣1,300億元,也就美光擴(kuò)大投資所需土地、廠房、資金等提供協(xié)助,未來(lái)規(guī)劃中科擴(kuò)廠計(jì)劃,將可增加2,000個(gè)以上就業(yè)機(jī)會(huì),將臺(tái)灣塑造為高效完整的DRAM全球生產(chǎn)基地。    
  • 關(guān)鍵字: 美光  DRAM  

工序失衡!2017 DRAM內(nèi)存缺貨/漲價(jià)繼續(xù)蔓延

  •   從2016年下半年開(kāi)始,內(nèi)存、閃存的缺貨漲價(jià)勢(shì)頭開(kāi)始上揚(yáng),2017年這一局面將繼續(xù)擴(kuò)散蔓延,而且一整年都未必會(huì)有改觀。     據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道,內(nèi)存大廠金士頓近日表態(tài),今年因?yàn)橹饕腄RAM內(nèi)存大廠都沒(méi)有增產(chǎn)計(jì)劃,全年DRAM內(nèi)存都面臨缺貨窘境。此外,群聯(lián)公司董事長(zhǎng)潘建成也強(qiáng)調(diào),NAND閃存因?yàn)檫M(jìn)入3D世代,制程良率無(wú)法提升,預(yù)計(jì)將缺貨一整年。   日前,金士頓董事長(zhǎng)陳建華出席群聯(lián)竹南三廠上梁典禮時(shí),針對(duì)DRAM內(nèi)存市場(chǎng)進(jìn)行了分析,他表示,目前主要DRAM內(nèi)存大廠都沒(méi)有增產(chǎn)計(jì)劃
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為什么說(shuō)中國(guó)必須建設(shè)本土存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)

  •   在長(zhǎng)江存儲(chǔ),晉華項(xiàng)目和合肥長(zhǎng)鑫這三大存儲(chǔ)國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)基地開(kāi)建之際,有很多人曾經(jīng)質(zhì)疑過(guò)中國(guó)為什么要投入那么多錢去做這個(gè)建設(shè)?,F(xiàn)在我通過(guò)一個(gè)事實(shí)告訴你原因?,F(xiàn)在在存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè),基本是韓國(guó)廠商的天下,而隨著設(shè)動(dòng)設(shè)備的火熱,各種設(shè)備的爆發(fā),市場(chǎng)對(duì)存儲(chǔ)的需求日增,于是帶來(lái)了存儲(chǔ)產(chǎn)品的缺貨問(wèn)題,進(jìn)而導(dǎo)致了漲價(jià)。   拜DRAM價(jià)格因供給短缺而以高角度上揚(yáng)之賜,部分分析師預(yù)測(cè)南韓兩大存儲(chǔ)廠三星與SK海力士,今年半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)利潤(rùn)可能年增5成,來(lái)到史無(wú)前例的25兆韓圓。   存儲(chǔ)市況從2016年6月觸底反彈后,從最低每單位1
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大陸存儲(chǔ)器的戰(zhàn)略布局

  •   長(zhǎng)江存儲(chǔ)成立后,大陸在這個(gè)階段于半導(dǎo)體的宏觀布局重新成形。但是為什么挑由存儲(chǔ)器入手?這是個(gè)關(guān)鍵選擇。尤其是在臺(tái)灣的 DRAM 產(chǎn)業(yè)甫因規(guī)模經(jīng)濟(jì)不足導(dǎo)致研發(fā)無(wú)法完全自主而緩緩淡出之際,這樣的選擇需要一番辯證。進(jìn)口替代當(dāng)然是原因之一,但不是全部。   回歸基本面來(lái)看。半導(dǎo)體之所以為高科技是因?yàn)橛心柖?,容許其不斷的制程微縮,而其經(jīng)濟(jì)效益也高度依賴摩爾定律。DRAM 在很長(zhǎng)的一段時(shí)間里是半導(dǎo)體業(yè)的驅(qū)策技術(shù)(driving technology),也就是說(shuō)DRAM的制程領(lǐng)導(dǎo)其它的半導(dǎo)體制程前進(jìn)。半導(dǎo)體的先
  • 關(guān)鍵字: DRAM   存儲(chǔ)器  
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