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MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計及應(yīng)用

  • 下面是我對MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)的一點總結(jié)，其中參考了一些資料，非全部原創(chuàng)。包括MOS管的介紹，特性，驅(qū)動以及應(yīng)用電路?！≡谑褂肕OS管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導(dǎo)通電阻，
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Vishay推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT---以擴(kuò)充用于低電壓DC/DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的PowerPAIR家族雙芯片不對稱功率MOSFET。新器件擴(kuò)大了該系列產(chǎn)品的電壓和封裝占位選項，使Vishay成為3mm x 3mm、6mm x 3.7mm和6mm x 5mm PowerPAIR尺寸規(guī)格產(chǎn)品的獨家供應(yīng)商。
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AOS推出適用便攜式應(yīng)用的功率MOSFET

  • 　　日前，集設(shè)計，開發(fā)和全球銷售的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商AOS半導(dǎo)體有限公司（AOS），發(fā)布了具有行業(yè)領(lǐng)先標(biāo)準(zhǔn)的高功率密度和高效能的功率MOSFET，它們的DFN3X3封裝厚度只有超薄的0.8毫米。 　　新的產(chǎn)品上應(yīng)用了AOS的AlphaMOS專利技術(shù)。這些技術(shù)的好處在于它可以延長電池的使用壽命，還可以使設(shè)計變的更簡單緊湊，適用于便攜式產(chǎn)品，例如：平板電腦、智能手機(jī),電子書、筆記本電腦、數(shù)碼相機(jī)及便攜式音樂播放器。 　　AON7421和AON7423是20V P溝道MOSFET，它們的RDS(ON)是目前市
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羅姆與APEI聯(lián)合開發(fā)出SiC溝槽MOS模塊

  • 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會社(總部：日本京都市)日前面向EV、HEV車(電動汽車、混合動力車)及工業(yè)設(shè)備，與擁有電力系統(tǒng)和電源封裝技術(shù)的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司聯(lián)合開發(fā)出搭載了SiC溝槽MOS的高速、大電流模塊“APEI　HT2000”。該模塊一改傳統(tǒng)的Si模塊的設(shè)計，由于最大限度地利用了SiC器件的特點，從而大幅改善了電氣特性、機(jī)械特性，同時實現(xiàn)了超小型化、輕量化、高效化，在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
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羅姆開發(fā)出世界首家壓鑄模類型SiC功率模塊

  • 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會社(總部：日本京都市)日前面向EV/HEV車(電動汽車/混合動力車)和工業(yè)設(shè)備的變頻驅(qū)動，開發(fā)出符合SiC器件溫度特性的可在高溫條件下工作的SiC功率模塊。該模塊采用新開發(fā)的高耐熱樹脂，世界首家實現(xiàn)了壓鑄模類型、225℃高溫下工作，并可與現(xiàn)在使用Si器件的模塊同樣實現(xiàn)小型和低成本封裝，在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
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采用開關(guān)器件提高PFC效率

  • 在CCMPFC中，通過改善MOSFET技術(shù)可以減少開關(guān)損耗，甚至可通過SiC技術(shù)改善升壓二極管來減少MOSFET的開關(guān)損...
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在SMPS應(yīng)用中選擇IGBT和MOSFET的比較

  • 開關(guān)電源（SwitchModePowerSupply；SMPS）的性能在很大程度上依賴于功率半導(dǎo)體器件的選擇，即開關(guān)管和整流...
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飛兆半導(dǎo)體在線設(shè)計和模擬工具

  • 當(dāng)前，設(shè)計人員正面臨為各種應(yīng)用產(chǎn)品的電源設(shè)計反激電路的挑戰(zhàn)，現(xiàn)在找到能夠簡化工作的方法。全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)發(fā)布一款易于使用、功能強大的在線仿真工具Power Supply WebDesigner (PSW)，這款工具可讓設(shè)計人員無需應(yīng)用指南，也可以像電源專家一樣進(jìn)行“自動化設(shè)計”、優(yōu)化或“先進(jìn)設(shè)計”。
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MAX5054-MAX5057雙、高速MOSFET驅(qū)動器

  • 概述　　MAX5054-MAX5057雙、高速MOSFET驅(qū)動器可供出和吸收高達(dá)4A的峰值電流。這些器件具有20ns的快速傳輸 ...
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大功率LED關(guān)鍵材料GaN開始侵食硅功率MOSFET市場

  • 超級半導(dǎo)體材料GaN(氮化鎵)的時代正開啟。它比傳統(tǒng)的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓，已成為大功率LED的關(guān)鍵材料之...
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Vishay推出新款n溝道功率MOSFET

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過JAN認(rèn)證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV。對于軍工、航天和航空應(yīng)用，這些采用密封TO-205AD(TO-39)封裝的器件兼具低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)的性能。
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理解功率 MOSFET 的電流

  • 通常，在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中的第一頁，列出了連續(xù)漏極電流ID，脈沖漏極電流IDM，雪崩電流IAV的額定值，然后對于許多電子工程師來說，他們對于這些電流值的定義以及在實際的設(shè)計過程中，它們?nèi)绾斡绊懴到y(tǒng)以及如何選
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羅姆半導(dǎo)體： “四大戰(zhàn)略”迸發(fā)強勁動力

  • 據(jù)羅姆中國營業(yè)本部村井美裕介紹，面對未來的50年，羅姆提出了“相乘戰(zhàn)略”、“功率器件戰(zhàn)略”、“LED戰(zhàn)略”和“傳感器戰(zhàn)略”四大企業(yè)戰(zhàn)略。
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國際整流器公司推出車用AUIRS2332J柵極驅(qū)動IC

  • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出600V AUIRS2332J 三相柵極驅(qū)動器IC，適用于電動汽車和混合動力汽車中的車用高壓電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用。 　　AUIRS2332J 高壓高速功率 MOSFET 和 IGBT 驅(qū)動器具備三個獨立的高低側(cè)參考輸出通道。IR專有的 HVIC 技術(shù)使單片式結(jié)構(gòu)堅固耐用，而且其邏輯輸入與 CMOS 或 LSTTL 輸出相兼容，低至3.3V 邏輯。新器件還提供能通過外部電流感應(yīng)電阻來進(jìn)行橋電流模擬反饋的集成接地參考運算放大器
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集成高壓MOSFET可實現(xiàn)PFC的HiperPFS控制器芯片

  • 用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日宣布推出全新的HiperPFS產(chǎn)品，一款 ...
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