首頁(yè)  資訊  商機(jī)   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會(huì)展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊(cè)   Datasheet  100例   活動(dòng)中心  E周刊閱讀   樣片申請(qǐng)
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> sic fet

臻驅(qū)科技與羅姆成立碳化硅技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室

  • 中國(guó)新能源汽車電驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域高科技公司臻驅(qū)科技(上海)有限公司(以下簡(jiǎn)稱“臻驅(qū)科技”)與全球知名半導(dǎo)體廠商ROHM Co., Ltd.(以下簡(jiǎn)稱“羅姆”)宣布在中國(guó)(上海)自由貿(mào)易區(qū)試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)成立“碳化硅技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”,并于2020年6月9日舉行了揭牌儀式。與IGBT*1等硅(Si)功率元器件相比,碳化硅(SiC)功率元器件具有傳導(dǎo)損耗、開關(guān)損耗*2小、耐溫度變化等優(yōu)勢(shì),作為能夠顯著降低損耗的半導(dǎo)體,在電動(dòng)汽車車載充電器以及DC/DC轉(zhuǎn)換器等方面的應(yīng)用日益廣泛。自2017年合作以來(lái),臻驅(qū)科技和羅姆就采
  • 關(guān)鍵字: MOSEFT  SiC  

新基建驅(qū)動(dòng)電力電源變革,ST祭出一攬子解決方案

  • 我國(guó)正在大力進(jìn)行新基建,工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、汽車充電樁、5G手機(jī)等對(duì)電力與電源提出了更高的能效要求。與此同時(shí),SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體材料風(fēng)生水起,奠定了堅(jiān)實(shí)的發(fā)展基礎(chǔ)。充電樁、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、手機(jī)需要哪些新電力與電源器件?近日,ST(意法半導(dǎo)體)亞太區(qū)功率分立器件和模擬產(chǎn)品部區(qū)域營(yíng)銷及應(yīng)用副總裁Francesco MUGGERI接受了電子產(chǎn)品世界記者的采訪,分享了對(duì)工業(yè)市場(chǎng)的預(yù)測(cè),并介紹了ST的新產(chǎn)品。ST亞太區(qū) 功率分立器件和模擬產(chǎn)品部 區(qū)域營(yíng)銷及應(yīng)用副總裁 Francesco MUGGERI1 工業(yè)電源市場(chǎng)
  • 關(guān)鍵字: 電源  SiC  IGBT  GaN  

電源管理設(shè)計(jì)小貼士#94:倒置降壓器如何提供非隔離反激器的拓?fù)溥x擇

  • 離線電源是最常見的電源之一,也稱為交流電源。隨著旨在集成典型家用功能的產(chǎn)品數(shù)量的增加,對(duì)所需輸出能力小于1瓦的低功率離線轉(zhuǎn)換器的需求也越來(lái)越大。對(duì)于這些應(yīng)用程序,最重要的設(shè)計(jì)方面是效率、集成和低成本。在決定拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)時(shí),反激通常是任何低功耗離線轉(zhuǎn)換器的首選。但是,如果不需要隔離,這可能不是最好的方法。假設(shè)終端設(shè)備是一個(gè)智能燈開關(guān),用戶可以通過智能手機(jī)的應(yīng)用程序進(jìn)行控制。在這種情況下,用戶在操作過程中不會(huì)接觸到暴露的電壓,因此不需要隔離。對(duì)于離線電源來(lái)說,反激拓?fù)涫且粋€(gè)合理的解決方案,因?yàn)樗奈锪锨鍐危˙OM
  • 關(guān)鍵字: BOM  FET  VDD  

緯湃科技和羅姆攜手打造SiC電源解決方案

  • 汽車電動(dòng)化領(lǐng)域的領(lǐng)先供應(yīng)商——緯湃科技(以下簡(jiǎn)稱“Vitesco”)近日宣布選擇SiC功率元器件的領(lǐng)軍企業(yè)——羅姆(以下簡(jiǎn)稱“ROHM”)作為其SiC技術(shù)的首選供應(yīng)商,并就電動(dòng)汽車領(lǐng)域電力電子技術(shù)簽署了開發(fā)合作協(xié)議(2020年6月起生效)。通過使用SiC功率元器件,大陸集團(tuán)旗下的Vitesco將能夠進(jìn)一步提高電動(dòng)汽車用電力電子器件的效率。由于SiC功率元器件具有高效率等特性,因而可以更有效地利用電動(dòng)汽車電池的電能。這將非常有助于延長(zhǎng)電動(dòng)汽車的續(xù)航里程并削減電池體積。Vitesco電氣化技術(shù)事業(yè)部執(zhí)行副總裁
  • 關(guān)鍵字: SiC  電氣  

聚焦“寬禁帶”半導(dǎo)體——SiC與GaN的興起與未來(lái)

  • 隨著硅與化合物半導(dǎo)體材料在光電子、電力電子和射頻微波等領(lǐng)域器件性能的提升面臨瓶頸,不足以全面支撐新一代信息技術(shù)的可持續(xù)發(fā)展......
  • 關(guān)鍵字: 寬禁帶  半導(dǎo)體  SiC  GaN  

碳化硅發(fā)展勢(shì)頭強(qiáng) 英飛凌650V CoolSiC MOSFET推高創(chuàng)新浪潮

  • 近期,多家公司發(fā)布了碳化硅(SiC)方面的新產(chǎn)品。作為新興的第三代半導(dǎo)體材料之一,碳化硅具備哪些優(yōu)勢(shì),現(xiàn)在的發(fā)展程度如何?不久前,碳化硅的先驅(qū)英飛凌科技公司推出了650V的CoolSiC? MOSFET,值此機(jī)會(huì),電子產(chǎn)品世界訪問了英飛凌電源管理及多元化市場(chǎng)事業(yè)部大中華區(qū)開關(guān)電源應(yīng)用高級(jí)市場(chǎng)經(jīng)理陳清源先生。英飛凌,電源管理及多元化市場(chǎng)事業(yè)部,大中華區(qū),開關(guān)電源應(yīng)用,高級(jí)市場(chǎng)經(jīng)理,陳清源碳化硅與氮化鎵、硅材料的關(guān)系碳化硅MOSFET是一種新器件,它的出現(xiàn)使一些以前硅材料很難被應(yīng)用的電源轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu),例如電流連續(xù)
  • 關(guān)鍵字: SiC  UPS  

ROHM的SiC功率元器件被應(yīng)用于UAES的電動(dòng)汽車車載充電器

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)的SiC功率元器件(SiC MOSFET*1)被應(yīng)用于中國(guó)汽車行業(yè)一級(jí)綜合性供應(yīng)商——聯(lián)合汽車電子有限公司(United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ,總部位于中國(guó)上海市,以下簡(jiǎn)稱“UAES公司”)的電動(dòng)汽車車載充電器(On Board Charger,以下簡(jiǎn)稱“OBC”)。UAES公司預(yù)計(jì)將于2020年10月起向汽車制造商供應(yīng)該款OBC。與IGBT*2等Si(硅)功率元器件相比,SiC功率元器件是一種能
  • 關(guān)鍵字: OBC  SiC MOSFET  

安森美半導(dǎo)體推出新的900 V和 1200 V SiC MOSFET用于高要求的應(yīng)用

  • 近日,推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON),推出另兩個(gè)碳化硅(SiC) MOSFET系列,擴(kuò)展了其寬禁帶(WBG)器件系列。?這些新器件適用于各種高要求的高增長(zhǎng)應(yīng)用,包括太陽(yáng)能逆變器、電動(dòng)汽車(EV)車載充電、不間斷電源(UPS)、服務(wù)器電源和EV充電樁,提供的性能水平是硅(Si)?MOSFET根本無(wú)法實(shí)現(xiàn)的。安森美半導(dǎo)體的新的1200伏(V)和900 V N溝道SiC MOSFET提供比硅更快的開關(guān)性能和更高的可靠性??焖俦菊鞫?/li>
  • 關(guān)鍵字: SiC  WBG  

CISSOID宣布推出用于電動(dòng)汽車的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模塊

  • 各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID近日宣布,將繼續(xù)致力于應(yīng)對(duì)汽車和工業(yè)市場(chǎng)的挑戰(zhàn),并推出用于電動(dòng)汽車的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模塊(IPM)平臺(tái)。這項(xiàng)新的智能功率模塊技術(shù)提供了一種一體化解決方案,即整合了內(nèi)置柵極驅(qū)動(dòng)器的三相水冷式碳化硅MOSFET模塊。這個(gè)全新的可擴(kuò)展平臺(tái)同時(shí)優(yōu)化了功率開關(guān)的電氣、機(jī)械和散熱設(shè)計(jì)及其臨界控制,對(duì)于電動(dòng)汽車(EV)整車廠和愿意快速采用基于碳化硅的逆變器以實(shí)現(xiàn)更高效、更簡(jiǎn)潔電機(jī)驅(qū)動(dòng)的電動(dòng)機(jī)制造商而言,該平臺(tái)可以幫助他們加快產(chǎn)品上市時(shí)間。該可擴(kuò)展
  • 關(guān)鍵字: SiC  IPM  

電機(jī)的應(yīng)用趨勢(shì)及控制解決方案

  • 顧偉俊? (羅姆半導(dǎo)體(上海)有限公司?技術(shù)中心?現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程師)摘? 要:介紹了電機(jī)的應(yīng)用趨勢(shì),以及MCU、功率器件的產(chǎn)品動(dòng)向。 關(guān)鍵詞:電機(jī);BLDC;MCU;SiC;IPM1? 電機(jī)的應(yīng)用趨勢(shì)?隨著智能家居、工業(yè)自動(dòng)化、物流自動(dòng)化等概念的 普及深化,在與每個(gè)人息息相關(guān)的家電領(lǐng)域、車載領(lǐng) 域以及工業(yè)領(lǐng)域,各類電機(jī)在技術(shù)方面都出現(xiàn)了新的 需求。?在家電領(lǐng)域,電器的 智能化需要電器對(duì)人機(jī)交 流產(chǎn)生相應(yīng)的反饋。例如 掃地機(jī)器人需要掃描計(jì)算 空間,規(guī)劃路線,然后執(zhí) 行移動(dòng)以及相應(yīng)
  • 關(guān)鍵字: 202003  電機(jī)  BLDC  MCU  SiC  IPM  

碳化硅(SiC)功率器件或在電動(dòng)汽車領(lǐng)域一決勝負(fù)

  • 電力電子器件的發(fā)展歷史大致可以分為三個(gè)大階段:硅晶閘管(可控硅)、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和剛顯露頭角的碳化硅(SiC)系列大功率半導(dǎo)體器件。碳化硅屬于第三代半導(dǎo)體材料,與普通的硅材料相比,碳化硅的優(yōu)勢(shì)非常突出,它不僅克服了普通硅材料的某些缺點(diǎn),在功耗上也有非常好的表現(xiàn),因而成為電力電子領(lǐng)域目前最具前景的半導(dǎo)體材料。正因?yàn)槿绱?,已?jīng)有越來(lái)越多的半導(dǎo)體企業(yè)開始進(jìn)入SiC市場(chǎng)。到2023年,SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)將達(dá)到15億美元。SiC器件的供應(yīng)商包括Fuji、英飛凌、Littelfuse、三菱、安森
  • 關(guān)鍵字: 碳化硅、SiC、功率器件、電動(dòng)汽車  

英飛凌650V CoolSiC MOSFET系列為更多應(yīng)用帶來(lái)最佳可靠性和性能水平

  • 近日,英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)進(jìn)一步擴(kuò)展其碳化硅(SiC)產(chǎn)品組合,推出650V器件。其全新發(fā)布的CoolSiC? MOSFET滿足了包括服務(wù)器、電信和工業(yè)SMPS、太陽(yáng)能系統(tǒng)、能源存儲(chǔ)和電池化成、不間斷電源(UPS)、電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)以及電動(dòng)汽車充電在內(nèi)的大量應(yīng)用與日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求?!半S著新產(chǎn)品的發(fā)布,英飛凌完善了其600V/650V細(xì)分領(lǐng)域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合,”英飛凌電源管理及多元化市場(chǎng)事業(yè)部高壓轉(zhuǎn)換業(yè)務(wù)高級(jí)總監(jiān)St
  • 關(guān)鍵字: SiC  MOSFET  

如何利用 SiC 打造更好的電動(dòng)車牽引逆變器

  • 在本文中,我們將調(diào)查電動(dòng)車牽引逆變器采用 SiC 技術(shù)的優(yōu)勢(shì)。我們將展示在各種負(fù)荷條件下逆變器的能效是如何提升的,包括從輕負(fù)荷到滿負(fù)荷。使用較高的運(yùn)行電壓與高效的 1200V SiC FET 可以幫助降低銅損。還可以提高逆變器開關(guān)頻率,以對(duì)電機(jī)繞組輸出更理想的正弦曲線波形和降低電機(jī)內(nèi)的鐵損。預(yù)計(jì)在所有這些因素的影響下,純電動(dòng)車的單次充電行駛里程將提高 5-10%,同時(shí),降低的損耗還能簡(jiǎn)化冷卻問題。簡(jiǎn)介近期的新聞表明,純電動(dòng)車?(BEV) 的數(shù)量增加得比之前的預(yù)期要快。這促使汽車制造商(包括現(xiàn)有制
  • 關(guān)鍵字: SiC  BEV  牽引逆變器  

羅姆集團(tuán)旗下的SiCrystal與意法半導(dǎo)體就碳化硅(SiC)晶圓長(zhǎng)期供貨事宜達(dá)成協(xié)議

  • 近日,全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆和意法半導(dǎo)體(以下簡(jiǎn)稱“ST”)宣布,雙方就碳化硅(以下簡(jiǎn)稱“SiC”)晶圓由羅姆集團(tuán)旗下的SiCrystal GmbH (以下簡(jiǎn)稱“SiCrystal”)供應(yīng)事宜達(dá)成長(zhǎng)期供貨協(xié)議。在SiC功率元器件快速發(fā)展及其需求高速增長(zhǎng)的大背景下,雙方達(dá)成超1.2億美元的協(xié)議,由SiCrystal(SiC晶圓生產(chǎn)量歐洲第一)向ST(面向眾多電子設(shè)備提供半導(dǎo)體的全球性半導(dǎo)體制造商)供應(yīng)先進(jìn)的150mm SiC晶圓。ST 總經(jīng)理 兼 首席執(zhí)行官(CEO) Jean-Marc Chery 說:
  • 關(guān)鍵字: SiC  車載  

使用ADuM4136隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器和LT3999 DC/DC轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)1200 V SiC電源模塊

  • 簡(jiǎn)介電動(dòng)汽車、可再生能源和儲(chǔ)能系統(tǒng)等電源發(fā)展技術(shù)的成功取決于電力轉(zhuǎn)換方案能否有效實(shí)施。電力電子轉(zhuǎn)換器的核心包含專用半導(dǎo)體器件和通過柵極驅(qū)動(dòng)器控制這些新型半導(dǎo)體器件開和關(guān)的策略。目前最先進(jìn)的寬帶器件,如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體具有更高的性能,如600 V至2000 V的高電壓額定值、低通道阻抗,以及高達(dá)MHz范圍的快速切換速度。這些提高了柵極驅(qū)動(dòng)器的性能要求,例如,,通過去飽和以得到更短的傳輸延遲和改進(jìn)的短路保護(hù)。本應(yīng)用筆記展示了ADuM4136 柵極驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)勢(shì),這款單通道器件的輸出驅(qū)動(dòng)能
  • 關(guān)鍵字: DC/DC  SiC  
共512條 18/35 |‹ « 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 » ›|

sic fet介紹

您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條sic fet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)sic fet的理解,并與今后在此搜索sic fet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473