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惠普公司CEO：拆分讓兩家公司能做好各自擅長的事情

  • 　　北京時(shí)間11月3日消息，在惠普拆分一周年之際，惠普公司CEO迪昂•韋斯勒(Dion Weisler)接受了《財(cái)富》雜志的專訪，回顧了過去一年公司的發(fā)展，同時(shí)談到了對微軟、蘋果和戴爾等公司最新舉措的看法。 　　以下為文章全文： 　　一年前的今天，惠普拆分為兩家獨(dú)立的上市公司，以更好地適應(yīng)瞬息萬變的科技行業(yè)。雖然拆分利弊的爭論仍在繼續(xù)，但惠普憑借此舉確實(shí)可以讓兩家獨(dú)立公司專注于各自的核心業(yè)務(wù)。 　　惠普企業(yè)CEO梅格•惠特曼(Meg Whitman)專注于數(shù)據(jù)中心技術(shù)，而惠普公司
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三星2Q'17起或?qū)⑷娌?0納米制程生產(chǎn)移動(dòng)DRAM

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)被預(yù)估自2017年第2季開始，將全面采用20納米或以下的制程技術(shù)生產(chǎn)所有移動(dòng)DRAM產(chǎn)品，意謂2017年第2季以后三星也將停止采用25納米制程技術(shù)生產(chǎn)移動(dòng)DRAM芯片，由此顯示出三星在制程技術(shù)上的加速演進(jìn)。 　　韓聯(lián)社等外媒報(bào)導(dǎo)，根據(jù)市場研究公司DRAMeXchange指出，據(jù)信在2016年第4季三星生產(chǎn)的移動(dòng)DRAM芯片中，約94%已開始采用20納米或以下納米制程技術(shù)生產(chǎn)。 　　到目前三星移動(dòng)DRAM芯片采20納米制程生產(chǎn)比重為82%、18納米為
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TrendForce：十月DRAM價(jià)格月漲逾20%，4GB模組均價(jià)來到17.5美元

  • 　　TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)表示，DRAM原廠與一線的PC-OEM(代工)大廠敲定第四季度的合約價(jià)格，4GB模組均價(jià)來到17.5美元，較上月的14.5美元上漲逾20%;現(xiàn)貨市場也依然維持強(qiáng)勁的上升格局，DDR3/4 4Gb價(jià)格分別來到2.46/2.48美元，較上月同期比較已上漲17%與24%，顯見市場對于后市上漲仍將持續(xù)保持樂觀的態(tài)度。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，觀察市場面，由于原廠產(chǎn)能陸續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)行動(dòng)式內(nèi)存與服務(wù)器內(nèi)存后，
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韓國成立半導(dǎo)體希望基金鎖定存儲器研發(fā)

  • 　　南韓沖刺半導(dǎo)體業(yè)組成國家隊(duì)，由當(dāng)?shù)厍皟纱髲S三星電子和SK海力士領(lǐng)軍，籌組總規(guī)模2,000億韓元的“半導(dǎo)體希望基金”，投資具發(fā)展?jié)摿Φ陌雽?dǎo)體相關(guān)企業(yè)。 　　三星、SK海力士是全球前兩大存儲器芯片商，單是DRAM領(lǐng)域，兩大廠市占率總和超過七成，具有絕對制價(jià)與技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢，兩大廠領(lǐng)軍籌組南韓“半導(dǎo)體希望基金”，預(yù)料以存儲器相關(guān)業(yè)務(wù)為優(yōu)先，臺灣南亞科、華邦電等存儲器芯片廠，以及正在興起的大陸存儲器產(chǎn)業(yè)，短線將面臨更大壓力。 　　業(yè)界人士分析，此次南韓的&ld
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傳三星 DRAM 明年邁 15 納米

  • 　　三星電子智能手機(jī)吃悶棍，力拼內(nèi)存事業(yè)救業(yè)績!據(jù)傳三星為了穩(wěn)固龍頭地位，將在明年下半生產(chǎn) 15、16 納米 DRAM，對手 SK 海力士(SK Hynix)和美光(Micron)遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后，技術(shù)差距約為一年半。 　　BusinessKorea 31 日報(bào)導(dǎo)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)透露，三星內(nèi)存部門今年初量產(chǎn) 18 納米制程 DRAM，準(zhǔn)備在明年下半生產(chǎn) 15、16 納米 DRAM。同時(shí)，該公司將拉高 18 納米 DRAM 占整體 DRAM 的生產(chǎn)比重，目標(biāo)明年下半提高至 30~40%。相關(guān)人士說，明年三星 10 納
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一機(jī)兩用：SlimPort接口將智能手機(jī)拓展成PC使用

  • 計(jì)算機(jī)和手機(jī)附件(鍵盤、耳機(jī)等)在中國擁有巨大的市場前景，目前，這些產(chǎn)品采用了許多不同的無線和有線接口標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)。接口的選擇需要權(quán)衡帶寬、功耗和成本等多方面因素。近日，在2013手機(jī)應(yīng)用及技術(shù)論壇上，Analogi
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手機(jī)DRAM有漏洞，黑客可竊取手機(jī)最高權(quán)限

  • 　　阿姆斯特丹自由大學(xué)(Vrije Universiteit Amsterdam)的漏洞安全實(shí)驗(yàn)室VUSec Lab本周揭露了一個(gè)可能影響所有智能手機(jī)的安全漏洞，此一漏洞并非存在于移動(dòng)平臺或程式上，而是藏匿在手機(jī)所使用的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)中，將允許駭客取得手機(jī)的最高權(quán)限。雖然研究人員是以Android手機(jī)進(jìn)行測試，但理論上該漏洞也會(huì)影響iPhone或基于其他平臺的手機(jī)。 　　研究人員利用的是已知的Rowhammer硬體漏洞，并打造Drammer軟體來執(zhí)行攻擊，發(fā)現(xiàn)包括LG、Motorola、
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存儲器價(jià)格回溫　2016年IC市場可望成長1%

  • 　　市場研究機(jī)構(gòu)IC Insights的最新報(bào)告將對2016年全球半導(dǎo)體市場營收的成長率預(yù)測，由原先的-2%提升為1%;此外該機(jī)構(gòu)預(yù)測，2016年全球IC出貨量成長率將在4~6%之間。IC Insights調(diào)升半導(dǎo)體市場成長率的很大一部分原因，來自于DRAM市場的強(qiáng)勁表現(xiàn)。 　　IC Insights指出，自2002年以來，全球IC市場在第三季平均季成長率為8%，但去年第三季市場成長率僅成長約1%左右;2016年第三季的IC市場成長率則出現(xiàn)了略為高于過去十五年平均值的9%。此外該機(jī)構(gòu)預(yù)期，2016年第四
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SMIC擴(kuò)產(chǎn)利好，DRAM推高2016半導(dǎo)體增長預(yù)測

  • 　　據(jù)ICInsight的最新預(yù)測，2016年全球半導(dǎo)體業(yè)的增長率將是1%，之前的預(yù)測為下降2%。它的最新預(yù)測為2016年增長1%，及2017年增長4%，而2016年IC unit(出貨量)由之前預(yù)測增加4%，上升至6%。 　　IC Insight修正預(yù)測的原因是DRAM的價(jià)格將止跌回升。如DDR3 4Gb的價(jià)格由2014.10月的32.75美元，下降到2016.6月的12.5美元，幅度達(dá)62%。如今由于智能手機(jī)及PC對于DRAM的容量需求上升，導(dǎo)致市場缺貨，價(jià)格止跌回升。三星等又重新開始擴(kuò)大投資，增加
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有了PplConnect PC一秒變手機(jī)

  • 美國資深科技媒體人沃爾特middot;莫斯伯格(WaltMossberg)近日發(fā)表對新應(yīng)用PplConnect的評測文章，他稱該產(chǎn)品將PC轉(zhuǎn)變成支持打電話、收發(fā)短信的虛擬手機(jī)，總的來說它前景光明，但還存在一些不足需要改進(jìn)，如不支持接
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手機(jī)DRAM將增至8GB！三星供貨、料用于明年S8

  • 　　行動(dòng)裝置的記憶體不斷擴(kuò)大!三星電子宣布，智慧機(jī)將進(jìn)入8GB DRAM年代，該公司已經(jīng)開始生產(chǎn)，外界預(yù)料將用于明年初問世的Galaxy S8。 　　韓聯(lián)社報(bào)導(dǎo)，三星電子20日發(fā)布業(yè)界首見的8GB行動(dòng)DRAM。新晶片采用10 奈米制程，由四個(gè)16Gb的LPDDR4 晶片組成。三星執(zhí)行副總Joo Sun Choi表示，8GB行動(dòng)DRAM的到來，可讓次世代旗艦機(jī)的功能更上一層樓。 　　目前智慧機(jī)行動(dòng)DRAM最大為6GB，記憶體加大可滿足雙鏡頭、4K螢?zāi)弧⑻摂M實(shí)境(VR)等的需求。三星并宣稱，新品效能與當(dāng)前
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Kilopass憑借其革命性的VLT技術(shù)改變DRAM產(chǎn)業(yè)格局

  • 　　半導(dǎo)體嵌入式非易失性存儲器(eNVM)知識產(chǎn)權(quán)(IP)產(chǎn)品領(lǐng)先提供商Kilopass Technology, Inc.今日宣布：推出其革命性的垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor, VLT)技術(shù)，進(jìn)而顛覆全球DRAM市場。VLT存儲單元在2015年已通過驗(yàn)證，目前一款新的完整存儲器測試芯片正處于早期測試階段。Kilopass一直致力于推廣這項(xiàng)技術(shù)，并正與DRAM制造商進(jìn)行許可協(xié)商。 　　“Kilopass以一次性可編程(OTP)存儲器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者而聞名，我
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VLT技術(shù) 或?qū)㈩嵏睤RAM產(chǎn)業(yè)格局

  • 　　10月11日，Kilopass Technology宣布推出垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor)技術(shù)，簡稱VLT技術(shù)。據(jù)Kilopass首席執(zhí)行官Charlie Cheng稱，該技術(shù)集低成本、低功耗、高效率、易制造等諸多優(yōu)點(diǎn)于一身，有可能顛覆目前的DRAM產(chǎn)業(yè)格局。 　　最適用于云計(jì)算/服務(wù)器市場的DRAM技術(shù) 　　Charlie Cheng指出，DRAM整體市場較為穩(wěn)定，未來隨著PC、手機(jī)等方面的市場需求萎縮，新的增長點(diǎn)將出現(xiàn)在云計(jì)算/服務(wù)器等市場領(lǐng)域。然而當(dāng)前
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詳述DRAM、SDRAM及DDR SDRAM的概念

  • DRAM (動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲器)對設(shè)計(jì)人員特別具有吸引力，因?yàn)樗峁┝藦V泛的性能，用于各種計(jì)算機(jī)和嵌入式系統(tǒng)的存儲系統(tǒng)設(shè)計(jì)中。本文概括闡述了DRAM 的概念，及介紹了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DD
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PC真的不流行了：全球PC市場連續(xù)第八個(gè)季度出貨量下降

  • 隨著更多用戶從PC轉(zhuǎn)向移動(dòng)設(shè)備，PC市場過去幾年正在滑坡。與此同時(shí)，用戶使用一臺PC的時(shí)間也越來越長，更新頻率不斷下降。
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