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安森美半導(dǎo)體：為關(guān)鍵應(yīng)用推出系列綠色解決方案

1? ?關(guān)注關(guān)鍵應(yīng)用的節(jié)能減排安森美半導(dǎo)體提供所有應(yīng)用的電力電子解決方案，也專注于一些關(guān)鍵應(yīng)用，包括能源基礎(chǔ)設(shè)施（太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換、儲(chǔ)能、電動(dòng)車充電站/ 樁）、工業(yè)、云計(jì)算和5G 基礎(chǔ)設(shè)施。這些市場(chǎng)都有其獨(dú)特的技術(shù)挑戰(zhàn)。這些挑戰(zhàn)由相同因素的不同組合驅(qū)動(dòng)：提高能效、減小尺寸和質(zhì)量以及優(yōu)化系統(tǒng)成本或擁有成本。例如太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換，從集中式逆變器到組串式逆變器的轉(zhuǎn)變消除了逆變器的單點(diǎn)故障風(fēng)險(xiǎn)。如果一個(gè)組串式逆變器停止工作，仍可用其他組串來(lái)發(fā)電。它還有個(gè)額外的好處，就是能對(duì)較少量的面板進(jìn)行最大功率點(diǎn)追蹤。
關(guān)鍵字： 202107 SiC

采用SiC FET盡可能提升圖騰柱PFC級(jí)的能效

圖騰柱PFC電路能顯著改善交流輸入轉(zhuǎn)換器的效率，但是主流半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)技術(shù)的局限性使其不能發(fā)揮全部潛力。不過(guò)，SiC FET能突破這些局限性。本文介紹了如何在數(shù)千瓦電壓下實(shí)現(xiàn)99.3%以上的效率。正文交流輸入電源的設(shè)計(jì)師必須竭力滿足許多要求，包括功能要求、安全要求和EMC要求等等。他們通常需要進(jìn)行權(quán)衡取舍，一個(gè)好例子是既要求達(dá)到服務(wù)器電源的“鈦”標(biāo)準(zhǔn)等能效目標(biāo)，又要用功率因素校正（PFC）將線路諧波發(fā)射保持在低水平，以幫助電網(wǎng)可靠高效地運(yùn)行。在大部分情況下，會(huì)通過(guò)升壓轉(zhuǎn)換器部分實(shí)施PFC，升壓轉(zhuǎn)換器會(huì)將整流后
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SiC大戰(zhàn)拉開(kāi)帷幕，中國(guó)勝算幾何

近些年，隨著電動(dòng)汽車以及其他系統(tǒng)的增長(zhǎng)，碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體市場(chǎng)正在經(jīng)歷需求的突然激增，因此也吸引了產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)的關(guān)注。在產(chǎn)業(yè)應(yīng)用進(jìn)一步成熟的趨勢(shì)下，SiC的爭(zhēng)奪戰(zhàn)正一觸即發(fā)。碳化硅材料之殤SiC器件成本高的一大原因就是SiC襯底貴，目前，襯底成本大約是加工晶片的50%，外延片是25%，器件晶圓生產(chǎn)環(huán)節(jié)20%，封裝測(cè)試環(huán)節(jié)5%。SiC襯底不止貴，生產(chǎn)工藝還復(fù)雜，與硅相比，碳化硅很難處理、研磨和鋸切，挑戰(zhàn)非常大。所以大多數(shù)企業(yè)都是從Cree、Rohm等供應(yīng)商購(gòu)買襯底。SiC器件廣泛用于光伏逆變器、工
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揭秘3nm/2nm工藝的新一代晶體管結(jié)構(gòu)

GAA FET將取代FinFET，但過(guò)渡的過(guò)程將是困難且昂貴的。
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功率半導(dǎo)體－馬達(dá)變頻器內(nèi)的關(guān)鍵組件

全球有約 30% 的發(fā)電量用于驅(qū)動(dòng)工業(yè)應(yīng)用中的馬達(dá)，而全球工業(yè)產(chǎn)業(yè)消耗的能源量預(yù)期到 2040 年將成長(zhǎng)一倍。隨著對(duì)能源成本和資源有限的意識(shí)不斷提高，未來(lái)提升驅(qū)動(dòng)馬達(dá)用電效率的需求將會(huì)越來(lái)越顯著。
關(guān)鍵字： IGBT7 SiC MOSFET 馬達(dá)變頻器功率半導(dǎo)體英飛凌

以中國(guó)帶動(dòng)世界意法半導(dǎo)體搶占新能源汽車制高點(diǎn)

意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics) 以“意法半導(dǎo)體，科技始之于你”為主題亮相2021年慕尼黑上海電子展，展示其行業(yè)領(lǐng)先的智能出行、電源和能源管理、物聯(lián)網(wǎng)和5G產(chǎn)品及解決方案。作為意法半導(dǎo)體重要的業(yè)務(wù)領(lǐng)域之一，此次展臺(tái)的焦點(diǎn)是一輛智能電動(dòng)轎跑小鵬P7，這款先進(jìn)的新能源智能汽車的車輛控制單元(VCU)中采用意法半導(dǎo)體的先進(jìn)的多功能芯片L9788，這是首個(gè)集成CAN FD收發(fā)器的U-chip解決方案，符合最高的功能性安全標(biāo)準(zhǔn)，產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)包括節(jié)省物料清單(BOM)成本、減少印刷電路板(PCB)
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體 SiC BMS

電動(dòng)汽車BMS的技術(shù)趨勢(shì)及恩智浦的解決方案

1? ?電動(dòng)汽車BMS的技術(shù)趨勢(shì)對(duì)恩智浦而言，我們所觀察到的電動(dòng)汽車制造商在規(guī)劃整個(gè)車型電氣化過(guò)程中正在面對(duì)如下挑戰(zhàn)，這也代表了現(xiàn)在技術(shù)發(fā)展的趨勢(shì)。1)? ?電池成本的持續(xù)降低是電動(dòng)車普及以及車廠盈利的重要決勝點(diǎn)。除電芯降本外，還需要不斷優(yōu)化電子電氣以及機(jī)械架構(gòu)，并制作支持自動(dòng)化組裝的生產(chǎn)線，這樣才能提高生產(chǎn)效率。2)? ?延長(zhǎng)里程需要提高比能量，縮短充電時(shí)間則要增加比功率，在逐漸挑戰(zhàn)比能量和比功率極限的過(guò)程中，電池管理功能安全的等級(jí)、診斷的精度
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SiC在電動(dòng)汽車的功率轉(zhuǎn)換中扮演越來(lái)越重要的角色

1? ?中國(guó)新能源汽車市場(chǎng)的需求特點(diǎn)首先，中國(guó)的電動(dòng)化發(fā)展速度很快，中國(guó)企業(yè)的創(chuàng)新力旺盛，而且直接從傳統(tǒng)汽車向新能源汽車過(guò)渡，沒(méi)有美國(guó)或歐洲企業(yè)所面臨的復(fù)雜的“技術(shù)遺產(chǎn)”問(wèn)題。相比歐美，新興的中國(guó)車企更期待新能源汽車。在中國(guó)，功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)在汽車中的應(yīng)用非常廣泛，這就是為什么ST專注于與中國(guó)客戶合作開(kāi)發(fā)電源管理系統(tǒng)。ST汽車和分立器件產(chǎn)品部大眾市場(chǎng)業(yè)務(wù)拓展負(fù)責(zé)人公司戰(zhàn)略辦公室成員Giovanni Luca SARICA2? ?SiC在成本上有優(yōu)勢(shì)嗎SiC解決方案的成本
關(guān)鍵字：新能源汽車 SiC

TI為何把首款GaN FET定位于汽車和工業(yè)應(yīng)用

GaN（氮化鎵）作為新一代半導(dǎo)體材料，正有越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。近日，德州儀器（TI）宣布其首款帶集成驅(qū)動(dòng)器、內(nèi)部保護(hù)和有源電源管理的GaN FET，分別面向車用充電器和工業(yè)電源，可以實(shí)現(xiàn)2倍的功率密度和高達(dá)99%的效率。TI如何看待GaN在汽車和工業(yè)方面的機(jī)會(huì)？此次GaN FET的突破性技術(shù)是什么？為此，電子產(chǎn)品世界記者線上采訪了TI高壓電源應(yīng)用產(chǎn)品業(yè)務(wù)部GaN功率器件產(chǎn)品線經(jīng)理Steve Tom。TI高壓電源應(yīng)用產(chǎn)品業(yè)務(wù)部GaN功率器件產(chǎn)品線經(jīng)理Steve Tom1? ?GaN在電源領(lǐng)
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推動(dòng)更快、更安全、更高效EV充電器的技術(shù)

隨著電動(dòng)汽車（EV）數(shù)量的增加，對(duì)創(chuàng)建更加節(jié)能的充電基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)的需求也在日益增長(zhǎng)，如此便可更快地為車輛充電。與先前的電動(dòng)汽車相比，新型電動(dòng)汽車具有更高的行駛里程和更大的電池容量，因此需要開(kāi)發(fā)快速直流充電解決方案以滿足快速充電要求。150 kW或200 kW的充電站約需要30分鐘才能將電動(dòng)汽車充電至80％，行駛大約250 km。根據(jù)聯(lián)合充電系統(tǒng)和Charge de Move標(biāo)準(zhǔn)，快速DC充電站可提供高達(dá)400 kW的功率。今天，我們將研究驅(qū)動(dòng)更快、更安全、更高效的充電器的半導(dǎo)體技術(shù)
關(guān)鍵字： EV SiC IGBT MOSEFT CMTI

UnitedSiC與益登科技簽署分銷協(xié)議

領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商 UnitedSiC 近日宣布與益登科技簽署代理協(xié)議，益登科技是總部位于臺(tái)灣的半導(dǎo)體產(chǎn)品主要分銷商和解決方案供應(yīng)商。益登科技將與UnitedSiC合作，助其將產(chǎn)品推向亞洲市場(chǎng)，為包括電動(dòng)汽車、電池充電、IT基礎(chǔ)設(shè)施、可再生能源和電路保護(hù)等高增長(zhǎng)應(yīng)用領(lǐng)域的客戶提供產(chǎn)品方案。UnitedSiC全球銷售和營(yíng)銷副總裁Yalcin BulutUnitedSiC全球銷售和營(yíng)銷副總裁Yalcin Bulut 表示：“亞洲市場(chǎng)正在迅速崛起，急需采用能夠?qū)崿F(xiàn)新產(chǎn)品差異化的新技術(shù)。益登的
關(guān)鍵字： SiC 電動(dòng)汽車

安森美全面布局碳化硅市場(chǎng)：汽車、新能源、5G

目前，碳化硅市場(chǎng)正處于快速增長(zhǎng)中，根據(jù)各大咨詢機(jī)構(gòu)統(tǒng)計(jì)，碳化硅在電源的功率因數(shù)校正（PFC）、太陽(yáng)能逆變器、光伏逆變器、不間斷電源、5G、通信電源、高頻開(kāi)關(guān)電源等領(lǐng)域都擁有非常廣闊的市場(chǎng)。與傳統(tǒng)硅材料相比，新一代的寬禁帶半導(dǎo)體材料碳化硅可提供高場(chǎng)強(qiáng)、高能隙，以及高電子移動(dòng)速度和熱導(dǎo)率，讓下一代半導(dǎo)體器件的性能得到革命性提升。
關(guān)鍵字：安森美 SiC 碳化硅

5A、3.3V和5V電源符合嚴(yán)格的EMI輻射標(biāo)準(zhǔn)

嚴(yán)苛的汽車和工業(yè)環(huán)境中的噪聲敏感型應(yīng)用需要適用于狹小空間的低噪聲、高效率降壓穩(wěn)壓器。通常會(huì)選擇內(nèi)置MOSFET功率開(kāi)關(guān)的單片式降壓穩(wěn)壓器，與傳統(tǒng)控制器IC和外部MOSFET相比，這種整體解決方案的尺寸相對(duì)較小?？稍诟哳l率（遠(yuǎn)高于AM頻段的2 MHz范圍內(nèi)）下工作的單片式穩(wěn)壓器也有助于減小外部元件的尺寸。此外，如果穩(wěn)壓器的最小導(dǎo)通時(shí)間(TON)較低，則無(wú)需中間穩(wěn)壓，可直接在較高的電壓軌上工作，從而節(jié)約空間并降低復(fù)雜性。減少最小導(dǎo)通時(shí)間需要快速開(kāi)關(guān)邊沿和最小死區(qū)時(shí)間控制，以有效減少開(kāi)關(guān)損耗并支持高開(kāi)關(guān)頻率操作
關(guān)鍵字： EMI FET AM SSFM PWM IC MOSFET

安森美半導(dǎo)體的碳化硅(SiC)功率模塊將支持臺(tái)達(dá)的太陽(yáng)能光伏逆變器

推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)，推出一款適用于?太陽(yáng)能逆變器應(yīng)用?的?全SiC功率模塊?，該產(chǎn)品已被全球領(lǐng)先的電源和熱管理方案供應(yīng)商臺(tái)達(dá)選用，用于支持其M70A三相光伏組串逆變器。?NXH40B120MNQ系列全SiC功率模塊集成了一個(gè)1200 V、40 mΩ SiC MOSFET和具有雙升壓級(jí)的1200 V，40 A SiC升壓二極管。 SiC技術(shù)的使用提供了實(shí)現(xiàn)太陽(yáng)能逆變器等應(yīng)用中所要求高能效水平所需的低反向恢復(fù)和快速
關(guān)鍵字： MOSFET SiC PIM 光伏逆變器

寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)：快速開(kāi)關(guān)和顛覆性的仿真環(huán)境

寬禁帶?材料實(shí)現(xiàn)了較當(dāng)前硅基技術(shù)的飛躍。它們的大帶隙導(dǎo)致較高的介電擊穿，從而降低了導(dǎo)通電阻(RSP)。更高的電子飽和速度支持高頻設(shè)計(jì)和工作，降低的漏電流和更好的導(dǎo)熱性有助于高溫下的工作。安森美半導(dǎo)體提供圍繞寬禁帶方案的獨(dú)一無(wú)二的生態(tài)系統(tǒng)，包含從旨在提高強(qiáng)固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門極驅(qū)動(dòng)器。除了硬件以外，我們還提供spice物理模型，幫助設(shè)計(jì)人員在仿真中實(shí)現(xiàn)其應(yīng)用性能，縮短昂貴的測(cè)試周期。我們的預(yù)測(cè)性離散建?？梢赃M(jìn)行系統(tǒng)級(jí)仿真
關(guān)鍵字： IC RDS(on) CAD MOSFET SiC MOS